Propriedades eletronicas das super-redes semicondutoras (1992)
- Autores:
- Autor USP: FERRAZ, ARMANDO CORBANI - IF
- Unidade: IF
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Idioma: Português
- Imprenta:
- Editora: Sociedade Brasileira de Fisica
- Local: Sao Paulo
- Data de publicação: 1992
- Fonte:
- Título do periódico: Programa e Resumos
- Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
-
ABNT
MIWA, R H e FERRAZ, A. C. Propriedades eletronicas das super-redes semicondutoras. 1992, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1992. . Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Miwa, R. H., & Ferraz, A. C. (1992). Propriedades eletronicas das super-redes semicondutoras. In Programa e Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. -
NLM
Miwa RH, Ferraz AC. Propriedades eletronicas das super-redes semicondutoras. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2024 abr. 19 ] -
Vancouver
Miwa RH, Ferraz AC. Propriedades eletronicas das super-redes semicondutoras. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2024 abr. 19 ] - Atomic geometries of iii-v compound semiconductor surfaces by total energy and force methods
- Interface geometry of ' ('ga''as') IND.N'' ('in''as') IND.N' and ' ('ga'P) IND.N'' ('in'P) IND.N' ultra-thin superlattices
- Electronic properties and stability of [001] 'GA''AS' / 'IN''AS', 'GA'p / 'IN'p,'GA IND.1-X''IN IND.X''AS' / 'GA''AS' ('IN''AS') and 'GA IND.1-X''IN IND.X'p / 'GA'p ('IN'p)
- Entalpia de formacao e estrutura eletronica de super-redes ultrafinas de iii-v / iv
- Estudo de pseudopotenciais de primeiros principios e sua aplicacao em semicondutores ii-vi
- Estados eletronicos e estrutura atomica da interface znse / znte (001)
- Estudo teorico da acao surfactante do 'TE' no crescimento de 'IN''AS': 'GA''AS'
- Ab initio study of the GaAs(001)-In(4 X 2) surface
- Oxygen adsorption on CdTe(110)
- Role of generalized-gradient approximation in structural and electronic properties of bulk and surface of 'BETA'-GaN and GaAs
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