Nitrogen antisite defect in zincblende-type boron nitride (1996)
- Autores:
- Autores USP: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; SCOLFARO, LUISA MARIA RIBEIRO - IF
- Unidade: IF
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Editora: Sociedade Brasileira de Fisica
- Local: Sao Paulo
- Data de publicação: 1996
- Fonte:
- Título do periódico: Resumos
- Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
-
ABNT
CASTINEIRA, J L P et al. Nitrogen antisite defect in zincblende-type boron nitride. 1996, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 20 abr. 2024. -
APA
Castineira, J. L. P., Alves, J. L., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., & Enderlein, R. (1996). Nitrogen antisite defect in zincblende-type boron nitride. In Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. -
NLM
Castineira JLP, Alves JL, Leite JR, Scolfaro LMR, Enderlein R. Nitrogen antisite defect in zincblende-type boron nitride. Resumos. 1996 ;[citado 2024 abr. 20 ] -
Vancouver
Castineira JLP, Alves JL, Leite JR, Scolfaro LMR, Enderlein R. Nitrogen antisite defect in zincblende-type boron nitride. Resumos. 1996 ;[citado 2024 abr. 20 ] - Estrutura eletronica de pocos quanticos 'AL IND.X' 'GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' delta-dopados ('GAMA'-'SI') sob efeito de campos magneticos
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