Homogeneidade dos parametros termoeletricos em cristais de 'BI IND.2''TE IND.3' crescidos pela tecnica de bridgman (1995)
- Autores:
- Autores USP: RABBANI, SAID RAHNAMAYE - IF ; ANDREETA, JOSE PEDRO - IFSC ; HERNANDES, ANTONIO CARLOS - IFSC
- Unidades: IF; IFSC
- Assunto: INSTRUMENTAÇÃO (FÍSICA)
- Idioma: Português
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Pesquisa e Desenvolvimento Tecnologico
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 19, p. 55-56, 1995
-
ABNT
CUSTÓDIO, M C C et al. Homogeneidade dos parametros termoeletricos em cristais de 'BI IND.2''TE IND.3' crescidos pela tecnica de bridgman. Pesquisa e Desenvolvimento Tecnologico, v. 19, p. 55-56, 1995Tradução . . Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Custódio, M. C. C., Rabbani, S. R., Hernandes, A. C., & Andreeta, J. P. (1995). Homogeneidade dos parametros termoeletricos em cristais de 'BI IND.2''TE IND.3' crescidos pela tecnica de bridgman. Pesquisa e Desenvolvimento Tecnologico, 19, 55-56. -
NLM
Custódio MCC, Rabbani SR, Hernandes AC, Andreeta JP. Homogeneidade dos parametros termoeletricos em cristais de 'BI IND.2''TE IND.3' crescidos pela tecnica de bridgman. Pesquisa e Desenvolvimento Tecnologico. 1995 ; 19 55-56.[citado 2024 abr. 23 ] -
Vancouver
Custódio MCC, Rabbani SR, Hernandes AC, Andreeta JP. Homogeneidade dos parametros termoeletricos em cristais de 'BI IND.2''TE IND.3' crescidos pela tecnica de bridgman. Pesquisa e Desenvolvimento Tecnologico. 1995 ; 19 55-56.[citado 2024 abr. 23 ] - Crescimento e caracterizacao de telureto de bismuto e ligas a partir de 'BI'-'SB'-'TE'-'SE' para aplicacoes termoeletricas
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