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Dissertação (Mestrado)
Otimização de células fotovoltaicas baseadas em pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs (2025)
Souza, Lucas Andrade Teixeira de ; Quivy, Alain André (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: CÉLULAS SOLARES, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
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ABNT
SOUZA, Lucas Andrade Teixeira de. Otimização de células fotovoltaicas baseadas em pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs. 2025. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2025. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-07032025-122219/. Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Souza, L. A. T. de. (2025). Otimização de células fotovoltaicas baseadas em pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-07032025-122219/
NLM
Souza LAT de. Otimização de células fotovoltaicas baseadas em pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs [Internet]. 2025 ;[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-07032025-122219/
Vancouver
Souza LAT de. Otimização de células fotovoltaicas baseadas em pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs [Internet]. 2025 ;[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-07032025-122219/
Artigo de periodico
Influence of carrier localization on photoluminescence emission from sub-monolayer quantum dot layers (2024)
Huang, T.-Y. ; Borrely, T ; Yang, Y.-C. ; Alzeidan, A. ; Jacobsen, G. M. ; Teodoro, M. D. ; Quivy, Alain André ; Goldman, R. S.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, CÉLULAS SOLARES, FOTOLUMINESCÊNCIA, LASER DO ESTADO SÓLIDO
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ABNT
HUANG, T.-Y. et al. Influence of carrier localization on photoluminescence emission from sub-monolayer quantum dot layers. Applied Physics Letters, v. 125, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/5.0219815. Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Huang, T. -Y., Borrely, T., Yang, Y. -C., Alzeidan, A., Jacobsen, G. M., Teodoro, M. D., et al. (2024). Influence of carrier localization on photoluminescence emission from sub-monolayer quantum dot layers. Applied Physics Letters, 125. doi:10.1063/5.0219815
NLM
Huang T-Y, Borrely T, Yang Y-C, Alzeidan A, Jacobsen GM, Teodoro MD, Quivy AA, Goldman RS. Influence of carrier localization on photoluminescence emission from sub-monolayer quantum dot layers [Internet]. Applied Physics Letters. 2024 ; 125[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0219815
Vancouver
Huang T-Y, Borrely T, Yang Y-C, Alzeidan A, Jacobsen GM, Teodoro MD, Quivy AA, Goldman RS. Influence of carrier localization on photoluminescence emission from sub-monolayer quantum dot layers [Internet]. Applied Physics Letters. 2024 ; 125[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0219815
Artigo de periodico
High-detectivity infrared photodetector based onInAs submonolayer quantum dots grown onGaAs(001) with a 2 × 4 surface reconstruction (2024)
Alzeidan, Ahmad ; Cantalice, Tiago Fernandes de ; Sautter, K E; Vallejo, K D; Simmonds, P J; Quivy, Alain André
Source: Sensors and Actuators A: Physical. Unidade: IF
Assunto: FOTODETECTORES
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ABNT
ALZEIDAN, Ahmad et al. High-detectivity infrared photodetector based onInAs submonolayer quantum dots grown onGaAs(001) with a 2 × 4 surface reconstruction. Sensors and Actuators A: Physical, v. 374, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sna.2024.115464. Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Alzeidan, A., Cantalice, T. F. de, Sautter, K. E., Vallejo, K. D., Simmonds, P. J., & Quivy, A. A. (2024). High-detectivity infrared photodetector based onInAs submonolayer quantum dots grown onGaAs(001) with a 2 × 4 surface reconstruction. Sensors and Actuators A: Physical, 374. doi:10.1016/j.sna.2024.115464
NLM
Alzeidan A, Cantalice TF de, Sautter KE, Vallejo KD, Simmonds PJ, Quivy AA. High-detectivity infrared photodetector based onInAs submonolayer quantum dots grown onGaAs(001) with a 2 × 4 surface reconstruction [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2024 ; 374[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2024.115464
Vancouver
Alzeidan A, Cantalice TF de, Sautter KE, Vallejo KD, Simmonds PJ, Quivy AA. High-detectivity infrared photodetector based onInAs submonolayer quantum dots grown onGaAs(001) with a 2 × 4 surface reconstruction [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2024 ; 374[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2024.115464
Tese (Doutorado)
Optimization of InAs/GaAs submonolayer quantum dots grown on GaAs(001) with a (2×4) surface reconstruction for infrared photodetectors (2023)
Zeidan, Ahmad Al ; Quivy, Alain André (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, FOTODETECTORES, INFRAVERMELHO
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ABNT
ZEIDAN, Ahmad Al. Optimization of InAs/GaAs submonolayer quantum dots grown on GaAs(001) with a (2×4) surface reconstruction for infrared photodetectors. 2023. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-01082023-130331/. Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Zeidan, A. A. (2023). Optimization of InAs/GaAs submonolayer quantum dots grown on GaAs(001) with a (2×4) surface reconstruction for infrared photodetectors (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-01082023-130331/
NLM
Zeidan AA. Optimization of InAs/GaAs submonolayer quantum dots grown on GaAs(001) with a (2×4) surface reconstruction for infrared photodetectors [Internet]. 2023 ;[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-01082023-130331/
Vancouver
Zeidan AA. Optimization of InAs/GaAs submonolayer quantum dots grown on GaAs(001) with a (2×4) surface reconstruction for infrared photodetectors [Internet]. 2023 ;[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-01082023-130331/
Tese (Doutorado)
Viabilidade e desenvolvimento de células solares de banda intermediária baseadas em GaAs com pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs (2023)
Santos, Thales Borrely dos ; Quivy, Alain André (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: CÉLULAS SOLARES, NANOPARTÍCULAS, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
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ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos. Viabilidade e desenvolvimento de células solares de banda intermediária baseadas em GaAs com pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs. 2023. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-28062023-172027/. Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Santos, T. B. dos. (2023). Viabilidade e desenvolvimento de células solares de banda intermediária baseadas em GaAs com pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-28062023-172027/
NLM
Santos TB dos. Viabilidade e desenvolvimento de células solares de banda intermediária baseadas em GaAs com pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs [Internet]. 2023 ;[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-28062023-172027/
Vancouver
Santos TB dos. Viabilidade e desenvolvimento de células solares de banda intermediária baseadas em GaAs com pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs [Internet]. 2023 ;[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-28062023-172027/
Artigo de periodico
Detection of water contaminants by organic transistors as gas sensors in a bottom-gate/bottom-contact cross-linked structure (2023)
Izquierdo, Jose Enrique Eirez ; Cavallari, Marco Roberto ; García, Dennis Cabrera ; Fonseca, Fernando Josepetti ; Quivy, Alain André
Source: Sensors. Unidades: EP, IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FILMES FINOS, ESPECTROSCOPIA
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ABNT
IZQUIERDO, Jose Enrique Eirez et al. Detection of water contaminants by organic transistors as gas sensors in a bottom-gate/bottom-contact cross-linked structure. Sensors, v. 23, n. 18, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.3390/s23187981. Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Izquierdo, J. E. E., Cavallari, M. R., García, D. C., Fonseca, F. J., & Quivy, A. A. (2023). Detection of water contaminants by organic transistors as gas sensors in a bottom-gate/bottom-contact cross-linked structure. Sensors, 23( 18). doi:10.3390/s23187981
NLM
Izquierdo JEE, Cavallari MR, García DC, Fonseca FJ, Quivy AA. Detection of water contaminants by organic transistors as gas sensors in a bottom-gate/bottom-contact cross-linked structure [Internet]. Sensors. 2023 ; 23( 18):[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.3390/s23187981
Vancouver
Izquierdo JEE, Cavallari MR, García DC, Fonseca FJ, Quivy AA. Detection of water contaminants by organic transistors as gas sensors in a bottom-gate/bottom-contact cross-linked structure [Internet]. Sensors. 2023 ; 23( 18):[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.3390/s23187981
Dissertação (Mestrado)
Cobertura de pontos quânticos de InAs pela técnica de epitaxia por migração aumentada (2023)
Curbelo, Victor Manuel Orlando ; Quivy, Alain André (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, CÉLULAS SOLARES, NANOPARTÍCULAS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CURBELO, Victor Manuel Orlando. Cobertura de pontos quânticos de InAs pela técnica de epitaxia por migração aumentada. 2023. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-07082023-102637/. Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Curbelo, V. M. O. (2023). Cobertura de pontos quânticos de InAs pela técnica de epitaxia por migração aumentada (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-07082023-102637/
NLM
Curbelo VMO. Cobertura de pontos quânticos de InAs pela técnica de epitaxia por migração aumentada [Internet]. 2023 ;[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-07082023-102637/
Vancouver
Curbelo VMO. Cobertura de pontos quânticos de InAs pela técnica de epitaxia por migração aumentada [Internet]. 2023 ;[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-07082023-102637/
Tese (Doutorado)
Influência da segregação dos átomos de Índio sobre o desempenho de fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamadas de InAs/GaAs (2023)
Cantalice, Tiago Fernandes de ; Quivy, Alain André (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, NANOPARTÍCULAS, RUGOSIDADE SUPERFICIAL, INSTRUMENTO ÓPTICO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CANTALICE, Tiago Fernandes de. Influência da segregação dos átomos de Índio sobre o desempenho de fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamadas de InAs/GaAs. 2023. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-17072023-083140/. Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Cantalice, T. F. de. (2023). Influência da segregação dos átomos de Índio sobre o desempenho de fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamadas de InAs/GaAs (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-17072023-083140/
NLM
Cantalice TF de. Influência da segregação dos átomos de Índio sobre o desempenho de fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamadas de InAs/GaAs [Internet]. 2023 ;[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-17072023-083140/
Vancouver
Cantalice TF de. Influência da segregação dos átomos de Índio sobre o desempenho de fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamadas de InAs/GaAs [Internet]. 2023 ;[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-17072023-083140/
Artigo de periodico
Viability of intermediate band solar cells based on InAs/GaAs submonolayer quantum dots and the role of surface reconstruction (2023)
Santos, Thales Borrely dos ; Alzeidan, Ahmad ; Lima, Marcelo Delmondes de; Jacobsen, Gabriel Marques ; Huang, T Y; Yang, Y C; Cantalice, Tiago Fernandes de ; Goldman, R S; Teodoro, M D; Quivy, Alain André
Source: Solar Energy Materials and Solar Cells. Unidade: IF
Assunto: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos et al. Viability of intermediate band solar cells based on InAs/GaAs submonolayer quantum dots and the role of surface reconstruction. Solar Energy Materials and Solar Cells, v. 254, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.solmat.2023.112281. Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Santos, T. B. dos, Alzeidan, A., Lima, M. D. de, Jacobsen, G. M., Huang, T. Y., Yang, Y. C., et al. (2023). Viability of intermediate band solar cells based on InAs/GaAs submonolayer quantum dots and the role of surface reconstruction. Solar Energy Materials and Solar Cells, 254. doi:10.1016/j.solmat.2023.112281
NLM
Santos TB dos, Alzeidan A, Lima MD de, Jacobsen GM, Huang TY, Yang YC, Cantalice TF de, Goldman RS, Teodoro MD, Quivy AA. Viability of intermediate band solar cells based on InAs/GaAs submonolayer quantum dots and the role of surface reconstruction [Internet]. Solar Energy Materials and Solar Cells. 2023 ; 254[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.solmat.2023.112281
Vancouver
Santos TB dos, Alzeidan A, Lima MD de, Jacobsen GM, Huang TY, Yang YC, Cantalice TF de, Goldman RS, Teodoro MD, Quivy AA. Viability of intermediate band solar cells based on InAs/GaAs submonolayer quantum dots and the role of surface reconstruction [Internet]. Solar Energy Materials and Solar Cells. 2023 ; 254[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.solmat.2023.112281
Trabalho de evento
On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices (2022)
Santos, Thales Borrely dos ; Huang, Tao-Yu; Yang, Yu-Chen; Goldman, Rachel S; Quivy, Alain André
Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: IF
Subjects: TOMOGRAFIA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos et al. On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices. 2022, Anais.. New York: IEEE, 2022. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039. Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Santos, T. B. dos, Huang, T. -Y., Yang, Y. -C., Goldman, R. S., & Quivy, A. A. (2022). On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices. In . New York: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039
NLM
Santos TB dos, Huang T-Y, Yang Y-C, Goldman RS, Quivy AA. On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices [Internet]. 2022 ;[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039
Vancouver
Santos TB dos, Huang T-Y, Yang Y-C, Goldman RS, Quivy AA. On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices [Internet]. 2022 ;[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039
Trabalho de evento
Influence of the InAs coverage on the performance of submonolayer-quantum-dot infrared photodetectors grown with a (2×4) surface reconstruction (2022)
Alzeidan, Ahmad; Cantalice, Tiago Fernandes de ; Vallejo, Kevin. D; Simmonds, Paul J; Quivy, Alain André
Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: IF
Assunto: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALZEIDAN, Ahmad et al. Influence of the InAs coverage on the performance of submonolayer-quantum-dot infrared photodetectors grown with a (2×4) surface reconstruction. 2022, Anais.. New York: IEEE, 2022. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro50945.2021.9585765. Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Alzeidan, A., Cantalice, T. F. de, Vallejo, K. D., Simmonds, P. J., & Quivy, A. A. (2022). Influence of the InAs coverage on the performance of submonolayer-quantum-dot infrared photodetectors grown with a (2×4) surface reconstruction. In . New York: IEEE. doi:10.1109/SBMicro50945.2021.9585765
NLM
Alzeidan A, Cantalice TF de, Vallejo KD, Simmonds PJ, Quivy AA. Influence of the InAs coverage on the performance of submonolayer-quantum-dot infrared photodetectors grown with a (2×4) surface reconstruction [Internet]. 2022 ;[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro50945.2021.9585765
Vancouver
Alzeidan A, Cantalice TF de, Vallejo KD, Simmonds PJ, Quivy AA. Influence of the InAs coverage on the performance of submonolayer-quantum-dot infrared photodetectors grown with a (2×4) surface reconstruction [Internet]. 2022 ;[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro50945.2021.9585765
Trabalho de evento-resumo
INFLUENCE OF THE ARSENIC FLUX ON THE PERFORMANCE OF INFRARED PHOTODETECTORS BASED ON InAs SUBMONOLAYER QUANTUM DOTS (2022)
Alzeidan, Ahmad ; Cantalice, Tiago Fernandes de ; Quivy, Alain André
Source: Resumos. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física. Unidade: IF
Subjects: FOTODETECTORES, ARSÊNIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALZEIDAN, Ahmad e CANTALICE, Tiago Fernandes de e QUIVY, Alain André. INFLUENCE OF THE ARSENIC FLUX ON THE PERFORMANCE OF INFRARED PHOTODETECTORS BASED ON InAs SUBMONOLAYER QUANTUM DOTS. 2022, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2022. . Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Alzeidan, A., Cantalice, T. F. de, & Quivy, A. A. (2022). INFLUENCE OF THE ARSENIC FLUX ON THE PERFORMANCE OF INFRARED PHOTODETECTORS BASED ON InAs SUBMONOLAYER QUANTUM DOTS. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Alzeidan A, Cantalice TF de, Quivy AA. INFLUENCE OF THE ARSENIC FLUX ON THE PERFORMANCE OF INFRARED PHOTODETECTORS BASED ON InAs SUBMONOLAYER QUANTUM DOTS. Resumos. 2022 ;[citado 2025 dez. 04 ]
Vancouver
Alzeidan A, Cantalice TF de, Quivy AA. INFLUENCE OF THE ARSENIC FLUX ON THE PERFORMANCE OF INFRARED PHOTODETECTORS BASED ON InAs SUBMONOLAYER QUANTUM DOTS. Resumos. 2022 ;[citado 2025 dez. 04 ]
Trabalho de evento
Capping of InAs quantum dots by migration enhanced epitaxy (2022)
Curbelo, Victor Manuel Orlando; Alzeidan, Ahmad; Quivy, Alain André
Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: IF
Assunto: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CURBELO, Victor Manuel Orlando e ALZEIDAN, Ahmad e QUIVY, Alain André. Capping of InAs quantum dots by migration enhanced epitaxy. 2022, Anais.. New York: IEEE, 2022. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881016. Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Curbelo, V. M. O., Alzeidan, A., & Quivy, A. A. (2022). Capping of InAs quantum dots by migration enhanced epitaxy. In . New York: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9881016
NLM
Curbelo VMO, Alzeidan A, Quivy AA. Capping of InAs quantum dots by migration enhanced epitaxy [Internet]. 2022 ;[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881016
Vancouver
Curbelo VMO, Alzeidan A, Quivy AA. Capping of InAs quantum dots by migration enhanced epitaxy [Internet]. 2022 ;[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881016
Artigo de periodico
Evidence of weak strain field in InAs/GaAs submonolayer quantum dots (2022)
Cantalice, Tiago Fernandes de ; Alzeidan, Ahmad ; Jacobsen, G M ; Santos, Thales Borrely dos ; Teodoro, M D ; Quivy, Alain André
Source: Micro and Nanostructures. Unidade: IF
Assunto: POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CANTALICE, Tiago Fernandes de et al. Evidence of weak strain field in InAs/GaAs submonolayer quantum dots. Micro and Nanostructures, v. 172, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.micrna.2022.207449. Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Cantalice, T. F. de, Alzeidan, A., Jacobsen, G. M., Santos, T. B. dos, Teodoro, M. D., & Quivy, A. A. (2022). Evidence of weak strain field in InAs/GaAs submonolayer quantum dots. Micro and Nanostructures, 172. doi:10.1016/j.micrna.2022.207449
NLM
Cantalice TF de, Alzeidan A, Jacobsen GM, Santos TB dos, Teodoro MD, Quivy AA. Evidence of weak strain field in InAs/GaAs submonolayer quantum dots [Internet]. Micro and Nanostructures. 2022 ; 172[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.micrna.2022.207449
Vancouver
Cantalice TF de, Alzeidan A, Jacobsen GM, Santos TB dos, Teodoro MD, Quivy AA. Evidence of weak strain field in InAs/GaAs submonolayer quantum dots [Internet]. Micro and Nanostructures. 2022 ; 172[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.micrna.2022.207449
Artigo de periodico
Atomic-scale characterization of single and double layers of InAs and InAlAs Stranski-Krastanov quantum dots (2022)
Gajjela, Raja Sekhar Reddy ; Alzeidan, Ahmad ; Curbelo, Victor Manuel Orlando ; Quivy, Alain André ; koenraad, Paul M
Source: Physical Review Materials. Unidade: IF
Assunto: MICROSCOPIA DE FORÇA ATÔMICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GAJJELA, Raja Sekhar Reddy et al. Atomic-scale characterization of single and double layers of InAs and InAlAs Stranski-Krastanov quantum dots. Physical Review Materials, v. 6, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.6.114604. Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Gajjela, R. S. R., Alzeidan, A., Curbelo, V. M. O., Quivy, A. A., & koenraad, P. M. (2022). Atomic-scale characterization of single and double layers of InAs and InAlAs Stranski-Krastanov quantum dots. Physical Review Materials, 6. doi:10.1103/PhysRevMaterials.6.114604
NLM
Gajjela RSR, Alzeidan A, Curbelo VMO, Quivy AA, koenraad PM. Atomic-scale characterization of single and double layers of InAs and InAlAs Stranski-Krastanov quantum dots [Internet]. Physical Review Materials. 2022 ; 6[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.6.114604
Vancouver
Gajjela RSR, Alzeidan A, Curbelo VMO, Quivy AA, koenraad PM. Atomic-scale characterization of single and double layers of InAs and InAlAs Stranski-Krastanov quantum dots [Internet]. Physical Review Materials. 2022 ; 6[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.6.114604
Trabalho de evento-resumo
ON THE RELATION BETWEEN GROWTH, QUANTUM-DOT MORPHOLOGY, OPTOELECTRONIC PROPERTIES, AND PERFORMANCE IN InAs/GaAs QUANTUM DOT INTERMEDIATE BAND SOLAR CELL (2022)
Santos, Thales Borrely dos ; Alzeidan, Ahmad ; Quivy, Alain André ; Jacobsen, Gabriel Marques ; Teodoro, M D ; Gajjela, Raja Sekhar Reddy ; Hendriks, A L; Koenraad, P M
Source: Resumos. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física. Unidade: IF
Assunto: ÓPTICA ELETRÔNICA
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ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos et al. ON THE RELATION BETWEEN GROWTH, QUANTUM-DOT MORPHOLOGY, OPTOELECTRONIC PROPERTIES, AND PERFORMANCE IN InAs/GaAs QUANTUM DOT INTERMEDIATE BAND SOLAR CELL. 2022, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2022. . Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Santos, T. B. dos, Alzeidan, A., Quivy, A. A., Jacobsen, G. M., Teodoro, M. D., Gajjela, R. S. R., et al. (2022). ON THE RELATION BETWEEN GROWTH, QUANTUM-DOT MORPHOLOGY, OPTOELECTRONIC PROPERTIES, AND PERFORMANCE IN InAs/GaAs QUANTUM DOT INTERMEDIATE BAND SOLAR CELL. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Santos TB dos, Alzeidan A, Quivy AA, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gajjela RSR, Hendriks AL, Koenraad PM. ON THE RELATION BETWEEN GROWTH, QUANTUM-DOT MORPHOLOGY, OPTOELECTRONIC PROPERTIES, AND PERFORMANCE IN InAs/GaAs QUANTUM DOT INTERMEDIATE BAND SOLAR CELL. Resumos. 2022 ;[citado 2025 dez. 04 ]
Vancouver
Santos TB dos, Alzeidan A, Quivy AA, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gajjela RSR, Hendriks AL, Koenraad PM. ON THE RELATION BETWEEN GROWTH, QUANTUM-DOT MORPHOLOGY, OPTOELECTRONIC PROPERTIES, AND PERFORMANCE IN InAs/GaAs QUANTUM DOT INTERMEDIATE BAND SOLAR CELL. Resumos. 2022 ;[citado 2025 dez. 04 ]
Artigo de periodico
Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors (2022)
Alzeidan, A.; Cantalice, T. F.; Vallejo, K. D.; Gajjela, R. S. R.; Hendriks, A. L.; Simmonds, P. J.; Koenraad, P. M.; Quivy, Alain André
Source: Sensors and Actuators A: Physical. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA MODERNA, NANOTECNOLOGIA, MICROSCOPIA DE FORÇA ATÔMICA, RADIAÇÃO INFRAVERMELHA, FOTODETECTORES
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ABNT
ALZEIDAN, A. et al. Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors. Sensors and Actuators A: Physical, v. 334, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sna.2021.113357. Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Alzeidan, A., Cantalice, T. F., Vallejo, K. D., Gajjela, R. S. R., Hendriks, A. L., Simmonds, P. J., et al. (2022). Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors. Sensors and Actuators A: Physical, 334. doi:10.1016/j.sna.2021.113357
NLM
Alzeidan A, Cantalice TF, Vallejo KD, Gajjela RSR, Hendriks AL, Simmonds PJ, Koenraad PM, Quivy AA. Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2022 ; 334[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2021.113357
Vancouver
Alzeidan A, Cantalice TF, Vallejo KD, Gajjela RSR, Hendriks AL, Simmonds PJ, Koenraad PM, Quivy AA. Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2022 ; 334[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2021.113357
Trabalho de evento-anais periodico
Response testing of Schottky-barrier GaAs detectors with alpha particles (2022)
Pereira, M S; Aguiar, Vitor Ângelo Paulino de ; Alberton, Saulo Gabriel Pereira Nascimento ; Quivy, Alain André
Source: Journal of Physics: Conference Series. Conference titles: Brazilian Workshop on Nuclear Physics. Unidade: IF
Assunto: PARTÍCULAS (FÍSICA NUCLEAR)
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ABNT
PEREIRA, M S et al. Response testing of Schottky-barrier GaAs detectors with alpha particles. Journal of Physics: Conference Series. Bristol: IOP Publishing. Disponível em: https://doi.org/10.1088/1742-6596/2340/1/012050. Acesso em: 04 dez. 2025. , 2022
APA
Pereira, M. S., Aguiar, V. Â. P. de, Alberton, S. G. P. N., & Quivy, A. A. (2022). Response testing of Schottky-barrier GaAs detectors with alpha particles. Journal of Physics: Conference Series. Bristol: IOP Publishing. doi:10.1088/1742-6596/2340/1/012050
NLM
Pereira MS, Aguiar VÂP de, Alberton SGPN, Quivy AA. Response testing of Schottky-barrier GaAs detectors with alpha particles [Internet]. Journal of Physics: Conference Series. 2022 ; 2340[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1742-6596/2340/1/012050
Vancouver
Pereira MS, Aguiar VÂP de, Alberton SGPN, Quivy AA. Response testing of Schottky-barrier GaAs detectors with alpha particles [Internet]. Journal of Physics: Conference Series. 2022 ; 2340[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1742-6596/2340/1/012050
Trabalho de evento-resumo
IMPROVEMENT OF InAs QUANTUM DOTS USING MIGRATION ENHANCED EPITAXY (2022)
Curbelo, Victor Manuel Orlando ; Alzeidan, Ahmad ; Quivy, Alain André
Source: Resumos. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física. Unidade: IF
Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CURBELO, Victor Manuel Orlando e ALZEIDAN, Ahmad e QUIVY, Alain André. IMPROVEMENT OF InAs QUANTUM DOTS USING MIGRATION ENHANCED EPITAXY. 2022, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2022. . Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Curbelo, V. M. O., Alzeidan, A., & Quivy, A. A. (2022). IMPROVEMENT OF InAs QUANTUM DOTS USING MIGRATION ENHANCED EPITAXY. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Curbelo VMO, Alzeidan A, Quivy AA. IMPROVEMENT OF InAs QUANTUM DOTS USING MIGRATION ENHANCED EPITAXY. Resumos. 2022 ;[citado 2025 dez. 04 ]
Vancouver
Curbelo VMO, Alzeidan A, Quivy AA. IMPROVEMENT OF InAs QUANTUM DOTS USING MIGRATION ENHANCED EPITAXY. Resumos. 2022 ;[citado 2025 dez. 04 ]
Artigo de periodico
A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry (2021)
Malafronte, A. A.; Petri, A. R.; Gonçalves, J. A. C.; Barros, Suelen ; Bueno, Carmen ; Maidana, Nora Lia ; Mangiarotti, Alessio ; Martins, Marcos Nogueira ; Quivy, Alain André ; Vanin, Vito
Source: Radiation Physics and Chemistry. Unidades: IF, IPEN
Subjects: FOTODETECTORES, SEMICONDUTORES, DIODOS, ESPECTROSCOPIA DE RAIO GAMA, ESPECTROSCOPIA DE RAIO X, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MALAFRONTE, A. A. et al. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry. Radiation Physics and Chemistry, v. 179, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109103. Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Malafronte, A. A., Petri, A. R., Gonçalves, J. A. C., Barros, S., Bueno, C., Maidana, N. L., et al. (2021). A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry. Radiation Physics and Chemistry, 179. doi:10.1016/j.radphyschem.2020.109103
NLM
Malafronte AA, Petri AR, Gonçalves JAC, Barros S, Bueno C, Maidana NL, Mangiarotti A, Martins MN, Quivy AA, Vanin V. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry [Internet]. Radiation Physics and Chemistry. 2021 ; 179[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109103
Vancouver
Malafronte AA, Petri AR, Gonçalves JAC, Barros S, Bueno C, Maidana NL, Mangiarotti A, Martins MN, Quivy AA, Vanin V. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry [Internet]. Radiation Physics and Chemistry. 2021 ; 179[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109103

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