Thomas-fermi theory of'DELTA'-doped semiconductors structures: exact analytical results in the high-density limit (1990)
- Autor:
- Autor USP: IORIATTI JUNIOR, LIDERIO CITRANGULO - IFSC
- Unidade: IFSC
- Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA; SUPERFÍCIE FÍSICA
- Idioma: Inglês
- Fonte:
- Título do periódico: Physical Review B
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.41, n.12, p.8340-4, apr. 1990
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ABNT
IORIATTI JÚNIOR, Lidério Citrângulo. Thomas-fermi theory of'DELTA'-doped semiconductors structures: exact analytical results in the high-density limit. Physical Review B, v. 41, n. 12, p. 8340-4, 1990Tradução . . Acesso em: 18 abr. 2024. -
APA
Ioriatti Júnior, L. C. (1990). Thomas-fermi theory of'DELTA'-doped semiconductors structures: exact analytical results in the high-density limit. Physical Review B, 41( 12), 8340-4. -
NLM
Ioriatti Júnior LC. Thomas-fermi theory of'DELTA'-doped semiconductors structures: exact analytical results in the high-density limit. Physical Review B. 1990 ;41( 12): 8340-4.[citado 2024 abr. 18 ] -
Vancouver
Ioriatti Júnior LC. Thomas-fermi theory of'DELTA'-doped semiconductors structures: exact analytical results in the high-density limit. Physical Review B. 1990 ;41( 12): 8340-4.[citado 2024 abr. 18 ] - Ground impurity levels in superlattices
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