Desenvolvimento de um sistema multicâmara integrado para deposição e recozimento de filmes 'SI''O IND.2' (1995)
- Autores:
- Autor USP: MORIMOTO, NILTON ITIRO - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PEE
- Assunto: FILMES FINOS
- Idioma: Português
- Resumo: Foi desenvolvido um sistema multicâmara integrado para a deposição de óxidos de silício dopados ou não com boro e/ou fósforo por R/PECVD (Deposição Química a Vapor Enriquecido por Plasma/Remoto) que consiste de três câmaras de processo (PECVD, RPECVD e RTP), uma câmara de inserção de amostras e uma câmara de manipulação de amostras. O sistema é altamente versátil e flexível, possibilitando várias seqüências de processos de deposição, crescimento e/ou tratamentos por plasma e térmicos. Foi caracterizado o processo de deposição PECVD e obtivemos filmes finos de óxido de silício não dopado com uniformidade > 97%, taxas de deposição de 300 a 500 nm/min, estequiometria O/'SI' aproximadamente igual a 2, baixa concentração de ligações OH, concentração de carbono não detectável por AES, baixo estresse intrínseco e boa cobertura de degrau.
- Imprenta:
- Data da defesa: 20.03.1995
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ABNT
MORIMOTO, Nilton Itiro. Desenvolvimento de um sistema multicâmara integrado para deposição e recozimento de filmes 'SI''O IND.2'. 1995. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1995. . Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Morimoto, N. I. (1995). Desenvolvimento de um sistema multicâmara integrado para deposição e recozimento de filmes 'SI''O IND.2' (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Morimoto NI. Desenvolvimento de um sistema multicâmara integrado para deposição e recozimento de filmes 'SI''O IND.2'. 1995 ;[citado 2024 abr. 23 ] -
Vancouver
Morimoto NI. Desenvolvimento de um sistema multicâmara integrado para deposição e recozimento de filmes 'SI''O IND.2'. 1995 ;[citado 2024 abr. 23 ] - Method to obtain TEOS PECVD silicon oxide thick layers for optoelectronics devices applications. (em CD-Rom)
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