Estrutura eletronica dos condutores lineares (1985)
- Autores:
- Autores USP: PEREIRA NETO, JOSE REZENDE - IF ; FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- Idioma: Português
- Fonte:
- Título do periódico: Ciência e Cultura
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.37, n.7 supl., p.249, jul. 1985
- Nome do evento: Reunião Anual da SBPC
-
ABNT
SILVA, M M F e PEREIRA NETO, J R e FAZZIO, A. Estrutura eletronica dos condutores lineares. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 23 abr. 2024. , 1985 -
APA
Silva, M. M. F., Pereira Neto, J. R., & Fazzio, A. (1985). Estrutura eletronica dos condutores lineares. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo. -
NLM
Silva MMF, Pereira Neto JR, Fazzio A. Estrutura eletronica dos condutores lineares. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 249.[citado 2024 abr. 23 ] -
Vancouver
Silva MMF, Pereira Neto JR, Fazzio A. Estrutura eletronica dos condutores lineares. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 249.[citado 2024 abr. 23 ] - On the evidence for the effect of local symmetry on the photoionization spectrum of 'FE POT.2+'ininp
- Estudo de cadeias de poli (4-fenilanilina) e polianilina e
- Estudo de protonação das polianilinas
- Estrutura eletronica do 'K IND.2''PT'' (CN) IND.4'.'BR IND.0.3'.3'H IND.2'o
- Estrutura eletronica de centros de impurezas calcogenias em silicio
- Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'
- Terras raras em gap
- Estrutura eletronica e geometrica dos clusters de 'GA IND.N' 'AS IND.M' (n,m = 1-3)
- Estrutura eletronica da microestrutura: 'GA IND.N' 'AS IND.M'
- Role played by n and n-n impurities in type-'IV' semiconductors
Como citar
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas