Influence of the pecvd reactor architecture in deposition parameters in the structural and electrical characteristics of the a-'SI': h films (1995)
- Autores:
- Autor USP: ANDRADE, ADNEI MELGES DE - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Editora: Instituto de Informatica da Ufrgs
- Local: Porto Alegre
- Data de publicação: 1995
- Fonte:
- Título do periódico: Proceedings
- Nome do evento: Congress of the Brazilian Microelectronics Society
-
ABNT
BOTTECCHIA, J P e ANDRADE, Adnei Melges de. Influence of the pecvd reactor architecture in deposition parameters in the structural and electrical characteristics of the a-'SI': h films. 1995, Anais.. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs, 1995. . Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Bottecchia, J. P., & Andrade, A. M. de. (1995). Influence of the pecvd reactor architecture in deposition parameters in the structural and electrical characteristics of the a-'SI': h films. In Proceedings. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs. -
NLM
Bottecchia JP, Andrade AM de. Influence of the pecvd reactor architecture in deposition parameters in the structural and electrical characteristics of the a-'SI': h films. Proceedings. 1995 ;[citado 2024 abr. 23 ] -
Vancouver
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