Quantum confinement effects on the dielectric constant of porous silicon (1993)
- Autores:
- Autor USP: IORIATTI JÚNIOR, LIDÉRIO CITRÂNGULO - IFQSC
- Unidade: IFQSC
- DOI: 10.1557/PROC-283-437
- Assunto: DIELÉTRICOS
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Editora: Materials Research Society - MRS
- Local: Pittsburgh
- Data de publicação: 1993
- Fonte:
- Título do periódico: Materials Research Society Symposium Proceedings
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 283
- Nome do evento: MRS Fall Meeting
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
TSU, R. et al. Quantum confinement effects on the dielectric constant of porous silicon. 1993, Anais.. Pittsburgh: Materials Research Society - MRS, 1993. Disponível em: https://doi.org/10.1557/PROC-283-437. Acesso em: 20 abr. 2024. -
APA
Tsu, R., Ioriatti Júnior, L. C., Harvey, J. F., Shen, H., & Lux, R. A. (1993). Quantum confinement effects on the dielectric constant of porous silicon. In Materials Research Society Symposium Proceedings (Vol. 283). Pittsburgh: Materials Research Society - MRS. doi:10.1557/PROC-283-437 -
NLM
Tsu R, Ioriatti Júnior LC, Harvey JF, Shen H, Lux RA. Quantum confinement effects on the dielectric constant of porous silicon [Internet]. Materials Research Society Symposium Proceedings. 1993 ; 283[citado 2024 abr. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1557/PROC-283-437 -
Vancouver
Tsu R, Ioriatti Júnior LC, Harvey JF, Shen H, Lux RA. Quantum confinement effects on the dielectric constant of porous silicon [Internet]. Materials Research Society Symposium Proceedings. 1993 ; 283[citado 2024 abr. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1557/PROC-283-437 - Ground impurity levels in superlattices
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Informações sobre o DOI: 10.1557/PROC-283-437 (Fonte: oaDOI API)
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