Electronic structure of complex defects in silicon (1988)
- Autores:
- Autores USP: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; GOMES, VIVILI MARIA SILVA - IF ; ASSALI, LUCY VITORIA CREDIDIO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1007/bfb0034418
- Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
- Idioma: Português
- Fonte:
- Título do periódico: Lec Notes in Phys
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.301, p.75-94, 1988
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
LEITE, J. R. e ASSALI, L. V. C. e GOMES, V M S. Electronic structure of complex defects in silicon. Lec Notes in Phys, v. 301, p. 75-94, 1988Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1007/bfb0034418. Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Leite, J. R., Assali, L. V. C., & Gomes, V. M. S. (1988). Electronic structure of complex defects in silicon. Lec Notes in Phys, 301, 75-94. doi:10.1007/bfb0034418 -
NLM
Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Electronic structure of complex defects in silicon [Internet]. Lec Notes in Phys. 1988 ;301 75-94.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1007/bfb0034418 -
Vancouver
Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Electronic structure of complex defects in silicon [Internet]. Lec Notes in Phys. 1988 ;301 75-94.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1007/bfb0034418 - Electronic states of 'MN IND.4' complex cluster in silicon
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Informações sobre o DOI: 10.1007/bfb0034418 (Fonte: oaDOI API)
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