Contribuição ao estudo e modelamento dos transistores de unijunção (1977)
- Autores:
- Autor USP: GRINBERG, SERGIO - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PEL
- Assunto: TRANSISTORES
- Idioma: Português
- Resumo: Foram projetados e construídos transistores de unijunção empregando-se a tecnologia planar epitaxial. Três geometrias foram escolhidas. Em duas delas, circular e linear, a região de bases é formada pela camada epitaxial, sendo a comutação do dispositivo devida à modulação da condutividade da região entre emissor e base 1. A terceira geometria, é uma estrutura de quatro camadas sendo o princípio de funcionamento semelhante ao de um retificador controlado de silício. Inicialmente são efetuadas algumas considerações gerais sobre o transistor, sendo introduzido os parâmetros fundamentais, o princípio de operação e seu uso típico. A seguir é desenvolvido o modelo teórico para o comportamento estático dos transistores de unijunção de geometria circular. Tal modelo é baseado na distribuição de excesso de portadores no dispositivo, enfocando os aspectos físicos envolvidos no processo de comutação. As expressões finais são bastante simples, principalmente no caso do ponto de pico, sugerindo a extensão do modelo para outras geometrias. Após considerações sobre os valores dos principais parâmetros em dispositivos comerciais, são descritas as etapas dos projetos das três geometrias, além de alguns componentes para testes inseridos na máscara. São apresentados os resultados das medidas efetuadas em vários dispositivos, os quais estão de acordo com as previsões teóricas. Todas as discrepâncias encontradas são explicadas pelo modelo, comprovando sua validade. Para as lâminas empregadas, obteve-se melhores resultados com a geometria linear, apesar da dissipação de potência ter sido um pouco elevada. O transistor de quatro camadas, operando com tensões negativas, se aproxima do transistor de unijunção complementar, podendo ainda ser utilizado como transistor da unijunçaoprogramável, com resultados muito bons. Finalmente são sugeridas otimizações futuras nos elementos, assim como a extensão do modelo para outros dispositivos e circu
- Imprenta:
- Data da defesa: 08.07.1977
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ABNT
GRINBERG, Sérgio. Contribuição ao estudo e modelamento dos transistores de unijunção. 1977. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1977. . Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Grinberg, S. (1977). Contribuição ao estudo e modelamento dos transistores de unijunção (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Grinberg S. Contribuição ao estudo e modelamento dos transistores de unijunção. 1977 ;[citado 2024 abr. 24 ] -
Vancouver
Grinberg S. Contribuição ao estudo e modelamento dos transistores de unijunção. 1977 ;[citado 2024 abr. 24 ]
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