ReP USP - Resultado da busca

Tese (Doutorado)
Fabricação de novas heteroestruturas a partir de estruturas SOI obtidas pela técnica "Smart-Curt" (2006)
Escobar Forhan, Neisy Amparo; Pereyra, Inés (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: MICROELETRÔNICA, MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ESCOBAR FORHAN, Neisy Amparo. Fabricação de novas heteroestruturas a partir de estruturas SOI obtidas pela técnica "Smart-Curt". 2006. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-02042008-112321/. Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Escobar Forhan, N. A. (2006). Fabricação de novas heteroestruturas a partir de estruturas SOI obtidas pela técnica "Smart-Curt" (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-02042008-112321/
NLM
Escobar Forhan NA. Fabricação de novas heteroestruturas a partir de estruturas SOI obtidas pela técnica "Smart-Curt" [Internet]. 2006 ;[citado 2025 dez. 03 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-02042008-112321/
Vancouver
Escobar Forhan NA. Fabricação de novas heteroestruturas a partir de estruturas SOI obtidas pela técnica "Smart-Curt" [Internet]. 2006 ;[citado 2025 dez. 03 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-02042008-112321/
Artigo de periodico
Nano-crystalline "Si IND.1-x" "C IND.x" :H thin films deposited by PECVD for SiC-on-insulator application (2004)
Escobar Forhan, Neisy Amparo; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Pereyra, Inés
Fonte: Journal of Non-Crystalline Solids. Unidades: IF, EP
Assuntos: FILMES FINOS, NANOTECNOLOGIA, ESTRUTURA DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ESCOBAR FORHAN, Neisy Amparo e FANTINI, Márcia Carvalho de Abreu e PEREYRA, Inés. Nano-crystalline "Si IND.1-x" "C IND.x" :H thin films deposited by PECVD for SiC-on-insulator application. Journal of Non-Crystalline Solids, v. 338-340, 2004Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TXM-4CCFCKJ-1-8&_cdi=5594&_user=972067&_orig=browse&_coverDate=06%2F15%2F2004&_sk=996619999&view=c&wchp=dGLbVlz-zSkWz&md5=768c7876eb02ac94f3aa329920376045&ie=/sdarticle.pdf. Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Escobar Forhan, N. A., Fantini, M. C. de A., & Pereyra, I. (2004). Nano-crystalline "Si IND.1-x" "C IND.x" :H thin films deposited by PECVD for SiC-on-insulator application. Journal of Non-Crystalline Solids, 338-340. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TXM-4CCFCKJ-1-8&_cdi=5594&_user=972067&_orig=browse&_coverDate=06%2F15%2F2004&_sk=996619999&view=c&wchp=dGLbVlz-zSkWz&md5=768c7876eb02ac94f3aa329920376045&ie=/sdarticle.pdf
NLM
Escobar Forhan NA, Fantini MC de A, Pereyra I. Nano-crystalline "Si IND.1-x" "C IND.x" :H thin films deposited by PECVD for SiC-on-insulator application [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 2004 ; 338-340[citado 2025 dez. 03 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TXM-4CCFCKJ-1-8&_cdi=5594&_user=972067&_orig=browse&_coverDate=06%2F15%2F2004&_sk=996619999&view=c&wchp=dGLbVlz-zSkWz&md5=768c7876eb02ac94f3aa329920376045&ie=/sdarticle.pdf
Vancouver
Escobar Forhan NA, Fantini MC de A, Pereyra I. Nano-crystalline "Si IND.1-x" "C IND.x" :H thin films deposited by PECVD for SiC-on-insulator application [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 2004 ; 338-340[citado 2025 dez. 03 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TXM-4CCFCKJ-1-8&_cdi=5594&_user=972067&_orig=browse&_coverDate=06%2F15%2F2004&_sk=996619999&view=c&wchp=dGLbVlz-zSkWz&md5=768c7876eb02ac94f3aa329920376045&ie=/sdarticle.pdf
Parte de monografia/livro
Silicon carbide clusters in silicon formed by carbon ions implantation (2003)
Escobar Forhan, Neisy Amparo; Pereyra, Inés
Fonte: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ESCOBAR FORHAN, Neisy Amparo e PEREYRA, Inés. Silicon carbide clusters in silicon formed by carbon ions implantation. Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Tradução . Pennington: Electrochemical Society, 2003. . . Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Escobar Forhan, N. A., & Pereyra, I. (2003). Silicon carbide clusters in silicon formed by carbon ions implantation. In Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society.
NLM
Escobar Forhan NA, Pereyra I. Silicon carbide clusters in silicon formed by carbon ions implantation. In: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society; 2003. [citado 2025 dez. 03 ]
Vancouver
Escobar Forhan NA, Pereyra I. Silicon carbide clusters in silicon formed by carbon ions implantation. In: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society; 2003. [citado 2025 dez. 03 ]
Trabalho de evento
Analysis of process parameters in "Smart cut" SOI structure fabrication (2001)
Escobar Forhan, Neisy Amparo; Braga, Nelson Liebentritt de Almeida; Gonçalves, José Lino
Fonte: SBMicro 2001: proceedings. Nome do evento: International Conference on Microelectronics and Packaging. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ESCOBAR FORHAN, Neisy Amparo e BRAGA, Nelson Liebentritt de Almeida e GONÇALVES, José Lino. Analysis of process parameters in "Smart cut" SOI structure fabrication. 2001, Anais.. Brasília: SBMicro, 2001. . Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Escobar Forhan, N. A., Braga, N. L. de A., & Gonçalves, J. L. (2001). Analysis of process parameters in "Smart cut" SOI structure fabrication. In SBMicro 2001: proceedings. Brasília: SBMicro.
NLM
Escobar Forhan NA, Braga NL de A, Gonçalves JL. Analysis of process parameters in "Smart cut" SOI structure fabrication. SBMicro 2001: proceedings. 2001 ;[citado 2025 dez. 03 ]
Vancouver
Escobar Forhan NA, Braga NL de A, Gonçalves JL. Analysis of process parameters in "Smart cut" SOI structure fabrication. SBMicro 2001: proceedings. 2001 ;[citado 2025 dez. 03 ]
Dissertação (Mestrado)
Solda direta para obtenção de lâminas SOI com tecnologia "Smart Cut" (2000)
Escobar Forhan, Neisy Amparo; Braga, Nelson Liebentritt de Almeida (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ESCOBAR FORHAN, Neisy Amparo. Solda direta para obtenção de lâminas SOI com tecnologia "Smart Cut". 2000. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2000. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19112024-100412/pt-br.php. Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Escobar Forhan, N. A. (2000). Solda direta para obtenção de lâminas SOI com tecnologia "Smart Cut" (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19112024-100412/pt-br.php
NLM
Escobar Forhan NA. Solda direta para obtenção de lâminas SOI com tecnologia "Smart Cut" [Internet]. 2000 ;[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19112024-100412/pt-br.php
Vancouver
Escobar Forhan NA. Solda direta para obtenção de lâminas SOI com tecnologia "Smart Cut" [Internet]. 2000 ;[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19112024-100412/pt-br.php

Unidades USP

ReP

Filtros

Assuntos