Method to obtain TEOS PECVD silicon oxide thick layers for optoelectronics devices applications. (em CD-Rom) (1997)
- Authors:
- Autor USP: MORIMOTO, NILTON ITIRO - EP
- Unidade: EP
- Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS; SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: SBMICRO/EFEI
- Publisher place: Itajubá
- Date published: 1997
- Source:
- Título do periódico: Proceedings
- Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society
-
ABNT
BULLA, Douglas Anderson Pereira e MORIMOTO, Nilton Itiro. Method to obtain TEOS PECVD silicon oxide thick layers for optoelectronics devices applications. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Bulla, D. A. P., & Morimoto, N. I. (1997). Method to obtain TEOS PECVD silicon oxide thick layers for optoelectronics devices applications. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI. -
NLM
Bulla DAP, Morimoto NI. Method to obtain TEOS PECVD silicon oxide thick layers for optoelectronics devices applications. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 abr. 19 ] -
Vancouver
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