Propriedades dos diodos eletroluminescentes de arseneto de gálio contaminado com silício (1968)
- Autores:
- Autor USP: EISENCRAFT, MARCOS - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PEL
- Assuntos: DIODOS; GÁLIO; SILÍCIO
- Idioma: Português
- Resumo: O objetivo desta tese é o estudo das propriedades elétricas e óticas dos diodos eletroluminescentes de arseneto de gálio fabricados a partir de solução líquida com contaminação por meio de silício. Foram estudadas as curvas características corrente-tensão tanto no sentido direto como no sentido reverso, identificando-se os mecanismos responsáveis pelas diversas componentes da corrente dos diodos. No sentido direto, foi verificada a existência de uma corrente do tipo exp (qV/ƞkt) atribuída à recombinação na região de transição. Para baixas tensões no sentido direto, a componente predominante, do tipo exp (∝ V), foi atribuída a um mecanismo de tunelamento através de vários estados intermediários. Foi verificada a existência de corrente de injeção do tipo exp(qV/kT) por meio de medidas de intensidade de radiação em função da tensão aplicada. A corrente reversa foi atribuída a tunelamento através de vários estados intermediários, até tensões próximas da ruptura da junção. A ruptura da junção ocorre devido à multiplicação por efeito avalanche. Foram estudados os espectros de emissão e de fotocorrente dos diodos de arseneto de gálio contaminado com silício em comparação com os diodos com contaminação de zinco. A radiação foi atribuída a um mecanismo de recombinação dos elétrons injetados com lacunas ligadas a impurezas aceitadoras não ionizadas. Foi explicada a diferença de rendimento entre os diodos com contaminação de silício e com contaminação de zinco. Foi feita uma tentativa de correlação entre o rendimento quântico e o tipo de junção.
- Imprenta:
- Data da defesa: 25.05.1968
-
ABNT
EISENCRAFT, Marcos. Propriedades dos diodos eletroluminescentes de arseneto de gálio contaminado com silício. 1968. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1968. . Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Eisencraft, M. (1968). Propriedades dos diodos eletroluminescentes de arseneto de gálio contaminado com silício (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Eisencraft M. Propriedades dos diodos eletroluminescentes de arseneto de gálio contaminado com silício. 1968 ;[citado 2024 abr. 24 ] -
Vancouver
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