Influencia do campo eletrico na segregacao de dopantes durante o processo de crescimento de cristais ii - materiais semicondutores (1989)
- Autores:
- Autor USP: ANDREETA, JOSE PEDRO - IFSC
- Unidade: IFSC
- Assunto: CRESCIMENTO DE CRISTAIS
- Idioma: Português
- Imprenta:
- Editora: Sociedade Brasileira de Fisica
- Local: São Paulo
- Data de publicação: 1989
- Fonte:
- Título do periódico: Programa e Resumos
- Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
-
ABNT
OCTAVIANO, E S e ANDREETA, José Pedro. Influencia do campo eletrico na segregacao de dopantes durante o processo de crescimento de cristais ii - materiais semicondutores. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. . Acesso em: 16 abr. 2024. -
APA
Octaviano, E. S., & Andreeta, J. P. (1989). Influencia do campo eletrico na segregacao de dopantes durante o processo de crescimento de cristais ii - materiais semicondutores. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. -
NLM
Octaviano ES, Andreeta JP. Influencia do campo eletrico na segregacao de dopantes durante o processo de crescimento de cristais ii - materiais semicondutores. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 abr. 16 ] -
Vancouver
Octaviano ES, Andreeta JP. Influencia do campo eletrico na segregacao de dopantes durante o processo de crescimento de cristais ii - materiais semicondutores. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 abr. 16 ] - Crescimento de monocristais de 'BA''TI''O IND.3' pelo metodo de tssg
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