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Artigo de periodico
Performance of differential pair circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures (2018)
Martino, Márcio Dalla Valle; Claeys, Cor ; Agopian, Paula Ghedini Der ; Rooyackers, Rita; Simoen, Eddy ; Martino, João Antonio
Fonte: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
MARTINO, Márcio Dalla Valle et al. Performance of differential pair circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures. Semiconductor Science and Technology, v. 33, n. 7, p. 075012, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aac4fd. Acesso em: 24 nov. 2025.
APA
Martino, M. D. V., Claeys, C., Agopian, P. G. D., Rooyackers, R., Simoen, E., & Martino, J. A. (2018). Performance of differential pair circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures. Semiconductor Science and Technology, 33( 7), 075012. doi:10.1088/1361-6641/aac4fd
NLM
Martino MDV, Claeys C, Agopian PGD, Rooyackers R, Simoen E, Martino JA. Performance of differential pair circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2018 ; 33( 7): 075012.[citado 2025 nov. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aac4fd
Vancouver
Martino MDV, Claeys C, Agopian PGD, Rooyackers R, Simoen E, Martino JA. Performance of differential pair circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2018 ; 33( 7): 075012.[citado 2025 nov. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aac4fd
Tese (Doutorado)
Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos (2017)
Martino, Márcio Dalla Valle; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS
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ABNT
MARTINO, Márcio Dalla Valle. Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos. 2017. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/. Acesso em: 24 nov. 2025.
APA
Martino, M. D. V. (2017). Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/
NLM
Martino MDV. Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos [Internet]. 2017 ;[citado 2025 nov. 24 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/
Vancouver
Martino MDV. Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos [Internet]. 2017 ;[citado 2025 nov. 24 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/
Artigo de periodico
Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures (2017)
Martino, Márcio Dalla Valle; Claeys, Cor ; Rooyackers, Rita; Simoen, Eddy ; Agopian, Paula Ghedini Der ; Vandooren, A; Martino, João Antonio
Fonte: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES
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ABNT
MARTINO, Márcio Dalla Valle et al. Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures. Semiconductor Science and Technology, v. 32, n. 5, p. 055015, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aa6764. Acesso em: 24 nov. 2025.
APA
Martino, M. D. V., Claeys, C., Rooyackers, R., Simoen, E., Agopian, P. G. D., Vandooren, A., & Martino, J. A. (2017). Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures. Semiconductor Science and Technology, 32( 5), 055015. doi:10.1088/1361-6641/aa6764
NLM
Martino MDV, Claeys C, Rooyackers R, Simoen E, Agopian PGD, Vandooren A, Martino JA. Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2017 ; 32( 5): 055015.[citado 2025 nov. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aa6764
Vancouver
Martino MDV, Claeys C, Rooyackers R, Simoen E, Agopian PGD, Vandooren A, Martino JA. Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2017 ; 32( 5): 055015.[citado 2025 nov. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aa6764
Artigo de periodico
Performance of TFET and FinFET devices applied to current mirrors for different dimensions and temperatures (2016)
Martino, Márcio Dalla Valle; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der ; Vandooren, A; Rooyackers, Rita; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor
Fonte: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
MARTINO, Márcio Dalla Valle et al. Performance of TFET and FinFET devices applied to current mirrors for different dimensions and temperatures. Semiconductor Science and Technology, v. 31, n. 5, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/5/055001. Acesso em: 24 nov. 2025.
APA
Martino, M. D. V., Martino, J. A., Agopian, P. G. D., Vandooren, A., Rooyackers, R., Simoen, E., & Claeys, C. (2016). Performance of TFET and FinFET devices applied to current mirrors for different dimensions and temperatures. Semiconductor Science and Technology, 31( 5). doi:10.1088/0268-1242/31/5/055001
NLM
Martino MDV, Martino JA, Agopian PGD, Vandooren A, Rooyackers R, Simoen E, Claeys C. Performance of TFET and FinFET devices applied to current mirrors for different dimensions and temperatures [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 5):[citado 2025 nov. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/5/055001
Vancouver
Martino MDV, Martino JA, Agopian PGD, Vandooren A, Rooyackers R, Simoen E, Claeys C. Performance of TFET and FinFET devices applied to current mirrors for different dimensions and temperatures [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 5):[citado 2025 nov. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/5/055001
Artigo de periodico
Analog performance of vertical nanowire TFETs as a function of temperature and transport mechanism (2015)
Martino, Márcio Dalla Valle; Thean, Aaron; Claeys, Cor ; Neves, Felipe S; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio ; Vandooren, A; Rooyackers, Rita; Simoen, Eddy
Fonte: Solid-State Electronics. Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA
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ABNT
MARTINO, Márcio Dalla Valle et al. Analog performance of vertical nanowire TFETs as a function of temperature and transport mechanism. Solid-State Electronics, v. 112, p. 51-55, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.02.006. Acesso em: 24 nov. 2025.
APA
Martino, M. D. V., Thean, A., Claeys, C., Neves, F. S., Agopian, P. G. D., Martino, J. A., et al. (2015). Analog performance of vertical nanowire TFETs as a function of temperature and transport mechanism. Solid-State Electronics, 112, 51-55. doi:10.1016/j.sse.2015.02.006
NLM
Martino MDV, Thean A, Claeys C, Neves FS, Agopian PGD, Martino JA, Vandooren A, Rooyackers R, Simoen E. Analog performance of vertical nanowire TFETs as a function of temperature and transport mechanism [Internet]. Solid-State Electronics. 2015 ; 112 51-55.[citado 2025 nov. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.02.006
Vancouver
Martino MDV, Thean A, Claeys C, Neves FS, Agopian PGD, Martino JA, Vandooren A, Rooyackers R, Simoen E. Analog performance of vertical nanowire TFETs as a function of temperature and transport mechanism [Internet]. Solid-State Electronics. 2015 ; 112 51-55.[citado 2025 nov. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.02.006
Artigo de periodico
Nanowire Tunnel Field Effect Transistors at High Temperature (2013)
Martino, Márcio Dalla Valle; Neves, Felipe Souza; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio ; Rooyackers, Rita; Claeys, Cor
Fonte: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP
Assunto: NANOELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINO, Márcio Dalla Valle et al. Nanowire Tunnel Field Effect Transistors at High Temperature. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 8, n. 2, p. 110-115, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v8i2.381. Acesso em: 24 nov. 2025.
APA
Martino, M. D. V., Neves, F. S., Agopian, P. G. D., Martino, J. A., Rooyackers, R., & Claeys, C. (2013). Nanowire Tunnel Field Effect Transistors at High Temperature. Journal of Integrated Circuits and Systems, 8( 2), 110-115. doi:10.29292/jics.v8i2.381
NLM
Martino MDV, Neves FS, Agopian PGD, Martino JA, Rooyackers R, Claeys C. Nanowire Tunnel Field Effect Transistors at High Temperature [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2013 ;8( 2): 110-115.[citado 2025 nov. 24 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v8i2.381
Vancouver
Martino MDV, Neves FS, Agopian PGD, Martino JA, Rooyackers R, Claeys C. Nanowire Tunnel Field Effect Transistors at High Temperature [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2013 ;8( 2): 110-115.[citado 2025 nov. 24 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v8i2.381
Dissertação (Mestrado)
Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo (2012)
Martino, Márcio Dalla Valle; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINO, Márcio Dalla Valle. Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo. 2012. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2012. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16112012-164339/. Acesso em: 24 nov. 2025.
APA
Martino, M. D. V. (2012). Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16112012-164339/
NLM
Martino MDV. Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo [Internet]. 2012 ;[citado 2025 nov. 24 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16112012-164339/
Vancouver
Martino MDV. Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo [Internet]. 2012 ;[citado 2025 nov. 24 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16112012-164339/
Artigo de periodico
Cross-section features influence on surrounding MuGFETs (2010)
Martino, Márcio Dalla Valle; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio
Fonte: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINO, Márcio Dalla Valle e AGOPIAN, Paula Ghedini Der e MARTINO, João Antonio. Cross-section features influence on surrounding MuGFETs. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 91-98, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3474146. Acesso em: 24 nov. 2025.
APA
Martino, M. D. V., Agopian, P. G. D., & Martino, J. A. (2010). Cross-section features influence on surrounding MuGFETs. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 91-98. doi:10.1149/1.3474146
NLM
Martino MDV, Agopian PGD, Martino JA. Cross-section features influence on surrounding MuGFETs [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 91-98.[citado 2025 nov. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474146
Vancouver
Martino MDV, Agopian PGD, Martino JA. Cross-section features influence on surrounding MuGFETs [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 91-98.[citado 2025 nov. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474146

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