Introduction to the soi mosfet dimensions in the high-temperature leakage drain current model (1996)
- Autores:
- Autor USP: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Proceedings
- Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society
-
ABNT
BELLODI, Marcello e MARTINO, João Antonio e FLANDRE, Denis. Introduction to the soi mosfet dimensions in the high-temperature leakage drain current model. 1996, Anais.. São Paulo: Sbmicro, 1996. . Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Bellodi, M., Martino, J. A., & Flandre, D. (1996). Introduction to the soi mosfet dimensions in the high-temperature leakage drain current model. In Proceedings. São Paulo: Sbmicro. -
NLM
Bellodi M, Martino JA, Flandre D. Introduction to the soi mosfet dimensions in the high-temperature leakage drain current model. Proceedings. 1996 ;[citado 2024 abr. 19 ] -
Vancouver
Bellodi M, Martino JA, Flandre D. Introduction to the soi mosfet dimensions in the high-temperature leakage drain current model. Proceedings. 1996 ;[citado 2024 abr. 19 ] - Temperature influences on the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs
- Projeto de processos de fabricação avançados aplicáveis nas tecnologias CMOS micrométricas
- Analysis of the linear kink effect in partially depleted SOI nMOSFETs
- Simple method to extract the length dependent mobility degradation factor at 77 K
- Mobility degradation influence on the SOI MOSFET channel length extraction at 77K
- Low temperature and channel engineering influence on harmonic distortion of soi nmosfets for analog applications
- Analysis of the capacitance vs. voltage in graded channel SOI capacitor
- A simple technique to reduce the influence of the series resistance on the BULK and SOI MOSFET parameter extraction
- Metodo simples para a obtencao da densidade de armadilhas na primeira e segunda interface em soi-mosfet
- Simple method for the determination of the interface trap density at 77k in fully depleted acumulation mode soi mosfets
Como citar
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas