Metastability and electronic structure of periodically n-type and p-type 'GAMA'-doped layer in 'GA''AS' (1995)
- Autores:
- Autor USP: FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA; MATÉRIA CONDENSADA
- Idioma: Inglês
- Fonte:
- Título do periódico: Materials Science Forum
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.196-201, p.421-4, 1995
-
ABNT
FAZZIO, A e SCHMIDT, T M. Metastability and electronic structure of periodically n-type and p-type 'GAMA'-doped layer in 'GA''AS'. Materials Science Forum, v. 196-201, p. 421-4, 1995Tradução . . Acesso em: 16 abr. 2024. -
APA
Fazzio, A., & Schmidt, T. M. (1995). Metastability and electronic structure of periodically n-type and p-type 'GAMA'-doped layer in 'GA''AS'. Materials Science Forum, 196-201, 421-4. -
NLM
Fazzio A, Schmidt TM. Metastability and electronic structure of periodically n-type and p-type 'GAMA'-doped layer in 'GA''AS'. Materials Science Forum. 1995 ;196-201 421-4.[citado 2024 abr. 16 ] -
Vancouver
Fazzio A, Schmidt TM. Metastability and electronic structure of periodically n-type and p-type 'GAMA'-doped layer in 'GA''AS'. Materials Science Forum. 1995 ;196-201 421-4.[citado 2024 abr. 16 ] - Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'
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