Atomic structure of the 'GaN(100, 110,111)' surfaces (1997)
- Autores:
- Autor USP: LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/s0921-5107(96)01869-7
- Assuntos: ÁTOMOS; FISICA DOS MATERIAIS E MECANICA
- Idioma: Inglês
- Fonte:
- Título do periódico: Materials Science and Engineering B
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 43, p. 288-291, 1997
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
ALVES, J L A et al. Atomic structure of the 'GaN(100, 110,111)' surfaces. Materials Science and Engineering B, v. 43, p. 288-291, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-5107(96)01869-7. Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Alves, J. L. A., Alves, H. W. L., Oliveira, C. de, Valadao, R. D. S. C., & Leite, J. R. (1997). Atomic structure of the 'GaN(100, 110,111)' surfaces. Materials Science and Engineering B, 43, 288-291. doi:10.1016/s0921-5107(96)01869-7 -
NLM
Alves JLA, Alves HWL, Oliveira C de, Valadao RDSC, Leite JR. Atomic structure of the 'GaN(100, 110,111)' surfaces [Internet]. Materials Science and Engineering B. 1997 ; 43 288-291.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-5107(96)01869-7 -
Vancouver
Alves JLA, Alves HWL, Oliveira C de, Valadao RDSC, Leite JR. Atomic structure of the 'GaN(100, 110,111)' surfaces [Internet]. Materials Science and Engineering B. 1997 ; 43 288-291.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-5107(96)01869-7 - Propriedades eletronicas dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio
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Informações sobre o DOI: 10.1016/s0921-5107(96)01869-7 (Fonte: oaDOI API)
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