Aplicação da piezorrestividade do silício em transdutores de pressão (1991)
- Authors:
- Autor USP: CUSTÓDIO, MARIA CLÁUDIA CERCHIARI - IF
- Unidade: IF
- Sigla do Departamento: FMT
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Português
- Abstract: Em nosso trabalho estudamos a aplicação do efeito piezorresistivo do silício, na fabricação de transdutores de pressão. Desenvolvemos, inicialmente, um modelo teórico e o implementamos em computador. A partir do modelo,verificamos como os diversos parâmetros alteram a curva da calibração, e projetamos o transdutor para que opere numa faixa de -760 a +760 mm hg, na região de 20 a 80'GRAUS'C. Com os parâmetros estabelecidos pelo projeto,fabricamos os transdutores aliando as técnicas de microeletrônica, técnicas de corrosão química. Os transdutores são calibrados e apresentamos as comparações dos resultados com os comportamentos esperados a partir do modelo teorico
- Imprenta:
- Data da defesa: 19.12.1991
-
ABNT
CUSTÓDIO, Maria Cláudia Cerchiari. Aplicação da piezorrestividade do silício em transdutores de pressão. 1991. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1991. . Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Custódio, M. C. C. (1991). Aplicação da piezorrestividade do silício em transdutores de pressão (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Custódio MCC. Aplicação da piezorrestividade do silício em transdutores de pressão. 1991 ;[citado 2024 abr. 19 ] -
Vancouver
Custódio MCC. Aplicação da piezorrestividade do silício em transdutores de pressão. 1991 ;[citado 2024 abr. 19 ]
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
