Analise da regiao de sublimiar do transistor soi mosfet (1995)
- Autores:
- Autor USP: MARTINO, JOAO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Idioma: Português
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Anais
- Nome do evento: Seminario Brasileiro de Caracterizacao em Microeletronica
-
ABNT
SONNENBERG, Victor e MARTINO, João Antonio. Analise da regiao de sublimiar do transistor soi mosfet. 1995, Anais.. Curitiba: Copel, 1995. . Acesso em: 16 abr. 2024. -
APA
Sonnenberg, V., & Martino, J. A. (1995). Analise da regiao de sublimiar do transistor soi mosfet. In Anais. Curitiba: Copel. -
NLM
Sonnenberg V, Martino JA. Analise da regiao de sublimiar do transistor soi mosfet. Anais. 1995 ;[citado 2024 abr. 16 ] -
Vancouver
Sonnenberg V, Martino JA. Analise da regiao de sublimiar do transistor soi mosfet. Anais. 1995 ;[citado 2024 abr. 16 ] - Temperature influences on the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs
- Projeto de processos de fabricação avançados aplicáveis nas tecnologias CMOS micrométricas
- Analysis of the linear kink effect in partially depleted SOI nMOSFETs
- Simple method to extract the length dependent mobility degradation factor at 77 K
- Mobility degradation influence on the SOI MOSFET channel length extraction at 77K
- Low temperature and channel engineering influence on harmonic distortion of soi nmosfets for analog applications
- Analysis of the capacitance vs. voltage in graded channel SOI capacitor
- A simple technique to reduce the influence of the series resistance on the BULK and SOI MOSFET parameter extraction
- Metodo simples para a obtencao da densidade de armadilhas na primeira e segunda interface em soi-mosfet
- Simple method for the determination of the interface trap density at 77k in fully depleted acumulation mode soi mosfets
Como citar
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
