Elementos piezoresistivos para sensores de pressão com tecnologia CMOS (1997)
- Authors:
- Autor USP: RASIA, LUIZ ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PEE
- Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
- Language: Português
- Abstract: O presente trabalho visa fornecer as bases para o projeto e a caracterização de piezoresistores de silício que podem ser empregados na fabricação de sensores de pressão piezoresistivos integrados, que incorporam em um mesmo chip tanto o elemento sensível como o elemento transdutor, usando a tecnologia CMOS de 1,2 'mü'm e pós-processamento. O estudo realizado possibilitou entender o efeito piezoresistivo no Si e algumas características elétricas e térmicas, através da caracterização experimental de piezoresistores construídos com silício mono e policristalino, fornecendo parâmetros de engenharia adequados ao projeto de sensores de pressão e que poderão ser empregados para a fabricação em escala industrial. O uso da tecnologia padrão de circuitos integrados através de uma "foundry" permite fabricar "gauges" que, adequadamente posicionados em uma fina membrana obtida por corrosão anisotrópica, convertem o esforço mecânico aplicado em uma variação da resistência elétrica. Pode-se obter informações em termos do comportamento das propriedades elétricas, térmicas, mecânicas e dos efeitos cruzados nos elementos piezoresistivos, o que possibilita incorporar grandes melhorias funcionais aos sensores de pressão que venham a ser fabricados com silício
- Imprenta:
- Data da defesa: 30.09.1997
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ABNT
RASIA, Luiz Antônio. Elementos piezoresistivos para sensores de pressão com tecnologia CMOS. 1997. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1997. . Acesso em: 29 mar. 2024. -
APA
Rasia, L. A. (1997). Elementos piezoresistivos para sensores de pressão com tecnologia CMOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Rasia LA. Elementos piezoresistivos para sensores de pressão com tecnologia CMOS. 1997 ;[citado 2024 mar. 29 ] -
Vancouver
Rasia LA. Elementos piezoresistivos para sensores de pressão com tecnologia CMOS. 1997 ;[citado 2024 mar. 29 ]
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