Implante de protons em diodos de potencia para a reducao de qrr (1993)
- Autores:
- Autor USP: NORI, FÁBIO - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PEE
- Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
- Idioma: Português
- Resumo: Este trabalho estuda as alteracoes das caracteristicas eletricas de diodos p-'NI'-n de potencia, especialmente qrr e vf, quando sao sujeitos a um implante de protons. O enfoque dado ao tratamento do problema e pratico, visando o uso dos componentes processados em circuitos de potencia, por isto introduz-se um circuito em que e usado um diodo de potencia. Desta forma as caracteristicas eletricas exigidas para este tipo de componente surgem naturalmente. Como o principal parametro afetado pelo implante de protons e o tempo de vida dos portadores na regiao 'N POT.-', E apresentada uma revisao do comportamento de diodos de potencia em funcao do tempo de vida dos portadores, com vistas ao processo utilizado. E feito um estudo critico dos meios disponiveis para o processamento das amostras, a partir da qual sao determinadas algumas caracteristicas do sistema de irradiacao. A partir dos resultados obtidos das amostras irradiadas e criticado o processo com relacao a sua adequacao a producao de componentes de potencia rapidos e, tambem conclui-se que os resultados obtidos sao validos e significativos, aplicaveis a estudos posteriores
- Imprenta:
- Data da defesa: 22.01.1993
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ABNT
NORI, Fabio. Implante de protons em diodos de potencia para a reducao de qrr. 1993. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1993. . Acesso em: 18 abr. 2024. -
APA
Nori, F. (1993). Implante de protons em diodos de potencia para a reducao de qrr (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Nori F. Implante de protons em diodos de potencia para a reducao de qrr. 1993 ;[citado 2024 abr. 18 ] -
Vancouver
Nori F. Implante de protons em diodos de potencia para a reducao de qrr. 1993 ;[citado 2024 abr. 18 ]
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