Transistores mos com geometria fechada ; influencia dos cantos da geometria na largura efetiva do canal (1988)
- Autores:
- Autores USP: ANDRADE, CARLOS AMERICO MORATO DE - IEE ; TORRES, LUIZ CARLOS MOLINA - EP
- Unidades: IEE; EP
- Assunto: MICROELETRÔNICA
- Idioma: Português
- Imprenta:
- Editora: Sbmicro/Epusp
- Local: Sao Paulo
- Data de publicação: 1988
- Fonte:
- Título do periódico: Anais
- Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica
-
ABNT
MOLINA TORRES, L C e ANDRADE, Carlos Américo Morato de. Transistores mos com geometria fechada ; influencia dos cantos da geometria na largura efetiva do canal. 1988, Anais.. Sao Paulo: Sbmicro/Epusp, 1988. . Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Molina Torres, L. C., & Andrade, C. A. M. de. (1988). Transistores mos com geometria fechada ; influencia dos cantos da geometria na largura efetiva do canal. In Anais. Sao Paulo: Sbmicro/Epusp. -
NLM
Molina Torres LC, Andrade CAM de. Transistores mos com geometria fechada ; influencia dos cantos da geometria na largura efetiva do canal. Anais. 1988 ;[citado 2024 abr. 24 ] -
Vancouver
Molina Torres LC, Andrade CAM de. Transistores mos com geometria fechada ; influencia dos cantos da geometria na largura efetiva do canal. Anais. 1988 ;[citado 2024 abr. 24 ] - Tecnologia cmos com porta de silicio policristalino e geometria fechada
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