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  • Relatorio tecnico

    Estudo da contaminação com oxigênio no reator epitaxial mav-1200 (1987)

    Fonseca, R I; Bueno, T R

    Unidade: EP

    Assunto: TRANSFORMADORES E REATORES

    Como citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      FONSECA, R I e BUENO, T R. Estudo da contaminação com oxigênio no reator epitaxial mav-1200. . São Paulo: Lme-Usp. . Acesso em: 02 dez. 2025. , 1987

    • APA

      Fonseca, R. I., & Bueno, T. R. (1987). Estudo da contaminação com oxigênio no reator epitaxial mav-1200. São Paulo: Lme-Usp.

    • NLM

      Fonseca RI, Bueno TR. Estudo da contaminação com oxigênio no reator epitaxial mav-1200. 1987 ;[citado 2025 dez. 02 ]

    • Vancouver

      Fonseca RI, Bueno TR. Estudo da contaminação com oxigênio no reator epitaxial mav-1200. 1987 ;[citado 2025 dez. 02 ]

  • Tese (Doutorado)

    Estruturação de um método de fabricação de transistores bipolares auto-alinhados para circuitos integrados de alta velocidade (1985)

    Fonseca, Reusi Ines; Andrade, Carlos Américo Morato de (Orientador)

    Unidade: EP

    Assuntos: TRANSISTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS

    Como citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      FONSECA, Reusi Ines. Estruturação de um método de fabricação de transistores bipolares auto-alinhados para circuitos integrados de alta velocidade. 1985. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1985. . Acesso em: 02 dez. 2025.

    • APA

      Fonseca, R. I. (1985). Estruturação de um método de fabricação de transistores bipolares auto-alinhados para circuitos integrados de alta velocidade (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.

    • NLM

      Fonseca RI. Estruturação de um método de fabricação de transistores bipolares auto-alinhados para circuitos integrados de alta velocidade. 1985 ;[citado 2025 dez. 02 ]

    • Vancouver

      Fonseca RI. Estruturação de um método de fabricação de transistores bipolares auto-alinhados para circuitos integrados de alta velocidade. 1985 ;[citado 2025 dez. 02 ]
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