Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon (1985)
- Autores:
- Autores USP: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; GOMES, VIVILI MARIA SILVA - IF
- Unidade: IF
- Idioma: Português
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Proceedings
- Nome do evento: Brazilian School on Physics
-
ABNT
GOMES, V M S e LEITE, J. R. Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon. 1985, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1985. . Acesso em: 18 abr. 2024. -
APA
Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1985). Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. -
NLM
Gomes VMS, Leite JR. Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 abr. 18 ] -
Vancouver
Gomes VMS, Leite JR. Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 abr. 18 ] - Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'
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