Tese

Defeitos nativos e impureza de berílio em nitreto de boro cúbico (1998)

• Autores:
  • Castineira, Jose Luis Petricelli
  • Leite, José Roberto (Orientador)
• Autor USP: CASTINEIRA, JOSE LUIS PETRICELLI - IF
• Unidade: IF
• Sigla do Departamento: FMT
• Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA; SEMICONDUTORES
• Idioma: Português
• Resumo: Desenvolvemos nesse trabalho investigações relativas ao comportamento de defeitos nativos e da impureza de berílio na rede do nitreto de boro cúbico (c-BN). Entre os defeitos nativos estudamos as vacâncias de nitrogênio e de boro, bem como o anti-sítio de nitrogênio. Concernente ao berílio, analisamos esse átomo nas posições substitucionais e intersticiais (tetraédricas) do cristal. Os resultados obtidos foram utilizados na interpretação de dados experimentais sobre esses centros disponíveis na literatura. Estudamos para cada um desses sistemas e, complementarmente, para o cristal perfeito, propriedades eletrônicas e estruturais. Do ponto de vista de estados eletrônicos, analisamos o comportamento dos níveis de defeito (ou impureza), enquanto que referente aos aspectos estruturais, encontramos a configuração atômica dos respectivos centros, com as correspondentes energias de formação. Através dos resultado encontrados, ratificamos o berílio como candidato natural a dopagem tipo p do c-BN e formulamos um modelo par a descrição da transição em torno de 1 e V encontrada experimentalmente nesse composto. Mostramos ainda a possibilidade do surgimento da cor azul que o berílio provoca no nitreto de boro estar associada a essas impurezas substituindo o nitrogênio na rede cristalina. No que se refere ao anti-sítio de nitrogênio, verificamos que este centro não segue o comportamento metaestável apresentado pelo anti-sítio de arsênio em GaAs, comportamentoeste sugerido como sendo universal nos compostos semicondutores do grupo HI-V.Concomitante a esses resultados obtidos, resulta de nosso projeto e demonstração da viabilidade do emprego do método Full-Potential Linear Augmented Plane Waves - FLAPW - para o estudo de defeitos e impurezas em semicondutores. Mostramos, pela primeira vez, que o método FLAPW é eficiente e rigoroso na investigação desses sistemas. Utilizando supercomputadores de última geração, definimos as ) condições essenciais para que o método se aplique de forma confiável para estes estudos
• Imprenta:
  • Local: São Paulo
  • Data de publicação: 1998
• Data da defesa: 03.03.1998


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Como citar

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• ABNT

  CASTINEIRA, Jose Luis Petricelli. Defeitos nativos e impureza de berílio em nitreto de boro cúbico. 1998. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1998. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-27022014-142005/. Acesso em: 19 set. 2024.

• APA

  Castineira, J. L. P. (1998). Defeitos nativos e impureza de berílio em nitreto de boro cúbico (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-27022014-142005/

• NLM

  Castineira JLP. Defeitos nativos e impureza de berílio em nitreto de boro cúbico [Internet]. 1998 ;[citado 2024 set. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-27022014-142005/

• Vancouver

  Castineira JLP. Defeitos nativos e impureza de berílio em nitreto de boro cúbico [Internet]. 1998 ;[citado 2024 set. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-27022014-142005/

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