Photocurrent properties of 'DELTA-'si'' doped 'IN''GA''AS' multi-quantum well heterostructure (1996)
- Autores:
- Autores USP: BASMAJI, PIERRE - IFSC ; MAREGA JUNIOR, EUCLYDES - IFSC
- Unidade: IFSC
- Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA; MATÉRIA CONDENSADA; MATÉRIA CONDENSADA
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Resumos
- Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
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ABNT
CAMPO JUNIOR, V L et al. Photocurrent properties of 'DELTA-'si'' doped 'IN''GA''AS' multi-quantum well heterostructure. 1996, Anais.. Sao Paulo: Sbf, 1996. . Acesso em: 16 abr. 2024. -
APA
Campo Junior, V. L., Lubyshev, D. I., González-Borrero, P. P., Basmaji, P., & Marega Júnior, E. (1996). Photocurrent properties of 'DELTA-'si'' doped 'IN''GA''AS' multi-quantum well heterostructure. In Resumos. Sao Paulo: Sbf. -
NLM
Campo Junior VL, Lubyshev DI, González-Borrero PP, Basmaji P, Marega Júnior E. Photocurrent properties of 'DELTA-'si'' doped 'IN''GA''AS' multi-quantum well heterostructure. Resumos. 1996 ;[citado 2024 abr. 16 ] -
Vancouver
Campo Junior VL, Lubyshev DI, González-Borrero PP, Basmaji P, Marega Júnior E. Photocurrent properties of 'DELTA-'si'' doped 'IN''GA''AS' multi-quantum well heterostructure. Resumos. 1996 ;[citado 2024 abr. 16 ] - Surface kinetics effects at the mbe growth of iii-v compounds
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