Caracterizacao eletrica de transistores soi mosfet em altas temperaturas (1995)
- Autores:
- Autor USP: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Idioma: Português
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Anais
- Nome do evento: Seminario Brasileiro de Caracterizacao em Microeletronica
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ABNT
BELLODI, Marcello e MARTINO, João Antonio. Caracterizacao eletrica de transistores soi mosfet em altas temperaturas. 1995, Anais.. Curitiba: Copel, 1995. . Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Bellodi, M., & Martino, J. A. (1995). Caracterizacao eletrica de transistores soi mosfet em altas temperaturas. In Anais. Curitiba: Copel. -
NLM
Bellodi M, Martino JA. Caracterizacao eletrica de transistores soi mosfet em altas temperaturas. Anais. 1995 ;[citado 2024 abr. 23 ] -
Vancouver
Bellodi M, Martino JA. Caracterizacao eletrica de transistores soi mosfet em altas temperaturas. Anais. 1995 ;[citado 2024 abr. 23 ] - Temperature influences on the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs
- Projeto de processos de fabricação avançados aplicáveis nas tecnologias CMOS micrométricas
- Analysis of the linear kink effect in partially depleted SOI nMOSFETs
- Simple method to extract the length dependent mobility degradation factor at 77 K
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