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Tese (Doutorado)
Estudo experimental da obtenção de oxinitretos de silício ultrafinos para porta MOS (2005)
Toquetti, Leandro Zeidan; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: RUGOSIDADE SUPERFICIAL, SILÍCIO, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
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ABNT
TOQUETTI, Leandro Zeidan. Estudo experimental da obtenção de oxinitretos de silício ultrafinos para porta MOS. 2005. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2005. . Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Toquetti, L. Z. (2005). Estudo experimental da obtenção de oxinitretos de silício ultrafinos para porta MOS (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Toquetti LZ. Estudo experimental da obtenção de oxinitretos de silício ultrafinos para porta MOS. 2005 ;[citado 2025 dez. 03 ]
Vancouver
Toquetti LZ. Estudo experimental da obtenção de oxinitretos de silício ultrafinos para porta MOS. 2005 ;[citado 2025 dez. 03 ]
Artigo de periodico
Obtenção de oxinitretos de porta por processamento térmico rápido visando a fabricação de circuitos integrados MOS (2000)
Toquetti, Leandro Zeidan; Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Fonte: Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
TOQUETTI, Leandro Zeidan e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Obtenção de oxinitretos de porta por processamento térmico rápido visando a fabricação de circuitos integrados MOS. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos, n. 16, 2000Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2caca822-fe39-47a8-a968-49e0014b5cdd/BT-PSI-0016_1195973_250820_113650.pdf. Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Toquetti, L. Z., & Santos Filho, S. G. dos. (2000). Obtenção de oxinitretos de porta por processamento térmico rápido visando a fabricação de circuitos integrados MOS. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos, (16). Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/2caca822-fe39-47a8-a968-49e0014b5cdd/BT-PSI-0016_1195973_250820_113650.pdf
NLM
Toquetti LZ, Santos Filho SG dos. Obtenção de oxinitretos de porta por processamento térmico rápido visando a fabricação de circuitos integrados MOS [Internet]. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos. 2000 ;(16):[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2caca822-fe39-47a8-a968-49e0014b5cdd/BT-PSI-0016_1195973_250820_113650.pdf
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Toquetti LZ, Santos Filho SG dos. Obtenção de oxinitretos de porta por processamento térmico rápido visando a fabricação de circuitos integrados MOS [Internet]. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos. 2000 ;(16):[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2caca822-fe39-47a8-a968-49e0014b5cdd/BT-PSI-0016_1195973_250820_113650.pdf
Dissertação (Mestrado)
Obtenção de oxinitretos de porta por processamento térmico rápido visando a fabricação de circuitos integrados MOS (2000)
Toquetti, Leandro Zeidan; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TOQUETTI, Leandro Zeidan. Obtenção de oxinitretos de porta por processamento térmico rápido visando a fabricação de circuitos integrados MOS. 2000. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2000. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15102024-111607/pt-br.php. Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Toquetti, L. Z. (2000). Obtenção de oxinitretos de porta por processamento térmico rápido visando a fabricação de circuitos integrados MOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15102024-111607/pt-br.php
NLM
Toquetti LZ. Obtenção de oxinitretos de porta por processamento térmico rápido visando a fabricação de circuitos integrados MOS [Internet]. 2000 ;[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15102024-111607/pt-br.php
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Toquetti LZ. Obtenção de oxinitretos de porta por processamento térmico rápido visando a fabricação de circuitos integrados MOS [Internet]. 2000 ;[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15102024-111607/pt-br.php

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