Eletronic structure of chalcogen impurities in germanium (1990)
- Autores:
- Autores USP: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; GOMES, VIVILI MARIA SILVA - IF
- Unidade: IF
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Editora: World Scientific
- Local: Singapure
- Data de publicação: 1990
- Nome do evento: Brazilian School of Semiconductors Physics
-
ABNT
CASTINEIRA, J L P e LEITE, J. R. e GOMES, V M S. Eletronic structure of chalcogen impurities in germanium. 1990, Anais.. Singapure: World Scientific, 1990. . Acesso em: 18 abr. 2024. -
APA
Castineira, J. L. P., Leite, J. R., & Gomes, V. M. S. (1990). Eletronic structure of chalcogen impurities in germanium. In . Singapure: World Scientific. -
NLM
Castineira JLP, Leite JR, Gomes VMS. Eletronic structure of chalcogen impurities in germanium. 1990 ;[citado 2024 abr. 18 ] -
Vancouver
Castineira JLP, Leite JR, Gomes VMS. Eletronic structure of chalcogen impurities in germanium. 1990 ;[citado 2024 abr. 18 ] - Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon
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