Determination of the optimal annealing temperature for ion implanted doping hydrogenated amorphous silicon (1993)
- Autores:
- Autores USP: ANDRADE, ADNEI MELGES DE - EP ; FONSECA, FERNANDO JOSEPETTI - EP
- Unidade: EP
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Editora: Cnea
- Local: Buenos Aires
- Data de publicação: 1993
- Fonte:
- Título do periódico: Proceedings
- Nome do evento: Workshop on Materials Sciences and Physics of Non-Conventional Energy Sources
-
ABNT
FONSECA, Fernando Josepetti e ANDRADE, Adnei Melges de e GALLONI, R. Determination of the optimal annealing temperature for ion implanted doping hydrogenated amorphous silicon. 1993, Anais.. Buenos Aires: Cnea, 1993. . Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Fonseca, F. J., Andrade, A. M. de, & Galloni, R. (1993). Determination of the optimal annealing temperature for ion implanted doping hydrogenated amorphous silicon. In Proceedings. Buenos Aires: Cnea. -
NLM
Fonseca FJ, Andrade AM de, Galloni R. Determination of the optimal annealing temperature for ion implanted doping hydrogenated amorphous silicon. Proceedings. 1993 ;[citado 2024 abr. 23 ] -
Vancouver
Fonseca FJ, Andrade AM de, Galloni R. Determination of the optimal annealing temperature for ion implanted doping hydrogenated amorphous silicon. Proceedings. 1993 ;[citado 2024 abr. 23 ] - Estudo comparativo da implantacao ionica de potassio e fosforo em silicio amorfo para utilizacao em contatos injetores
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