High quality low temperature DPECVD silicon dioxide (1997)
- Autores:
- Autor USP: ALVAREZ, INES PEREYRA DE - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1016/s0022-3093(96)00650-3
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Journal of Non-Crystalline Solids
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 212, n. 2/3, p. 225-231, jun. 1997
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
PEREYRA, Inés e ALAYO CHÁVEZ, Marco Isaías. High quality low temperature DPECVD silicon dioxide. Journal of Non-Crystalline Solids, v. 212, n. ju 1997, p. 225-231, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0022-3093(96)00650-3. Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Pereyra, I., & Alayo Chávez, M. I. (1997). High quality low temperature DPECVD silicon dioxide. Journal of Non-Crystalline Solids, 212( ju 1997), 225-231. doi:10.1016/s0022-3093(96)00650-3 -
NLM
Pereyra I, Alayo Chávez MI. High quality low temperature DPECVD silicon dioxide [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 1997 ; 212( ju 1997): 225-231.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-3093(96)00650-3 -
Vancouver
Pereyra I, Alayo Chávez MI. High quality low temperature DPECVD silicon dioxide [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 1997 ; 212( ju 1997): 225-231.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-3093(96)00650-3 - Silicon carbide clusters in silicon formed by carbon ions implantation
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Informações sobre o DOI: 10.1016/s0022-3093(96)00650-3 (Fonte: oaDOI API)
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