Hyperspherical formulation of impurity-bound excitons in semiconductors (1992)
- Autores:
- Autor USP: HORNOS, JOSE EDUARDO MARTINHO - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1103/physrevb.46.2101
- Assuntos: FÍSICA; FÍSICA MATEMÁTICA; FÍSICA MODERNA
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Physical Review B
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.46, n.4 , p.2101-8, jul. 1992
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo é de acesso aberto
- URL de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: green
-
ABNT
DE GROOTE, J J S et al. Hyperspherical formulation of impurity-bound excitons in semiconductors. Physical Review B, v. 46, n. 4 , p. 2101-8, 1992Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.46.2101. Acesso em: 20 abr. 2024. -
APA
De Groote, J. J. S., Hornos, J. E. M., Coelho, H. T., & Caldwell, C. D. (1992). Hyperspherical formulation of impurity-bound excitons in semiconductors. Physical Review B, 46( 4 ), 2101-8. doi:10.1103/physrevb.46.2101 -
NLM
De Groote JJS, Hornos JEM, Coelho HT, Caldwell CD. Hyperspherical formulation of impurity-bound excitons in semiconductors [Internet]. Physical Review B. 1992 ;46( 4 ): 2101-8.[citado 2024 abr. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.46.2101 -
Vancouver
De Groote JJS, Hornos JEM, Coelho HT, Caldwell CD. Hyperspherical formulation of impurity-bound excitons in semiconductors [Internet]. Physical Review B. 1992 ;46( 4 ): 2101-8.[citado 2024 abr. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.46.2101 - Simetrias e caos em sistemas dinâmicos
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Informações sobre o DOI: 10.1103/physrevb.46.2101 (Fonte: oaDOI API)
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