Método númerico para determinação dos parâmetros de ajuste da curva IxV em células solares (1985)
- Autores:
- Autor USP: ANDRADE, ADNEI MELGES DE - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CÉLULAS SOLARES
- Idioma: Português
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Anais
- Nome do evento: Simposio Brasileiro de Microeletronica
-
ABNT
VEISSID, Nelson et al. Método númerico para determinação dos parâmetros de ajuste da curva IxV em células solares. 1985, Anais.. São Paulo: Lme-Usp, 1985. . Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Veissid, N., Pereyra, I., Onmori, R. K., & Andrade, A. M. de. (1985). Método númerico para determinação dos parâmetros de ajuste da curva IxV em células solares. In Anais. São Paulo: Lme-Usp. -
NLM
Veissid N, Pereyra I, Onmori RK, Andrade AM de. Método númerico para determinação dos parâmetros de ajuste da curva IxV em células solares. Anais. 1985 ;[citado 2024 abr. 19 ] -
Vancouver
Veissid N, Pereyra I, Onmori RK, Andrade AM de. Método númerico para determinação dos parâmetros de ajuste da curva IxV em células solares. Anais. 1985 ;[citado 2024 abr. 19 ] - Ink jet deposition of polyfluorene to PLEDs displays
- Desenvolvimento de tecnologias de fabricação de células solares de silício
- MEH-PPV thin films for radiation sensor applications
- Improvement of polymeric electroluminescent device structures through simulation of UV-Vis absorption spectra of PANI/PVS films
- Highly uniform large area a-si.H films 2
- Preparação de substratos e passivação com hidrogenio de células solares de silicio policristalino
- Photovoltaic energy in Brazil: research, development, industrialization
- Obtenção e caracterização de filmes finos de silício amorfo - aplicações em dispositivos eletrônicos
- Oxidação térmica do silicio: um estudo do método de oxidação com vapor de água
- A Contribution to the development of organic semiconductor displays by the inkjet technique
Como citar
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas