Nitrogen - related dopant and defect states in cvd diamond (1996)
- Autores:
- Autor USP: GRAEFF, CARLOS FREDERICO DE OLIVEIRA - FFCLRP
- Unidade: FFCLRP
- Assunto: FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Physical Review B, Solid State
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.54, n.11, p.7874-80, 1996
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ABNT
ROHRER, E et al. Nitrogen - related dopant and defect states in cvd diamond. Physical Review B, Solid State, v. 54, n. 11, p. 7874-80, 1996Tradução . . Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Rohrer, E., Graeff, C. F. O., Janssen, R., Nebel, C. E., Stutzmann, M., Guttler, H., & Zachai, R. (1996). Nitrogen - related dopant and defect states in cvd diamond. Physical Review B, Solid State, 54( 11), 7874-80. -
NLM
Rohrer E, Graeff CFO, Janssen R, Nebel CE, Stutzmann M, Guttler H, Zachai R. Nitrogen - related dopant and defect states in cvd diamond. Physical Review B, Solid State. 1996 ;54( 11): 7874-80.[citado 2024 abr. 23 ] -
Vancouver
Rohrer E, Graeff CFO, Janssen R, Nebel CE, Stutzmann M, Guttler H, Zachai R. Nitrogen - related dopant and defect states in cvd diamond. Physical Review B, Solid State. 1996 ;54( 11): 7874-80.[citado 2024 abr. 23 ] - Ressonãncia de spin eletrônico de condução detectada eletricamente em heteroestruturas de Si/'Si ind 0.7' 'Ge ind.0.3'
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