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  • Artigo de periodico

    Different stress techniques and their efficiency on triple-gate SOI n-MOSFETs (2015)

    Bühler, Rudolf Theoderich; Agopian, Paula Ghedini Der ; Collaert, Nadine ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor ; Martino, João Antonio

    Fonte: Solid-State Electronics. Unidade: EP

    Assunto: MICROELETRÔNICA

    Acesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      BÜHLER, Rudolf Theoderich et al. Different stress techniques and their efficiency on triple-gate SOI n-MOSFETs. Solid-State Electronics, v. 103, p. 209-215, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2014.07.010. Acesso em: 25 nov. 2025.

    • APA

      Bühler, R. T., Agopian, P. G. D., Collaert, N., Simoen, E., Claeys, C., & Martino, J. A. (2015). Different stress techniques and their efficiency on triple-gate SOI n-MOSFETs. Solid-State Electronics, 103, 209-215. doi:10.1016/j.sse.2014.07.010

    • NLM

      Bühler RT, Agopian PGD, Collaert N, Simoen E, Claeys C, Martino JA. Different stress techniques and their efficiency on triple-gate SOI n-MOSFETs [Internet]. Solid-State Electronics. 2015 ;103 209-215.[citado 2025 nov. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2014.07.010

    • Vancouver

      Bühler RT, Agopian PGD, Collaert N, Simoen E, Claeys C, Martino JA. Different stress techniques and their efficiency on triple-gate SOI n-MOSFETs [Internet]. Solid-State Electronics. 2015 ;103 209-215.[citado 2025 nov. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2014.07.010

  • Artigo de periodico

    TCAD Strain Calibration Versus Nanobeam Diffraction of Source/Drain Stressors for Ge MOSFETs (2015)

    Bühler, Rudolf Theoderich; Vincent, Benjamin; Witters, Liesbeth J; Favia, Paola; Eneman, Geert; Martino, João Antonio

    Fonte: IEEE Transactions on Electron Devices. Unidade: EP

    Assunto: NANOTECNOLOGIA

    Acesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      BÜHLER, Rudolf Theoderich et al. TCAD Strain Calibration Versus Nanobeam Diffraction of Source/Drain Stressors for Ge MOSFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, v. 62, n. 4, p. 1079-1084, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/ted.2015.2397441. Acesso em: 25 nov. 2025.

    • APA

      Bühler, R. T., Vincent, B., Witters, L. J., Favia, P., Eneman, G., & Martino, J. A. (2015). TCAD Strain Calibration Versus Nanobeam Diffraction of Source/Drain Stressors for Ge MOSFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 62( 4), 1079-1084. doi:10.1109/ted.2015.2397441

    • NLM

      Bühler RT, Vincent B, Witters LJ, Favia P, Eneman G, Martino JA. TCAD Strain Calibration Versus Nanobeam Diffraction of Source/Drain Stressors for Ge MOSFETs [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2015 ; 62( 4): 1079-1084.[citado 2025 nov. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2015.2397441

    • Vancouver

      Bühler RT, Vincent B, Witters LJ, Favia P, Eneman G, Martino JA. TCAD Strain Calibration Versus Nanobeam Diffraction of Source/Drain Stressors for Ge MOSFETs [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2015 ; 62( 4): 1079-1084.[citado 2025 nov. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2015.2397441

  • Tese (Doutorado)

    Estudo de transistores avançados de canal tensionado (2014)

    Bühler, Rudolf Theoderich; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Assuntos: TRANSISTORES (CARACTERÍSTICAS;MEDIDAS), SIMULAÇÃO

    Acesso à fonteComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      BÜHLER, Rudolf Theoderich. Estudo de transistores avançados de canal tensionado. 2014. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19052015-151837/. Acesso em: 25 nov. 2025.

    • APA

      Bühler, R. T. (2014). Estudo de transistores avançados de canal tensionado (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19052015-151837/

    • NLM

      Bühler RT. Estudo de transistores avançados de canal tensionado [Internet]. 2014 ;[citado 2025 nov. 25 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19052015-151837/

    • Vancouver

      Bühler RT. Estudo de transistores avançados de canal tensionado [Internet]. 2014 ;[citado 2025 nov. 25 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19052015-151837/

  • Trabalho de evento

    Biaxial stress simulation and electrical characterization of triple-gate SOI nMOSFETs. (2012)

    Bühler, Rudolf Theoderich ; Agopian, Paula Ghedini Der ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor ; Martino, João Antonio

    Fonte: Microelectronics technology and devices, SBMicro. Nome do evento: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Assunto: MICROELETRÔNICA

    PrivadoAcesso à fonteDOIComo citar
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    • ABNT

      BÜHLER, Rudolf Theoderich et al. Biaxial stress simulation and electrical characterization of triple-gate SOI nMOSFETs. 2012, Anais.. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo, 2012. Disponível em: https://doi.org/10.1149/04901.0145ecst. Acesso em: 25 nov. 2025.

    • APA

      Bühler, R. T., Agopian, P. G. D., Simoen, E., Claeys, C., & Martino, J. A. (2012). Biaxial stress simulation and electrical characterization of triple-gate SOI nMOSFETs. In Microelectronics technology and devices, SBMicro. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. doi:10.1149/04901.0145ecst

    • NLM

      Bühler RT, Agopian PGD, Simoen E, Claeys C, Martino JA. Biaxial stress simulation and electrical characterization of triple-gate SOI nMOSFETs. [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2025 nov. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0145ecst

    • Vancouver

      Bühler RT, Agopian PGD, Simoen E, Claeys C, Martino JA. Biaxial stress simulation and electrical characterization of triple-gate SOI nMOSFETs. [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2025 nov. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0145ecst

  • Artigo de periodico

    Analog parameters of strained non-rectangular triplegate FinFETs (2010)

    Bühler, Rudolf Theoderich; Giacomini, R.; Martino, João Antonio

    Fonte: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. Unidade: EP

    Assunto: SIMULAÇÃO DE SISTEMAS

    PrivadoAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      BÜHLER, Rudolf Theoderich e GIACOMINI, R. e MARTINO, João Antonio. Analog parameters of strained non-rectangular triplegate FinFETs. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 21-28, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3474138. Acesso em: 25 nov. 2025.

    • APA

      Bühler, R. T., Giacomini, R., & Martino, J. A. (2010). Analog parameters of strained non-rectangular triplegate FinFETs. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 21-28. doi:10.1149/1.3474138

    • NLM

      Bühler RT, Giacomini R, Martino JA. Analog parameters of strained non-rectangular triplegate FinFETs [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 21-28.[citado 2025 nov. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474138

    • Vancouver

      Bühler RT, Giacomini R, Martino JA. Analog parameters of strained non-rectangular triplegate FinFETs [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 21-28.[citado 2025 nov. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474138

  • Artigo de periodico

    Trapezoidal SOI FinFET analog parameters' dependence on cross-section shape (2009)

    Bühler, Rudolf Theoderich; Giacomini, R; Pavanello, Marcelo Antonio ; Martino, João Antonio

    Fonte: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP

    Assunto: MICROELETRÔNICA

    Acesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      BÜHLER, Rudolf Theoderich et al. Trapezoidal SOI FinFET analog parameters' dependence on cross-section shape. Semiconductor Science and Technology, v. 24, n. 11, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/24/11/115017. Acesso em: 25 nov. 2025.

    • APA

      Bühler, R. T., Giacomini, R., Pavanello, M. A., & Martino, J. A. (2009). Trapezoidal SOI FinFET analog parameters' dependence on cross-section shape. Semiconductor Science and Technology, 24( 11). doi:10.1088/0268-1242/24/11/115017

    • NLM

      Bühler RT, Giacomini R, Pavanello MA, Martino JA. Trapezoidal SOI FinFET analog parameters' dependence on cross-section shape [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2009 ; 24( 11):[citado 2025 nov. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/24/11/115017

    • Vancouver

      Bühler RT, Giacomini R, Pavanello MA, Martino JA. Trapezoidal SOI FinFET analog parameters' dependence on cross-section shape [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2009 ; 24( 11):[citado 2025 nov. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/24/11/115017
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