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  • Artigo de periodico

    Temperature influence on analog parameters of vertical nanowire transistors (2025)

    Venuto, Vanessa Cristina Pereira da Silva ; Ribeiro, Arllen dos Reis; Martino, João Antonio ; Veloso, Anabela; Horiguchi, Naoto; Agopian, Paula Ghedini Der

    Fonte: Solid State Electronics. Unidades: EESC, EP

    Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA

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    • ABNT

      VENUTO, Vanessa Cristina Pereira da Silva et al. Temperature influence on analog parameters of vertical nanowire transistors. Solid State Electronics, v. 229, p. 1-5, 2025Tradução . . Disponível em: https://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2025.109206. Acesso em: 27 nov. 2025.

    • APA

      Venuto, V. C. P. da S., Ribeiro, A. dos R., Martino, J. A., Veloso, A., Horiguchi, N., & Agopian, P. G. D. (2025). Temperature influence on analog parameters of vertical nanowire transistors. Solid State Electronics, 229, 1-5. doi:10.1016/j.sse.2025.109206

    • NLM

      Venuto VCP da S, Ribeiro A dos R, Martino JA, Veloso A, Horiguchi N, Agopian PGD. Temperature influence on analog parameters of vertical nanowire transistors [Internet]. Solid State Electronics. 2025 ; 229 1-5.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2025.109206

    • Vancouver

      Venuto VCP da S, Ribeiro A dos R, Martino JA, Veloso A, Horiguchi N, Agopian PGD. Temperature influence on analog parameters of vertical nanowire transistors [Internet]. Solid State Electronics. 2025 ; 229 1-5.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2025.109206

  • Artigo de periodico

    An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET (2024)

    Yojo, Leonardo Shimizu; Rangel, R C; Duarte, Pedro Henrique; Sasaki, Kátia Regina Akemi ; Martino, João Antonio

    Fonte: Solid State Electronics. Unidade: EP

    Assuntos: GLICOSE, DRENAGEM, TRANSISTORES

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    • ABNT

      YOJO, Leonardo Shimizu et al. An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET. Solid State Electronics, v. 211, n. Ja 2024, p. 1-6, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108830. Acesso em: 27 nov. 2025.

    • APA

      Yojo, L. S., Rangel, R. C., Duarte, P. H., Sasaki, K. R. A., & Martino, J. A. (2024). An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET. Solid State Electronics, 211( Ja 2024), 1-6. doi:10.1016/j.sse.2023.108830

    • NLM

      Yojo LS, Rangel RC, Duarte PH, Sasaki KRA, Martino JA. An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET [Internet]. Solid State Electronics. 2024 ;211( Ja 2024): 1-6.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108830

    • Vancouver

      Yojo LS, Rangel RC, Duarte PH, Sasaki KRA, Martino JA. An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET [Internet]. Solid State Electronics. 2024 ;211( Ja 2024): 1-6.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108830

  • Artigo de periodico

    Study of ISFET for KCl sensing (2024)

    Duarte, Pedro Henrique; Rangel, Ricardo Cardoso; Sasaki, Kátia Regina Akemi ; Martino, João Antonio

    Fonte: Solid State Electronics. Unidade: EP

    Assuntos: TRANSISTORES, PERÓXIDO DE HIDROGÊNIO, SENSORES BIOMÉDICOS

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    • ABNT

      DUARTE, Pedro Henrique et al. Study of ISFET for KCl sensing. Solid State Electronics, v. 219, p. 1-5, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2024.108974. Acesso em: 27 nov. 2025.

    • APA

      Duarte, P. H., Rangel, R. C., Sasaki, K. R. A., & Martino, J. A. (2024). Study of ISFET for KCl sensing. Solid State Electronics, 219, 1-5. doi:10.1016/j.sse.2024.108974

    • NLM

      Duarte PH, Rangel RC, Sasaki KRA, Martino JA. Study of ISFET for KCl sensing [Internet]. Solid State Electronics. 2024 ; 219 1-5.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2024.108974

    • Vancouver

      Duarte PH, Rangel RC, Sasaki KRA, Martino JA. Study of ISFET for KCl sensing [Internet]. Solid State Electronics. 2024 ; 219 1-5.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2024.108974

  • Artigo de periodico

    Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications (2023)

    Perina, Welder Fernandes; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Peralagu, Uthayasankaran; Collaert, Nadine ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Fonte: Solid State Electronics. Unidade: EP

    Assuntos: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      PERINA, Welder Fernandes et al. Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications. Solid State Electronics, v. 208, p. 1-4, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742. Acesso em: 27 nov. 2025.

    • APA

      Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Peralagu, U., Collaert, N., & Agopian, P. G. D. (2023). Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications. Solid State Electronics, 208, 1-4. doi:10.1016/j.sse.2023.108742

    • NLM

      Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742

    • Vancouver

      Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742

  • Trabalho de evento

    Low-cost ultraviolet radiation sensor using epoxy-resin optical filters over MOS photodiodes (2023)

    Santos, Fernando L Nogueira; Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Martino, João Antonio

    Fonte: SBMicro. Nome do evento: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Assuntos: SENSOR, RADIAÇÃO ULTRAVIOLETA

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    • ABNT

      SANTOS, Fernando L Nogueira e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos e MARTINO, João Antonio. Low-cost ultraviolet radiation sensor using epoxy-resin optical filters over MOS photodiodes. 2023, Anais.. [Piscataway]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302558. Acesso em: 27 nov. 2025.

    • APA

      Santos, F. L. N., Santos Filho, S. G. dos, & Martino, J. A. (2023). Low-cost ultraviolet radiation sensor using epoxy-resin optical filters over MOS photodiodes. In SBMicro. [Piscataway]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302558

    • NLM

      Santos FLN, Santos Filho SG dos, Martino JA. Low-cost ultraviolet radiation sensor using epoxy-resin optical filters over MOS photodiodes [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302558

    • Vancouver

      Santos FLN, Santos Filho SG dos, Martino JA. Low-cost ultraviolet radiation sensor using epoxy-resin optical filters over MOS photodiodes [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302558

  • Artigo de periodico

    ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing (2023)

    Duarte, Pedro Henrique; Rangel, Ricardo Cardoso; Ramos, Daniel Augusto; Yojo, Leonardo Shimizu; Mori, Carlos Augusto Bergfeld; Sasaki, Katia Regina Akemi; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio

    Fonte: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP

    Assuntos: TRANSISTORES, SOLUÇÕES

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    • ABNT

      DUARTE, Pedro Henrique et al. ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 18, n. 1, p. 1-4, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.646. Acesso em: 27 nov. 2025.

    • APA

      Duarte, P. H., Rangel, R. C., Ramos, D. A., Yojo, L. S., Mori, C. A. B., Sasaki, K. R. A., et al. (2023). ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing. Journal of Integrated Circuits and Systems, 18( 1), 1-4. doi:10.29292/jics.v18i1.646

    • NLM

      Duarte PH, Rangel RC, Ramos DA, Yojo LS, Mori CAB, Sasaki KRA, Agopian PGD, Martino JA. ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2023 ; 18( 1): 1-4.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.646

    • Vancouver

      Duarte PH, Rangel RC, Ramos DA, Yojo LS, Mori CAB, Sasaki KRA, Agopian PGD, Martino JA. ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2023 ; 18( 1): 1-4.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.646

  • Artigo de periodico

    Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies (2023)

    Toledo, Rodrigo do Nascimento; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Fonte: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP

    Assuntos: CIRCUITOS ANALÓGICOS, TRANSISTORES

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    • ABNT

      TOLEDO, Rodrigo do Nascimento e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies. Semiconductor Science and Technology, v. 38, n. 9, p. 1-12, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aceb84. Acesso em: 27 nov. 2025.

    • APA

      Toledo, R. do N., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies. Semiconductor Science and Technology, 38( 9), 1-12. doi:10.1088/1361-6641/aceb84

    • NLM

      Toledo R do N, Martino JA, Agopian PGD. Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2023 ; 38( 9): 1-12.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aceb84

    • Vancouver

      Toledo R do N, Martino JA, Agopian PGD. Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2023 ; 38( 9): 1-12.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aceb84

  • Artigo de periodico

    Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications (2023)

    Silva, V C P; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Veloso, Anabela; Agopian, Paula Ghedini Der

    Fonte: Solid State Electronics. Unidade: EP

    Assuntos: TRANSISTORES, TEMPERATURA, NANOTECNOLOGIA, CIRCUITOS ANALÓGICOS, CIRCUITOS DIGITAIS

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SILVA, V C P et al. Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications. Solid State Electronics, v. 208, p. 1-5, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108729. Acesso em: 27 nov. 2025.

    • APA

      Silva, V. C. P., Martino, J. A., Simoen, E., Veloso, A., & Agopian, P. G. D. (2023). Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications. Solid State Electronics, 208, 1-5. doi:10.1016/j.sse.2023.108729

    • NLM

      Silva VCP, Martino JA, Simoen E, Veloso A, Agopian PGD. Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ;208 1-5.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108729

    • Vancouver

      Silva VCP, Martino JA, Simoen E, Veloso A, Agopian PGD. Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ;208 1-5.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108729

  • Artigo de periodico

    Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis (2023)

    Silva, Wenita de Lima; Toledo, Rodrigo do Nascimento; Gonçalez Filho, Walter; Nogueira, Alexandro de Moraes; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio

    Fonte: Solid State Electronics. Unidade: EP

    Assuntos: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, NANOTECNOLOGIA

    PrivadoAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SILVA, Wenita de Lima et al. Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis. Solid State Electronics, v. 202, p. 1-8, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108611. Acesso em: 27 nov. 2025.

    • APA

      Silva, W. de L., Toledo, R. do N., Gonçalez Filho, W., Nogueira, A. de M., Agopian, P. G. D., & Martino, J. A. (2023). Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis. Solid State Electronics, 202, 1-8. doi:10.1016/j.sse.2023.108611

    • NLM

      Silva W de L, Toledo R do N, Gonçalez Filho W, Nogueira A de M, Agopian PGD, Martino JA. Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 202 1-8.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108611

    • Vancouver

      Silva W de L, Toledo R do N, Gonçalez Filho W, Nogueira A de M, Agopian PGD, Martino JA. Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 202 1-8.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108611

  • Trabalho de evento

    Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs (2023)

    Araújo, Gustavo Vinicius de; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Fonte: SBMicro. Nome do evento: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Assuntos: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, MICROELETRÔNICA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ARAÚJO, Gustavo Vinicius de e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302603. Acesso em: 27 nov. 2025.

    • APA

      Araújo, G. V. de, Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302603

    • NLM

      Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302603

    • Vancouver

      Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302603

  • Artigo de periodico

    Fractional-order MOS capacitor: experimental results and Monte Carlo analysis (2023)

    Fernandes, Lucas Almir dos Santos; Alayo Chávez, Marco Isaías ; Martino, João Antonio

    Fonte: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP

    Assuntos: FRACTAIS, SIMULAÇÃO, AVALIAÇÃO DE DESEMPENHO

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      FERNANDES, Lucas Almir dos Santos e ALAYO CHÁVEZ, Marco Isaías e MARTINO, João Antonio. Fractional-order MOS capacitor: experimental results and Monte Carlo analysis. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 18, n. 1, p. 1-5, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.660. Acesso em: 27 nov. 2025.

    • APA

      Fernandes, L. A. dos S., Alayo Chávez, M. I., & Martino, J. A. (2023). Fractional-order MOS capacitor: experimental results and Monte Carlo analysis. Journal of Integrated Circuits and Systems, 18( 1), 1-5. doi:10.29292/jics.v18i1.660

    • NLM

      Fernandes LA dos S, Alayo Chávez MI, Martino JA. Fractional-order MOS capacitor: experimental results and Monte Carlo analysis [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2023 ; 18( 1): 1-5.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.660

    • Vancouver

      Fernandes LA dos S, Alayo Chávez MI, Martino JA. Fractional-order MOS capacitor: experimental results and Monte Carlo analysis [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2023 ; 18( 1): 1-5.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.660

  • Trabalho de evento

    Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET (2023)

    Ramos, Daniel Augusto; Sasaki, Kátia Regina Akemi ; Rangel, Ricardo Cardoso; Duarte, Pedro Henrique; Martino, João Antonio

    Fonte: SBMicro. Nome do evento: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Assuntos: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA

    PrivadoAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      RAMOS, Daniel Augusto et al. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644. Acesso em: 27 nov. 2025.

    • APA

      Ramos, D. A., Sasaki, K. R. A., Rangel, R. C., Duarte, P. H., & Martino, J. A. (2023). Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302644

    • NLM

      Ramos DA, Sasaki KRA, Rangel RC, Duarte PH, Martino JA. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644

    • Vancouver

      Ramos DA, Sasaki KRA, Rangel RC, Duarte PH, Martino JA. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644

  • Trabalho de evento

    Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET (2023)

    Ribeiro, Arllen D.R; Araújo, Gustavo Vinicius de; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Fonte: SBMicro. Nome do evento: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Assuntos: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA

    PrivadoAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      RIBEIRO, Arllen D.R et al. Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302575. Acesso em: 27 nov. 2025.

    • APA

      Ribeiro, A. D. R., Araújo, G. V. de, Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302575

    • NLM

      Ribeiro ADR, Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302575

    • Vancouver

      Ribeiro ADR, Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302575

  • Trabalho de evento

    Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms (2023)

    Canales, Bruno Godoy; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Fonte: SBMicro. Nome do evento: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: EP

    Assuntos: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CANALES, Bruno Godoy e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms. 2023, Anais.. [Piscataway]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302593. Acesso em: 27 nov. 2025.

    • APA

      Canales, B. G., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms. In SBMicro. [Piscataway]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302593

    • NLM

      Canales BG, Martino JA, Agopian PGD. Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302593

    • Vancouver

      Canales BG, Martino JA, Agopian PGD. Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302593

  • Trabalho de evento

    Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K (2023)

    Perina, Welder Fernandes; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Peralagu, Uthayasankaran; Collaert, Nadine ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Fonte: SBMicro. Nome do evento: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Assuntos: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PERINA, Welder Fernandes et al. Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302604. Acesso em: 27 nov. 2025.

    • APA

      Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Peralagu, U., Collaert, N., & Agopian, P. G. D. (2023). Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302604

    • NLM

      Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302604

    • Vancouver

      Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302604

  • Artigo de periodico

    Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications (2023)

    Perina, Welder Fernandes; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Peralagu, Uthayasankaran; Collaert, Nadine ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Fonte: Solid State Electronics. Unidade: EP

    Assuntos: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, TEMPERATURA

    PrivadoAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PERINA, Welder Fernandes et al. Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications. Solid State Electronics, v. 208, p. 1-4, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742. Acesso em: 27 nov. 2025.

    • APA

      Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Peralagu, U., Collaert, N., & Agopian, P. G. D. (2023). Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications. Solid State Electronics, 208, 1-4. doi:10.1016/j.sse.2023.108742

    • NLM

      Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742

    • Vancouver

      Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742

  • Artigo de periodico

    Back gate bias influence on BESOI ISFET sensitivity (2023)

    Duarte, Pedro Henrique; Rangel, Ricardo Cardoso; Ramos, Daniel Augusto; Yojo, Leonardo Shimizu; Sasaki, Kátia Regina Akemi ; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio

    Fonte: ECS Transactions. Unidade: EP

    Assuntos: ELETRODO, REFRATÁRIOS, METALOGRAFIA

    Acesso à fonteDOIComo citar
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    • ABNT

      DUARTE, Pedro Henrique et al. Back gate bias influence on BESOI ISFET sensitivity. ECS Transactions, v. 111, n. 1, p. 279-284, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/11101.0279ecst. Acesso em: 27 nov. 2025.

    • APA

      Duarte, P. H., Rangel, R. C., Ramos, D. A., Yojo, L. S., Sasaki, K. R. A., Agopian, P. G. D., & Martino, J. A. (2023). Back gate bias influence on BESOI ISFET sensitivity. ECS Transactions, 111( 1), 279-284. doi:10.1149/11101.0279ecst

    • NLM

      Duarte PH, Rangel RC, Ramos DA, Yojo LS, Sasaki KRA, Agopian PGD, Martino JA. Back gate bias influence on BESOI ISFET sensitivity [Internet]. ECS Transactions. 2023 ; 111( 1): 279-284.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1149/11101.0279ecst

    • Vancouver

      Duarte PH, Rangel RC, Ramos DA, Yojo LS, Sasaki KRA, Agopian PGD, Martino JA. Back gate bias influence on BESOI ISFET sensitivity [Internet]. ECS Transactions. 2023 ; 111( 1): 279-284.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1149/11101.0279ecst

  • Artigo de periodico

    MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics (2023)

    Canales, Bruno Godoy; Perina, Welder Fernandes; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Peralagu, Uthayasankaran; Collaert, Nadine ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Fonte: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP

    Assuntos: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CANALES, Bruno Godoy et al. MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics. Semiconductor Science and Technology, v. 38, n. 11, p. 1-6, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6641/acfa1f. Acesso em: 27 nov. 2025.

    • APA

      Canales, B. G., Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Peralagu, U., Collaert, N., & Agopian, P. G. D. (2023). MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics. Semiconductor Science and Technology, 38( 11), 1-6. doi:10.1088/1361-6641/acfa1f

    • NLM

      Canales BG, Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2023 ; 38( 11): 1-6.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/acfa1f

    • Vancouver

      Canales BG, Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2023 ; 38( 11): 1-6.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/acfa1f

  • Artigo de periodico

    Low-dropout voltage regulator designed with nanowire TFET with different source composition experimental data (2023)

    Toledo, Rodrigo do Nascimento; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Fonte: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP

    Assuntos: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, NANOTECNOLOGIA

    PrivadoAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      TOLEDO, Rodrigo do Nascimento e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Low-dropout voltage regulator designed with nanowire TFET with different source composition experimental data. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 18, n. 1, p. 1-6, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.653. Acesso em: 27 nov. 2025.

    • APA

      Toledo, R. do N., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Low-dropout voltage regulator designed with nanowire TFET with different source composition experimental data. Journal of Integrated Circuits and Systems, 18( 1), 1-6. doi:10.29292/jics.v18il.653

    • NLM

      Toledo R do N, Martino JA, Agopian PGD. Low-dropout voltage regulator designed with nanowire TFET with different source composition experimental data [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2023 ;18( 1): 1-6.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.653

    • Vancouver

      Toledo R do N, Martino JA, Agopian PGD. Low-dropout voltage regulator designed with nanowire TFET with different source composition experimental data [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2023 ;18( 1): 1-6.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.653

  • Artigo de periodico

    Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data (2022)

    Toledo, Rodrigo do Nascimento; Silva, Wenita de Lima; Gonçalez Filho, Walter; Nogueira, Alexandro de Moraes; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Fonte: Solid State Electronics. Unidade: EP

    Assuntos: TRANSISTORES, CONDUTIVIDADE ELÉTRICA

    PrivadoAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      TOLEDO, Rodrigo do Nascimento et al. Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data. Solid State Electronics, v. 194, p. 1-4, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108328. Acesso em: 27 nov. 2025.

    • APA

      Toledo, R. do N., Silva, W. de L., Gonçalez Filho, W., Nogueira, A. de M., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2022). Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data. Solid State Electronics, 194, 1-4. doi:10.1016/j.sse.2022.108328

    • NLM

      Toledo R do N, Silva W de L, Gonçalez Filho W, Nogueira A de M, Martino JA, Agopian PGD. Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ; 194 1-4.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108328

    • Vancouver

      Toledo R do N, Silva W de L, Gonçalez Filho W, Nogueira A de M, Martino JA, Agopian PGD. Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ; 194 1-4.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108328

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