Impurity states in the narrow band-gap semiconductor n-type 'IN''SB' (1996)
- Autores:
- Autores USP: FAZZIO, ADALBERTO - IF ; CANUTO, SYLVIO ROBERTO ACCIOLY - IF
- Unidade: IF
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Solid State Communications
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.99, n.4 , p.295-7, 1996
-
ABNT
SILVA, A. F. et al. Impurity states in the narrow band-gap semiconductor n-type 'IN''SB'. Solid State Communications, v. 99, n. 4 , p. 295-7, 1996Tradução . . Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Silva, A. F., Dantas, N. S., Mota, F. B., Canuto, S., & Fazzio, A. (1996). Impurity states in the narrow band-gap semiconductor n-type 'IN''SB'. Solid State Communications, 99( 4 ), 295-7. -
NLM
Silva AF, Dantas NS, Mota FB, Canuto S, Fazzio A. Impurity states in the narrow band-gap semiconductor n-type 'IN''SB'. Solid State Communications. 1996 ;99( 4 ): 295-7.[citado 2024 abr. 23 ] -
Vancouver
Silva AF, Dantas NS, Mota FB, Canuto S, Fazzio A. Impurity states in the narrow band-gap semiconductor n-type 'IN''SB'. Solid State Communications. 1996 ;99( 4 ): 295-7.[citado 2024 abr. 23 ] - Transicao metal-isolante em fullerenos dopados com metais alcalinos
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