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Tese (Doutorado)
On the conductivity of PEDOT:PSS thin films (2007)
Nardes, Alexandre Mantovani; Andrade, Adnei Melges de (Orientador) ; Janssen, Rene Albert Johan (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: FILMES FINOS (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
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ABNT
NARDES, Alexandre Mantovani. On the conductivity of PEDOT:PSS thin films. 2007. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, Eindhoven, 2007. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27032015-150109/. Acesso em: 01 dez. 2025.
APA
Nardes, A. M. (2007). On the conductivity of PEDOT:PSS thin films (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, Eindhoven. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27032015-150109/
NLM
Nardes AM. On the conductivity of PEDOT:PSS thin films [Internet]. 2007 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27032015-150109/
Vancouver
Nardes AM. On the conductivity of PEDOT:PSS thin films [Internet]. 2007 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27032015-150109/
Artigo de periodico
Barrier coating for polymer light-emitting diodes using carbon nitride thin films deposited at low temperature by PECVD technique (2004)
Nardes, Alexandre Mantovani; Dirani, Ely Antonio Tadeu ; Bianchi, Rodrigo Fernando; Neves, J. A. R.; Andrade, Adnei Melges de ; Faria, Roberto Mendonça ; Fonseca, Fernando Josepetti
Source: Materials Science and Engineering C. Unidades: EP, IFSC
Subjects: FILMES FINOS, BAIXA TEMPERATURA, POLÍMEROS (MATERIAIS)
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ABNT
NARDES, Alexandre Mantovani et al. Barrier coating for polymer light-emitting diodes using carbon nitride thin films deposited at low temperature by PECVD technique. Materials Science and Engineering C, v. No 2004, n. 5, p. 607-610, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.msec.2004.08.043. Acesso em: 01 dez. 2025.
APA
Nardes, A. M., Dirani, E. A. T., Bianchi, R. F., Neves, J. A. R., Andrade, A. M. de, Faria, R. M., & Fonseca, F. J. (2004). Barrier coating for polymer light-emitting diodes using carbon nitride thin films deposited at low temperature by PECVD technique. Materials Science and Engineering C, No 2004( 5), 607-610. doi:10.1016/j.msec.2004.08.043
NLM
Nardes AM, Dirani EAT, Bianchi RF, Neves JAR, Andrade AM de, Faria RM, Fonseca FJ. Barrier coating for polymer light-emitting diodes using carbon nitride thin films deposited at low temperature by PECVD technique [Internet]. Materials Science and Engineering C. 2004 ; No 2004( 5): 607-610.[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.msec.2004.08.043
Vancouver
Nardes AM, Dirani EAT, Bianchi RF, Neves JAR, Andrade AM de, Faria RM, Fonseca FJ. Barrier coating for polymer light-emitting diodes using carbon nitride thin films deposited at low temperature by PECVD technique [Internet]. Materials Science and Engineering C. 2004 ; No 2004( 5): 607-610.[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.msec.2004.08.043
Artigo de periodico
Low-temperature PECVD deposition of highly conductive microcrystalline silicon thin films (2003)
Nardes, Alexandre Mantovani; Andrade, Adnei Melges de ; Fonseca, Fernando Josepetti ; Dirani, Ely Antonio Tadeu ; Muccillo, Reginaldo ; Muccillo, Eliana Navarro dos Santos
Source: Journal of Materials Science: materials in electronics. Unidade: EP
Assunto: FILMES FINOS
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ABNT
NARDES, Alexandre Mantovani et al. Low-temperature PECVD deposition of highly conductive microcrystalline silicon thin films. Journal of Materials Science: materials in electronics, v. 14, n. 5-7, p. 407-411, 2003Tradução . . Acesso em: 01 dez. 2025.
APA
Nardes, A. M., Andrade, A. M. de, Fonseca, F. J., Dirani, E. A. T., Muccillo, R., & Muccillo, E. N. dos S. (2003). Low-temperature PECVD deposition of highly conductive microcrystalline silicon thin films. Journal of Materials Science: materials in electronics, 14( 5-7), 407-411.
NLM
Nardes AM, Andrade AM de, Fonseca FJ, Dirani EAT, Muccillo R, Muccillo EN dos S. Low-temperature PECVD deposition of highly conductive microcrystalline silicon thin films. Journal of Materials Science: materials in electronics. 2003 ;14( 5-7): 407-411.[citado 2025 dez. 01 ]
Vancouver
Nardes AM, Andrade AM de, Fonseca FJ, Dirani EAT, Muccillo R, Muccillo EN dos S. Low-temperature PECVD deposition of highly conductive microcrystalline silicon thin films. Journal of Materials Science: materials in electronics. 2003 ;14( 5-7): 407-411.[citado 2025 dez. 01 ]
Dissertação (Mestrado)
Propriedades elétricas de películas finas de ligas de silício microcristalino hidrogenadas depositadas a baixas temperaturas (2002)
Nardes, Alexandre Mantovani; Dirani, Ely Antonio Tadeu (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: FILMES FINOS (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), BAIXA TEMPERATURA
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ABNT
NARDES, Alexandre Mantovani. Propriedades elétricas de películas finas de ligas de silício microcristalino hidrogenadas depositadas a baixas temperaturas. 2002. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2002. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11092024-150622/pt-br.php. Acesso em: 01 dez. 2025.
APA
Nardes, A. M. (2002). Propriedades elétricas de películas finas de ligas de silício microcristalino hidrogenadas depositadas a baixas temperaturas (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11092024-150622/pt-br.php
NLM
Nardes AM. Propriedades elétricas de películas finas de ligas de silício microcristalino hidrogenadas depositadas a baixas temperaturas [Internet]. 2002 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11092024-150622/pt-br.php
Vancouver
Nardes AM. Propriedades elétricas de películas finas de ligas de silício microcristalino hidrogenadas depositadas a baixas temperaturas [Internet]. 2002 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11092024-150622/pt-br.php
Artigo de periodico
Highly conductive N-Type µc-Si:H films deposited at very low temperature (2002)
Nardes, Alexandre Mantovani; Dirani, Ely Antonio Tadeu
Source: Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos. Unidade: EP
Assunto: FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NARDES, Alexandre Mantovani e DIRANI, Ely Antonio Tadeu. Highly conductive N-Type µc-Si:H films deposited at very low temperature. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos, n. 04, 2002Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/075e812c-25d5-4830-9cd7-351bc43be917/BT-PSI-02_04_250925_144823.pdf. Acesso em: 01 dez. 2025.
APA
Nardes, A. M., & Dirani, E. A. T. (2002). Highly conductive N-Type µc-Si:H films deposited at very low temperature. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos, (04). Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/075e812c-25d5-4830-9cd7-351bc43be917/BT-PSI-02_04_250925_144823.pdf
NLM
Nardes AM, Dirani EAT. Highly conductive N-Type µc-Si:H films deposited at very low temperature [Internet]. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos. 2002 ;(04):[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/075e812c-25d5-4830-9cd7-351bc43be917/BT-PSI-02_04_250925_144823.pdf
Vancouver
Nardes AM, Dirani EAT. Highly conductive N-Type µc-Si:H films deposited at very low temperature [Internet]. Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos. 2002 ;(04):[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/075e812c-25d5-4830-9cd7-351bc43be917/BT-PSI-02_04_250925_144823.pdf
Parte de monografia/livro
Highly conductive n-type MC-Si:H films deposited at very low temperature (2002)
Nardes, Alexandre Mantovani; Dirani, Ely Antonio Tadeu ; Andrade, Adnei Melges de ; Fonseca, Fernando Josepetti
Source: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NARDES, Alexandre Mantovani et al. Highly conductive n-type MC-Si:H films deposited at very low temperature. Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Tradução . Pennington: The Electrochemical Society, 2002. . . Acesso em: 01 dez. 2025.
APA
Nardes, A. M., Dirani, E. A. T., Andrade, A. M. de, & Fonseca, F. J. (2002). Highly conductive n-type MC-Si:H films deposited at very low temperature. In Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Nardes AM, Dirani EAT, Andrade AM de, Fonseca FJ. Highly conductive n-type MC-Si:H films deposited at very low temperature. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Pennington: The Electrochemical Society; 2002. [citado 2025 dez. 01 ]
Vancouver
Nardes AM, Dirani EAT, Andrade AM de, Fonseca FJ. Highly conductive n-type MC-Si:H films deposited at very low temperature. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Pennington: The Electrochemical Society; 2002. [citado 2025 dez. 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Programa SILICIO: agrupando e correlacionando dados sobre deposição e caracterização de filmes finos de silício hidrogenado (2002)
Lima, John Paul Hempel; Dirani, Ely Antonio Tadeu ; Nardes, Alexandre Mantovani; Fonseca, Fernando Josepetti ; Andrade, Adnei Melges de
Source: SIICUSP;CICTE: resumos. Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica da USP. Unidade: EP
Assunto: FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LIMA, John Paul Hempel et al. Programa SILICIO: agrupando e correlacionando dados sobre deposição e caracterização de filmes finos de silício hidrogenado. 2002, Anais.. São Paulo: USP, 2002. Disponível em: http://www.usp.br/siicusp/10osiicusp/cd_2002/index01.htm. Acesso em: 01 dez. 2025.
APA
Lima, J. P. H., Dirani, E. A. T., Nardes, A. M., Fonseca, F. J., & Andrade, A. M. de. (2002). Programa SILICIO: agrupando e correlacionando dados sobre deposição e caracterização de filmes finos de silício hidrogenado. In SIICUSP;CICTE: resumos. São Paulo: USP. Recuperado de http://www.usp.br/siicusp/10osiicusp/cd_2002/index01.htm
NLM
Lima JPH, Dirani EAT, Nardes AM, Fonseca FJ, Andrade AM de. Programa SILICIO: agrupando e correlacionando dados sobre deposição e caracterização de filmes finos de silício hidrogenado [Internet]. SIICUSP;CICTE: resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: http://www.usp.br/siicusp/10osiicusp/cd_2002/index01.htm
Vancouver
Lima JPH, Dirani EAT, Nardes AM, Fonseca FJ, Andrade AM de. Programa SILICIO: agrupando e correlacionando dados sobre deposição e caracterização de filmes finos de silício hidrogenado [Internet]. SIICUSP;CICTE: resumos. 2002 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: http://www.usp.br/siicusp/10osiicusp/cd_2002/index01.htm

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