Electronic structure of acceptor impurities in diamond and 3C-SiC (1997)
- Authors:
- Autor USP: LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Física
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1997
- Source:
- Título do periódico: Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada
-
ABNT
ALVES, H W Leite e ALVES, J L A e LEITE, J. R. Electronic structure of acceptor impurities in diamond and 3C-SiC. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., & Leite, J. R. (1997). Electronic structure of acceptor impurities in diamond and 3C-SiC. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. -
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Leite JR. Electronic structure of acceptor impurities in diamond and 3C-SiC. Resumos. 1997 ;[citado 2024 abr. 23 ] -
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Leite JR. Electronic structure of acceptor impurities in diamond and 3C-SiC. Resumos. 1997 ;[citado 2024 abr. 23 ] - Impurezas substitucionais em silicio: serie de atomos 5d
- Estrutura eletronica dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio
- Mecanismo de difusao em semicondutores
- Noble gas atoms as impurities in silicon
- Deep-levels in diamond: the substitucional nitrogen and the simple neutrol vacancy
- Self-consistent band structure calculations by the variational cellular method
- Estrutura eletronica de impurezas de metais de transicao em diamante e germanio
- Modos locais de vibracao em 'GA''AS' intrinseco
- Dangling bonds reconstruction effects on the formation entropy of a silicon vacancy
- Substitutional impurities at reconstructed surfaces of cubic GaN
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas