Instrumentacao eletronica de apoio para um sistema de epitaxia por feixes moleculares (1994)
- Authors:
- Autor USP: ARAKAKI, HAROLDO - IFQSC
- Unidade: IFQSC
- Sigla do Departamento: SFI
- Assunto: INSTRUMENTAÇÃO (FÍSICA)
- Language: Português
- Abstract: Neste trabalho e apresentado o desenvolvimento de instrumentacao eletronica para controle e automacao de um sistema de crescimento de semicondutores por epitaxia por feixes moleculares. Envolve uma variedade de circuitos analogicos e digitais como: modulo de aquisicao de dados e controle baseado em uma ucp z-80, contendo algumas interfaces digitais e analogicas multiplexadas, e comunicando-se com um microcomputador atraves de uma interface serial. Envolve ainda o desenvolvimento de controladores de temperatura analogicos tipo pid, atuacao por motores de passo e circuitos de condicionamento de sinal
- Imprenta:
- Publisher place: Sao Carlos
- Date published: 1994
- Data da defesa: 29.03.1994
-
ABNT
ARAKAKI, Haroldo. Instrumentacao eletronica de apoio para um sistema de epitaxia por feixes moleculares. 1994. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, Sao Carlos, 1994. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-06102008-114423/. Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Arakaki, H. (1994). Instrumentacao eletronica de apoio para um sistema de epitaxia por feixes moleculares (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, Sao Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-06102008-114423/ -
NLM
Arakaki H. Instrumentacao eletronica de apoio para um sistema de epitaxia por feixes moleculares [Internet]. 1994 ;[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-06102008-114423/ -
Vancouver
Arakaki H. Instrumentacao eletronica de apoio para um sistema de epitaxia por feixes moleculares [Internet]. 1994 ;[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-06102008-114423/ - Inhomogeneity of electron liquid and effects of interlayer coupling in GaAs/AlGaAs superlattices in the regime of the quantum Hall effect
- Disorder induced coherence-incoherence crossover in random GaAs/AlGaAs superlattices
- Dispositivo PIN com múltiplos poços de InGaAs crescidos em substratos de GaAs (311)A dopados apenas com Si
- Disorder-driven coherence-incoherence crossover in random GaAs/'Al IND.0,3''Ga IND.0,7': as superlattices
- Regimes of quantum transport in superlattices in a weak magnetic field
- Effect of the electron and hole scattering potentials compensation on optical band edge of heavily doped GaAs/AlGaAs superlattices
- Effect of compensation of electron and hole scattering potentials on the optical band edge of heavily doped GaAs/'Al IND.x''Ga IND.1-x'As superlattices
- Instrumentação eletrônica para controle e automação de um sistema de epitaxia por feixes moleculares
- Conversor d / a de 8 canais para microcomputador ibm-pc-xt
- Anisotropy of quantum interference in disordered GaAs/'Al IND.x''Ga IND.1-x'As superlattices
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
