Erbium luminescente from hydrogenated amorphous silicon-erbium prepared by cosputtering (1997)
- Autores:
- Autores USP: ZANATTA, ANTONIO RICARDO - IFSC ; NUNES, LUIZ ANTONIO DE OLIVEIRA - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1063/1.118196
- Assuntos: CIRCUITOS ELETRÔNICOS; MATÉRIA CONDENSADA
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Applied Physics Letters
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 70, n. 14, p. 511-513, 1997
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
ZANATTA, Antonio Ricardo e NUNES, Luiz Antônio de Oliveira e TESSLER, L R. Erbium luminescente from hydrogenated amorphous silicon-erbium prepared by cosputtering. Applied Physics Letters, v. 70, n. 14, p. 511-513, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.118196. Acesso em: 19 set. 2024. -
APA
Zanatta, A. R., Nunes, L. A. de O., & Tessler, L. R. (1997). Erbium luminescente from hydrogenated amorphous silicon-erbium prepared by cosputtering. Applied Physics Letters, 70( 14), 511-513. doi:10.1063/1.118196 -
NLM
Zanatta AR, Nunes LA de O, Tessler LR. Erbium luminescente from hydrogenated amorphous silicon-erbium prepared by cosputtering [Internet]. Applied Physics Letters. 1997 ; 70( 14): 511-513.[citado 2024 set. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.118196 -
Vancouver
Zanatta AR, Nunes LA de O, Tessler LR. Erbium luminescente from hydrogenated amorphous silicon-erbium prepared by cosputtering [Internet]. Applied Physics Letters. 1997 ; 70( 14): 511-513.[citado 2024 set. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.118196 - Direct and host mediated excitation of 'Er POT.3+' ions in amorphous SiN alloys
- Laser annealed Er-doped a-Si:H thin films
- Optical spectroscopy of 'Er POT.3+' and 'Yb POT.3+' co-doped fluorindate glasses
- Laser annealed Er-doped a-Si:H thin films
- 1.54 mu m photoluminescence of Er-containing N-doped a-Si : H
- Infrared spectroscopy of Er-containing amorphous silicon thin films
- Room temperature green photoluminescence from Er ions in amorphous SiN films
- Laser annealed Er-doped a-Si: H thin films
- Optical excitation of 'Er POT.3+' ions in a-SiN alloys
- Visible and infrared photoluminiscence from 'Er POT.3+' ions in amorphous SiN alloys
Informações sobre o DOI: 10.1063/1.118196 (Fonte: oaDOI API)
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