Electronic structure of 'BE'-doped 'GA''AS' (1990)
- Authors:
- USP affiliated authors: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; MARTINS, JOSE MANUEL DE VASCONCELOS - IF
- Unidade: IF
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Source:
- Título do periódico: Materials Science Forum
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.65-6, p.369-74, 1990
- Conference titles: International Conference on Shallon Impurities in Semiconductors
-
ABNT
SCOLFARO, L M R et al. Electronic structure of 'BE'-doped 'GA''AS'. Materials Science Forum. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 24 abr. 2024. , 1990 -
APA
Scolfaro, L. M. R., Menezes, E. A., Mendonca, C. A. C., Leite, J. R., & Martins, J. M. de V. (1990). Electronic structure of 'BE'-doped 'GA''AS'. Materials Science Forum. Instituto de Física, Universidade de São Paulo. -
NLM
Scolfaro LMR, Menezes EA, Mendonca CAC, Leite JR, Martins JM de V. Electronic structure of 'BE'-doped 'GA''AS'. Materials Science Forum. 1990 ;65-6 369-74.[citado 2024 abr. 24 ] -
Vancouver
Scolfaro LMR, Menezes EA, Mendonca CAC, Leite JR, Martins JM de V. Electronic structure of 'BE'-doped 'GA''AS'. Materials Science Forum. 1990 ;65-6 369-74.[citado 2024 abr. 24 ] - Interband transitions of interband transitions of 'SI' 2-doped layers in para-type 'GA''AS'
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