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Artigo de periodico
Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies (2017)
Itocazu, Vitor Tatsuo ; Sonnenberg, Victor ; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor
Fonte: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
ITOCAZU, Vitor Tatsuo et al. Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 12, n. 2, p. 82-88, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v12i2.455. Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Itocazu, V. T., Sonnenberg, V., Martino, J. A., Simoen, E., & Claeys, C. (2017). Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies. Journal of Integrated Circuits and Systems, 12( 2), 82-88. doi:10.29292/jics.v12i2.455
NLM
Itocazu VT, Sonnenberg V, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2017 ; 12( 2): 82-88.[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v12i2.455
Vancouver
Itocazu VT, Sonnenberg V, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2017 ; 12( 2): 82-88.[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v12i2.455
Artigo de periodico
Analytical Model for Threshold Voltage in UTBB SOI MOSFET in Dynamic Threshold Voltage Operation (2016)
Itocazu, Vitor Tatsuo ; Martino, João Antonio ; Sasaki, Kátia Regina Akemi; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor ; Sonnenberg, Victor
Fonte: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
ITOCAZU, Vitor Tatsuo et al. Analytical Model for Threshold Voltage in UTBB SOI MOSFET in Dynamic Threshold Voltage Operation. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 12, n. 2, p. 101-106, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v12i2.458. Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Itocazu, V. T., Martino, J. A., Sasaki, K. R. A., Simoen, E., Claeys, C., & Sonnenberg, V. (2016). Analytical Model for Threshold Voltage in UTBB SOI MOSFET in Dynamic Threshold Voltage Operation. Journal of Integrated Circuits and Systems, 12( 2), 101-106. doi:10.29292/jics.v12i2.458
NLM
Itocazu VT, Martino JA, Sasaki KRA, Simoen E, Claeys C, Sonnenberg V. Analytical Model for Threshold Voltage in UTBB SOI MOSFET in Dynamic Threshold Voltage Operation [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2016 ; 12( 2): 101-106.[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v12i2.458
Vancouver
Itocazu VT, Martino JA, Sasaki KRA, Simoen E, Claeys C, Sonnenberg V. Analytical Model for Threshold Voltage in UTBB SOI MOSFET in Dynamic Threshold Voltage Operation [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2016 ; 12( 2): 101-106.[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v12i2.458
Artigo de periodico
Influência de diferentes solventes utilizados na deposição de filme de poli(9-vinilcarbazol) em dispositivos OLEDs: Influence of different solvents used in film deposition of poly(9-vinylcarbazole) in OLED devices (2014)
Santos, Emerson Roberto ; Wang, Shu Hui ; Correia, Fábio Conte; Costa, Ivan Rodrigues; Sonnenberg, Victor ; Burini Junior, Elvo Calixto ; Onmori, Roberto Koji
Fonte: Química Nova. Unidades: EP, IEE
Assuntos: SOLVENTE, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
SANTOS, Emerson Roberto et al. Influência de diferentes solventes utilizados na deposição de filme de poli(9-vinilcarbazol) em dispositivos OLEDs: Influence of different solvents used in film deposition of poly(9-vinylcarbazole) in OLED devices. Química Nova, v. 37, n. 1, p. 1-5, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0100-40422014000100001. Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Santos, E. R., Wang, S. H., Correia, F. C., Costa, I. R., Sonnenberg, V., Burini Junior, E. C., & Onmori, R. K. (2014). Influência de diferentes solventes utilizados na deposição de filme de poli(9-vinilcarbazol) em dispositivos OLEDs: Influence of different solvents used in film deposition of poly(9-vinylcarbazole) in OLED devices. Química Nova, 37( 1), 1-5. doi:10.1590/s0100-40422014000100001
NLM
Santos ER, Wang SH, Correia FC, Costa IR, Sonnenberg V, Burini Junior EC, Onmori RK. Influência de diferentes solventes utilizados na deposição de filme de poli(9-vinilcarbazol) em dispositivos OLEDs: Influence of different solvents used in film deposition of poly(9-vinylcarbazole) in OLED devices [Internet]. Química Nova. 2014 ;37( 1): 1-5.[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0100-40422014000100001
Vancouver
Santos ER, Wang SH, Correia FC, Costa IR, Sonnenberg V, Burini Junior EC, Onmori RK. Influência de diferentes solventes utilizados na deposição de filme de poli(9-vinilcarbazol) em dispositivos OLEDs: Influence of different solvents used in film deposition of poly(9-vinylcarbazole) in OLED devices [Internet]. Química Nova. 2014 ;37( 1): 1-5.[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0100-40422014000100001
Trabalho de evento
Estudo de solventes em filmes de PVK para dispositivos OLEDS com diferentes eletrodods anodos (2013)
Santos, Emerson Roberto ; Moraes, José Igor Balbino de; Costa, Ivan Rodrigues; Sonnenberg, Victor ; Burini Junior, Elvo Calixto ; Onmori, Roberto Koji ; Wang, Shu Hui
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso Brasileiro de Polímeros. Unidades: EP, IEE
Assuntos: OZÔNIO, SOLVENTE
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ABNT
SANTOS, Emerson Roberto et al. Estudo de solventes em filmes de PVK para dispositivos OLEDS com diferentes eletrodods anodos. 2013, Anais.. São Carlos: Associação Brasileira de Polímeros (ABPol), 2013. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/4c6a4be2-1078-4357-845d-4e2b5302923a/HUI-2013Estudo_do_solvente.pdf. Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Santos, E. R., Moraes, J. I. B. de, Costa, I. R., Sonnenberg, V., Burini Junior, E. C., Onmori, R. K., & Wang, S. H. (2013). Estudo de solventes em filmes de PVK para dispositivos OLEDS com diferentes eletrodods anodos. In Anais. São Carlos: Associação Brasileira de Polímeros (ABPol). Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/4c6a4be2-1078-4357-845d-4e2b5302923a/HUI-2013Estudo_do_solvente.pdf
NLM
Santos ER, Moraes JIB de, Costa IR, Sonnenberg V, Burini Junior EC, Onmori RK, Wang SH. Estudo de solventes em filmes de PVK para dispositivos OLEDS com diferentes eletrodods anodos [Internet]. Anais. 2013 ;[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/4c6a4be2-1078-4357-845d-4e2b5302923a/HUI-2013Estudo_do_solvente.pdf
Vancouver
Santos ER, Moraes JIB de, Costa IR, Sonnenberg V, Burini Junior EC, Onmori RK, Wang SH. Estudo de solventes em filmes de PVK para dispositivos OLEDS com diferentes eletrodods anodos [Internet]. Anais. 2013 ;[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/4c6a4be2-1078-4357-845d-4e2b5302923a/HUI-2013Estudo_do_solvente.pdf
Trabalho de evento
Analysis of the silicon film thickness and the ground plane influence on ultra thin buried oxide SOI nMOSFETs. (2012)
Itocazu, Vitor Tatsuo ; Sonnenberg, Victor ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor ; Martino, João Antonio
Fonte: Microelectronics technology and devices, SBMicro. Nome do evento: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
ITOCAZU, Vitor Tatsuo et al. Analysis of the silicon film thickness and the ground plane influence on ultra thin buried oxide SOI nMOSFETs. 2012, Anais.. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo, 2012. Disponível em: https://doi.org/10.1149/04901.0511ecst. Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Itocazu, V. T., Sonnenberg, V., Simoen, E., Claeys, C., & Martino, J. A. (2012). Analysis of the silicon film thickness and the ground plane influence on ultra thin buried oxide SOI nMOSFETs. In Microelectronics technology and devices, SBMicro. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. doi:10.1149/04901.0511ecst
NLM
Itocazu VT, Sonnenberg V, Simoen E, Claeys C, Martino JA. Analysis of the silicon film thickness and the ground plane influence on ultra thin buried oxide SOI nMOSFETs. [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0511ecst
Vancouver
Itocazu VT, Sonnenberg V, Simoen E, Claeys C, Martino JA. Analysis of the silicon film thickness and the ground plane influence on ultra thin buried oxide SOI nMOSFETs. [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0511ecst
Trabalho de evento-resumo
Study of different solvents for PVK used in P-OLEDs (2012)
Santos, Emerson Roberto ; Costa, Ivan Rodrigues; Sonnenberg, Victor ; Burini Junior, Elvo Calixto ; Wang, Shu Hui ; Onmori, Roberto Koji
Fonte: CBECIMAT 2012. São Carlos, USFCAR, 2012. Nome do evento: Congresso Brasileiro de Engenharia e Ciência dos Materiais. Unidades: EP, IEE
Assuntos: SOLVENTE, POLÍMEROS (MATERIAIS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Emerson Roberto et al. Study of different solvents for PVK used in P-OLEDs. 2012, Anais.. São Carlos: UFSCAR, 2012. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/59754d2b-d2f5-45aa-9d04-50efa74014a1/HUI-2012-Studyofdifferent_OK.pdf. Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Santos, E. R., Costa, I. R., Sonnenberg, V., Burini Junior, E. C., Wang, S. H., & Onmori, R. K. (2012). Study of different solvents for PVK used in P-OLEDs. In CBECIMAT 2012. São Carlos, USFCAR, 2012. São Carlos: UFSCAR. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/59754d2b-d2f5-45aa-9d04-50efa74014a1/HUI-2012-Studyofdifferent_OK.pdf
NLM
Santos ER, Costa IR, Sonnenberg V, Burini Junior EC, Wang SH, Onmori RK. Study of different solvents for PVK used in P-OLEDs [Internet]. CBECIMAT 2012. São Carlos, USFCAR, 2012. 2012 ;[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/59754d2b-d2f5-45aa-9d04-50efa74014a1/HUI-2012-Studyofdifferent_OK.pdf
Vancouver
Santos ER, Costa IR, Sonnenberg V, Burini Junior EC, Wang SH, Onmori RK. Study of different solvents for PVK used in P-OLEDs [Internet]. CBECIMAT 2012. São Carlos, USFCAR, 2012. 2012 ;[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/59754d2b-d2f5-45aa-9d04-50efa74014a1/HUI-2012-Studyofdifferent_OK.pdf
Artigo de periodico
Conductance modeling of High-k Al2O3 gate dielectrics prepared by oxidation of aluminum thin films (2010)
Christiano, Veronica; Gozzi, Giuliano ; Sonnenberg, Victor ; Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Fonte: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. Unidade: EP
Assunto: ELETROQUÍMICA
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ABNT
CHRISTIANO, Veronica et al. Conductance modeling of High-k Al2O3 gate dielectrics prepared by oxidation of aluminum thin films. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 333-340, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3474177. Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Christiano, V., Gozzi, G., Sonnenberg, V., & Santos Filho, S. G. dos. (2010). Conductance modeling of High-k Al2O3 gate dielectrics prepared by oxidation of aluminum thin films. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 333-340. doi:10.1149/1.3474177
NLM
Christiano V, Gozzi G, Sonnenberg V, Santos Filho SG dos. Conductance modeling of High-k Al2O3 gate dielectrics prepared by oxidation of aluminum thin films [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 333-340.[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474177
Vancouver
Christiano V, Gozzi G, Sonnenberg V, Santos Filho SG dos. Conductance modeling of High-k Al2O3 gate dielectrics prepared by oxidation of aluminum thin films [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 333-340.[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474177
Trabalho de evento
Corner effect on capacitance-voltage curves in triple gate FinFET (2008)
Rodrigues, Michele; Sonnenberg, Victor ; Martino, João Antonio
Fonte: SBMICRO 2008: Anais. Nome do evento: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, Michele e SONNENBERG, Victor e MARTINO, João Antonio. Corner effect on capacitance-voltage curves in triple gate FinFET. 2008, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2008. . Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Rodrigues, M., Sonnenberg, V., & Martino, J. A. (2008). Corner effect on capacitance-voltage curves in triple gate FinFET. In SBMICRO 2008: Anais. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Rodrigues M, Sonnenberg V, Martino JA. Corner effect on capacitance-voltage curves in triple gate FinFET. SBMICRO 2008: Anais. 2008 ;[citado 2025 dez. 03 ]
Vancouver
Rodrigues M, Sonnenberg V, Martino JA. Corner effect on capacitance-voltage curves in triple gate FinFET. SBMICRO 2008: Anais. 2008 ;[citado 2025 dez. 03 ]
Tese (Doutorado)
Novos métodos para a determinação de parâmetros da tecnologia SOI através de capacitores (2001)
Sonnenberg, Victor ; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SONNENBERG, Victor. Novos métodos para a determinação de parâmetros da tecnologia SOI através de capacitores. 2001. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2001. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07112024-150339/pt-br.php. Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Sonnenberg, V. (2001). Novos métodos para a determinação de parâmetros da tecnologia SOI através de capacitores (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07112024-150339/pt-br.php
NLM
Sonnenberg V. Novos métodos para a determinação de parâmetros da tecnologia SOI através de capacitores [Internet]. 2001 ;[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07112024-150339/pt-br.php
Vancouver
Sonnenberg V. Novos métodos para a determinação de parâmetros da tecnologia SOI através de capacitores [Internet]. 2001 ;[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07112024-150339/pt-br.php
Artigo de periodico
Analysis of the subthreshold slope transition region in SOI nMOSFET (1997)
Sonnenberg, Victor ; Martino, João Antonio
Fonte: Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SONNENBERG, Victor e MARTINO, João Antonio. Analysis of the subthreshold slope transition region in SOI nMOSFET. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica, n. 02, 1997Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ec27ac12-92f8-452b-9164-e2d9e546b440/BT-PEE-97_02_251016_085530.pdf. Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Sonnenberg, V., & Martino, J. A. (1997). Analysis of the subthreshold slope transition region in SOI nMOSFET. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica, (02). Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/ec27ac12-92f8-452b-9164-e2d9e546b440/BT-PEE-97_02_251016_085530.pdf
NLM
Sonnenberg V, Martino JA. Analysis of the subthreshold slope transition region in SOI nMOSFET [Internet]. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica. 1997 ;(02):[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ec27ac12-92f8-452b-9164-e2d9e546b440/BT-PEE-97_02_251016_085530.pdf
Vancouver
Sonnenberg V, Martino JA. Analysis of the subthreshold slope transition region in SOI nMOSFET [Internet]. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia Eletrônica. 1997 ;(02):[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ec27ac12-92f8-452b-9164-e2d9e546b440/BT-PEE-97_02_251016_085530.pdf
Dissertação (Mestrado)
Análise da região de sublimiar em transistor SOI MOSFET em temperatura ambiente e criogênica (t=77k) (1996)
Sonnenberg, Victor ; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SONNENBERG, Victor. Análise da região de sublimiar em transistor SOI MOSFET em temperatura ambiente e criogênica (t=77k). 1996. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1996. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14102024-101008/pt-br.php. Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Sonnenberg, V. (1996). Análise da região de sublimiar em transistor SOI MOSFET em temperatura ambiente e criogênica (t=77k) (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14102024-101008/pt-br.php
NLM
Sonnenberg V. Análise da região de sublimiar em transistor SOI MOSFET em temperatura ambiente e criogênica (t=77k) [Internet]. 1996 ;[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14102024-101008/pt-br.php
Vancouver
Sonnenberg V. Análise da região de sublimiar em transistor SOI MOSFET em temperatura ambiente e criogênica (t=77k) [Internet]. 1996 ;[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14102024-101008/pt-br.php

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