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Trabalho de evento
Electrical characteristics of PECVD silicon oxide deposited with low TEOS contents at low temperatures (2004)
Rocha, Otávio Filipe da; Morimoto, Nilton Itiro ; Viana, Carlos Eduardo; Gonçalves, L. C. D.
Source: Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO. Unidade: EP
Subjects: FILMES FINOS, ELETROQUÍMICA, MICROELETRÔNICA
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ABNT
ROCHA, Otávio Filipe da et al. Electrical characteristics of PECVD silicon oxide deposited with low TEOS contents at low temperatures. 2004, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2004. . Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Rocha, O. F. da, Morimoto, N. I., Viana, C. E., & Gonçalves, L. C. D. (2004). Electrical characteristics of PECVD silicon oxide deposited with low TEOS contents at low temperatures. In Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Rocha OF da, Morimoto NI, Viana CE, Gonçalves LCD. Electrical characteristics of PECVD silicon oxide deposited with low TEOS contents at low temperatures. Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. 2004 ;[citado 2025 dez. 04 ]
Vancouver
Rocha OF da, Morimoto NI, Viana CE, Gonçalves LCD. Electrical characteristics of PECVD silicon oxide deposited with low TEOS contents at low temperatures. Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. 2004 ;[citado 2025 dez. 04 ]
Artigo de periodico
High magnetic field transport and photoluminescence in doped InGaAs/InP superlattices (1999)
Henriques, André Bohomoletz ; Hanamoto, L. K.; Oliveira, R. F.; Souza, P. L.; Gonçalves, L. C. D.; Yavich, B.
Source: Brazilian Journal of Physics. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
HENRIQUES, André Bohomoletz et al. High magnetic field transport and photoluminescence in doped InGaAs/InP superlattices. Brazilian Journal of Physics, v. 29, n. 4, p. 707-710, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400017. Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Henriques, A. B., Hanamoto, L. K., Oliveira, R. F., Souza, P. L., Gonçalves, L. C. D., & Yavich, B. (1999). High magnetic field transport and photoluminescence in doped InGaAs/InP superlattices. Brazilian Journal of Physics, 29( 4), 707-710. doi:10.1590/s0103-97331999000400017
NLM
Henriques AB, Hanamoto LK, Oliveira RF, Souza PL, Gonçalves LCD, Yavich B. High magnetic field transport and photoluminescence in doped InGaAs/InP superlattices [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 707-710.[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400017
Vancouver
Henriques AB, Hanamoto LK, Oliveira RF, Souza PL, Gonçalves LCD, Yavich B. High magnetic field transport and photoluminescence in doped InGaAs/InP superlattices [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 707-710.[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400017
Artigo de periodico
Structural and electronic properties of doped InP/InGaAs short period superlattices grown by LP-MOVPE (1999)
Henriques, André Bohomoletz ; Hanamoto, L. K.; Oliveira, R. F.; Souza, P. L.; Gonçalves, L. C. D.; Yavich, B.
Source: Physica B. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, INTERFACE
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ABNT
HENRIQUES, André Bohomoletz et al. Structural and electronic properties of doped InP/InGaAs short period superlattices grown by LP-MOVPE. Physica B, v. 273-274, p. 835-838, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00516-5. Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Henriques, A. B., Hanamoto, L. K., Oliveira, R. F., Souza, P. L., Gonçalves, L. C. D., & Yavich, B. (1999). Structural and electronic properties of doped InP/InGaAs short period superlattices grown by LP-MOVPE. Physica B, 273-274, 835-838. doi:10.1016/s0921-4526(99)00516-5
NLM
Henriques AB, Hanamoto LK, Oliveira RF, Souza PL, Gonçalves LCD, Yavich B. Structural and electronic properties of doped InP/InGaAs short period superlattices grown by LP-MOVPE [Internet]. Physica B. 1999 ; 273-274 835-838.[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00516-5
Vancouver
Henriques AB, Hanamoto LK, Oliveira RF, Souza PL, Gonçalves LCD, Yavich B. Structural and electronic properties of doped InP/InGaAs short period superlattices grown by LP-MOVPE [Internet]. Physica B. 1999 ; 273-274 835-838.[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00516-5
Trabalho de evento-resumo
Caracterização de super-redes InP/InGaAs dopadas com Si (1999)
Hanamoto, Luciana Kazumi; Henriques, André Bohomoletz ; Souza, P. L.; Gonçalves, L. C. D.; Yavich, B.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
HANAMOTO, Luciana Kazumi et al. Caracterização de super-redes InP/InGaAs dopadas com Si. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Hanamoto, L. K., Henriques, A. B., Souza, P. L., Gonçalves, L. C. D., & Yavich, B. (1999). Caracterização de super-redes InP/InGaAs dopadas com Si. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Hanamoto LK, Henriques AB, Souza PL, Gonçalves LCD, Yavich B. Caracterização de super-redes InP/InGaAs dopadas com Si. Resumos. 1999 ;[citado 2025 dez. 04 ]
Vancouver
Hanamoto LK, Henriques AB, Souza PL, Gonçalves LCD, Yavich B. Caracterização de super-redes InP/InGaAs dopadas com Si. Resumos. 1999 ;[citado 2025 dez. 04 ]
Artigo de periodico
Pseudomorphic InxGal -xAs/InO.52Al0.48As modulation doped heterostructures grown by LP-MOVPE (1998)
Pereira, R G; Yavich, B; Gonçalves, L. C. D.; Souza, P. L.; Henriques, André Bohomoletz
Source: Electronics Letters. Unidade: IF
Assunto: ENGENHARIA MECÂNICA
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ABNT
PEREIRA, R G et al. Pseudomorphic InxGal -xAs/InO.52Al0.48As modulation doped heterostructures grown by LP-MOVPE. Electronics Letters, v. 34, n. 22, p. 2173-2174, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1049/el:19981251. Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Pereira, R. G., Yavich, B., Gonçalves, L. C. D., Souza, P. L., & Henriques, A. B. (1998). Pseudomorphic InxGal -xAs/InO.52Al0.48As modulation doped heterostructures grown by LP-MOVPE. Electronics Letters, 34( 22), 2173-2174. doi:10.1049/el:19981251
NLM
Pereira RG, Yavich B, Gonçalves LCD, Souza PL, Henriques AB. Pseudomorphic InxGal -xAs/InO.52Al0.48As modulation doped heterostructures grown by LP-MOVPE [Internet]. Electronics Letters. 1998 ; 34( 22): 2173-2174.[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1049/el:19981251
Vancouver
Pereira RG, Yavich B, Gonçalves LCD, Souza PL, Henriques AB. Pseudomorphic InxGal -xAs/InO.52Al0.48As modulation doped heterostructures grown by LP-MOVPE [Internet]. Electronics Letters. 1998 ; 34( 22): 2173-2174.[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1049/el:19981251
Trabalho de evento-anais periodico
Si 'delta'-doping superlattices in InP grown by low-pressuremetalorganic vapor phase epitaxy (1998)
Souza, P. L.; Yavich, B; Pamplona-Pires, M; Henriques, André Bohomoletz ; Gonçalves, L. C. D.
Source: Radiation Effects and Defect in Solids. Conference titles: Symposium on Defect Dependent Processes in Insulators and Semiconductors. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, FÍSICA NUCLEAR
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ABNT
SOUZA, P. L. et al. Si 'delta'-doping superlattices in InP grown by low-pressuremetalorganic vapor phase epitaxy. Radiation Effects and Defect in Solids. London: Gordon and Breach Science Publishers. . Acesso em: 04 dez. 2025. , 1998
APA
Souza, P. L., Yavich, B., Pamplona-Pires, M., Henriques, A. B., & Gonçalves, L. C. D. (1998). Si 'delta'-doping superlattices in InP grown by low-pressuremetalorganic vapor phase epitaxy. Radiation Effects and Defect in Solids. London: Gordon and Breach Science Publishers.
NLM
Souza PL, Yavich B, Pamplona-Pires M, Henriques AB, Gonçalves LCD. Si 'delta'-doping superlattices in InP grown by low-pressuremetalorganic vapor phase epitaxy. Radiation Effects and Defect in Solids. 1998 ; 146( 1-4): 81-97.[citado 2025 dez. 04 ]
Vancouver
Souza PL, Yavich B, Pamplona-Pires M, Henriques AB, Gonçalves LCD. Si 'delta'-doping superlattices in InP grown by low-pressuremetalorganic vapor phase epitaxy. Radiation Effects and Defect in Solids. 1998 ; 146( 1-4): 81-97.[citado 2025 dez. 04 ]
Artigo de periodico
Magnetic quantum effects in degenerate superlattices (1997)
Henriques, André Bohomoletz ; Gonçalves, L. C. D.; Souza, P. L.; Yavich, B
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
HENRIQUES, André Bohomoletz et al. Magnetic quantum effects in degenerate superlattices. Brazilian Journal of Physics, v. 27/A, n. 4, 1997Tradução . . Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Henriques, A. B., Gonçalves, L. C. D., Souza, P. L., & Yavich, B. (1997). Magnetic quantum effects in degenerate superlattices. Brazilian Journal of Physics, 27/A( 4).
NLM
Henriques AB, Gonçalves LCD, Souza PL, Yavich B. Magnetic quantum effects in degenerate superlattices. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27/A( 4):[citado 2025 dez. 04 ]
Vancouver
Henriques AB, Gonçalves LCD, Souza PL, Yavich B. Magnetic quantum effects in degenerate superlattices. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27/A( 4):[citado 2025 dez. 04 ]
Artigo de periodico
Ionized impurity scattering in periodically 'delta'-doped InP (1997)
Henriques, André Bohomoletz ; Gonçalves, L. C. D.; Oliveira Jr., N. F.; Souza, P. L.; Yavich, B
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
HENRIQUES, André Bohomoletz et al. Ionized impurity scattering in periodically 'delta'-doped InP. Physical Review B, v. 55, n. 19, p. 13072-13079, 1997Tradução . . Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Henriques, A. B., Gonçalves, L. C. D., Oliveira Jr., N. F., Souza, P. L., & Yavich, B. (1997). Ionized impurity scattering in periodically 'delta'-doped InP. Physical Review B, 55( 19), 13072-13079.
NLM
Henriques AB, Gonçalves LCD, Oliveira Jr. NF, Souza PL, Yavich B. Ionized impurity scattering in periodically 'delta'-doped InP. Physical Review B. 1997 ; 55( 19): 13072-13079.[citado 2025 dez. 04 ]
Vancouver
Henriques AB, Gonçalves LCD, Oliveira Jr. NF, Souza PL, Yavich B. Ionized impurity scattering in periodically 'delta'-doped InP. Physical Review B. 1997 ; 55( 19): 13072-13079.[citado 2025 dez. 04 ]
Artigo de periodico
Photoluminescence and mobility of single and periodically Si 'delta' - doped InP growth by LP-MOVPE (1997)
Yavich, B; Souza, P. L.; Pamplona-Pires, M; Henriques, André Bohomoletz ; Gonçalves, L. C. D.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
YAVICH, B et al. Photoluminescence and mobility of single and periodically Si 'delta' - doped InP growth by LP-MOVPE. Brazilian Journal of Physics, v. 27A, n. 4, p. 189-193, 1997Tradução . . Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Yavich, B., Souza, P. L., Pamplona-Pires, M., Henriques, A. B., & Gonçalves, L. C. D. (1997). Photoluminescence and mobility of single and periodically Si 'delta' - doped InP growth by LP-MOVPE. Brazilian Journal of Physics, 27A( 4), 189-193.
NLM
Yavich B, Souza PL, Pamplona-Pires M, Henriques AB, Gonçalves LCD. Photoluminescence and mobility of single and periodically Si 'delta' - doped InP growth by LP-MOVPE. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27A( 4): 189-193.[citado 2025 dez. 04 ]
Vancouver
Yavich B, Souza PL, Pamplona-Pires M, Henriques AB, Gonçalves LCD. Photoluminescence and mobility of single and periodically Si 'delta' - doped InP growth by LP-MOVPE. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27A( 4): 189-193.[citado 2025 dez. 04 ]
Artigo de periodico
Electronic and optical properties of periodically 'Si''Gama-doped''InP'grown by low pressure metalorganic vapor phase epitaxy (1997)
Souza, P. L.; Yavich, B; Pamplona-Pires, M; Henriques, André Bohomoletz ; Gonçalves, L. C. D.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assunto: ELETRÔNICA
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ABNT
SOUZA, P. L. et al. Electronic and optical properties of periodically 'Si''Gama-doped''InP'grown by low pressure metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Applied Physics, v. 82, n. 4, p. 1700-1705, 1997Tradução . . Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Souza, P. L., Yavich, B., Pamplona-Pires, M., Henriques, A. B., & Gonçalves, L. C. D. (1997). Electronic and optical properties of periodically 'Si''Gama-doped''InP'grown by low pressure metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Applied Physics, 82( 4), 1700-1705.
NLM
Souza PL, Yavich B, Pamplona-Pires M, Henriques AB, Gonçalves LCD. Electronic and optical properties of periodically 'Si''Gama-doped''InP'grown by low pressure metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Applied Physics. 1997 ; 82( 4): 1700-1705.[citado 2025 dez. 04 ]
Vancouver
Souza PL, Yavich B, Pamplona-Pires M, Henriques AB, Gonçalves LCD. Electronic and optical properties of periodically 'Si''Gama-doped''InP'grown by low pressure metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Applied Physics. 1997 ; 82( 4): 1700-1705.[citado 2025 dez. 04 ]
Artigo de periodico
Single and periodically Si Delta-doped Inp grown by Lp-movpe (1997)
Yavich, B; Souza, P. L.; Pamplona-Pires, M; Henriques, André Bohomoletz ; Gonçalves, L. C. D.
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
YAVICH, B et al. Single and periodically Si Delta-doped Inp grown by Lp-movpe. Semiconductor Science and Technology, v. 12, p. 481-484, 1997Tradução . . Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Yavich, B., Souza, P. L., Pamplona-Pires, M., Henriques, A. B., & Gonçalves, L. C. D. (1997). Single and periodically Si Delta-doped Inp grown by Lp-movpe. Semiconductor Science and Technology, 12, 481-484.
NLM
Yavich B, Souza PL, Pamplona-Pires M, Henriques AB, Gonçalves LCD. Single and periodically Si Delta-doped Inp grown by Lp-movpe. Semiconductor Science and Technology. 1997 ; 12 481-484.[citado 2025 dez. 04 ]
Vancouver
Yavich B, Souza PL, Pamplona-Pires M, Henriques AB, Gonçalves LCD. Single and periodically Si Delta-doped Inp grown by Lp-movpe. Semiconductor Science and Technology. 1997 ; 12 481-484.[citado 2025 dez. 04 ]
Artigo de periodico
Quantum transport in periodically 'delta'-doped GaAs (1997)
Henriques, André Bohomoletz ; Gonçalves, L. C. D.; Oliveira Jr., N. F.; Shibli, Suhaila Maluf; Souza, P. L.; Yavich, B
Source: Zeitschrift für Physik B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
HENRIQUES, André Bohomoletz et al. Quantum transport in periodically 'delta'-doped GaAs. Zeitschrift für Physik B, v. 104, p. 457-461, 1997Tradução . . Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Henriques, A. B., Gonçalves, L. C. D., Oliveira Jr., N. F., Shibli, S. M., Souza, P. L., & Yavich, B. (1997). Quantum transport in periodically 'delta'-doped GaAs. Zeitschrift für Physik B, 104, 457-461.
NLM
Henriques AB, Gonçalves LCD, Oliveira Jr. NF, Shibli SM, Souza PL, Yavich B. Quantum transport in periodically 'delta'-doped GaAs. Zeitschrift für Physik B. 1997 ; 104 457-461.[citado 2025 dez. 04 ]
Vancouver
Henriques AB, Gonçalves LCD, Oliveira Jr. NF, Shibli SM, Souza PL, Yavich B. Quantum transport in periodically 'delta'-doped GaAs. Zeitschrift für Physik B. 1997 ; 104 457-461.[citado 2025 dez. 04 ]
Artigo de periodico
Band gap renormalization in periodically delta-doped semiconductors (1997)
Henriques, André Bohomoletz ; Obukhov, S; Gonçalves, L. C. D.; Souza, P. L.; Yavich, B
Source: Physica Status Solidi A. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HENRIQUES, André Bohomoletz et al. Band gap renormalization in periodically delta-doped semiconductors. Physica Status Solidi A, v. 164, p. 133-146, 1997Tradução . . Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Henriques, A. B., Obukhov, S., Gonçalves, L. C. D., Souza, P. L., & Yavich, B. (1997). Band gap renormalization in periodically delta-doped semiconductors. Physica Status Solidi A, 164, 133-146.
NLM
Henriques AB, Obukhov S, Gonçalves LCD, Souza PL, Yavich B. Band gap renormalization in periodically delta-doped semiconductors. Physica Status Solidi A. 1997 ; 164 133-146.[citado 2025 dez. 04 ]
Vancouver
Henriques AB, Obukhov S, Gonçalves LCD, Souza PL, Yavich B. Band gap renormalization in periodically delta-doped semiconductors. Physica Status Solidi A. 1997 ; 164 133-146.[citado 2025 dez. 04 ]
Artigo de periodico
Electronic properties of gated 'DELTA'-doped semiconductors (1997)
Gonçalves, L. C. D.; Henriques, André Bohomoletz
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GONÇALVES, L. C. D. e HENRIQUES, André Bohomoletz. Electronic properties of gated 'DELTA'-doped semiconductors. Semiconductor Science and Technology, v. 12, p. 203-9, 1997Tradução . . Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Gonçalves, L. C. D., & Henriques, A. B. (1997). Electronic properties of gated 'DELTA'-doped semiconductors. Semiconductor Science and Technology, 12, 203-9.
NLM
Gonçalves LCD, Henriques AB. Electronic properties of gated 'DELTA'-doped semiconductors. Semiconductor Science and Technology. 1997 ;12 203-9.[citado 2025 dez. 04 ]
Vancouver
Gonçalves LCD, Henriques AB. Electronic properties of gated 'DELTA'-doped semiconductors. Semiconductor Science and Technology. 1997 ;12 203-9.[citado 2025 dez. 04 ]
Artigo de periodico
Characterization of periodically 'delta'-doped semiconductors by capacitance-voltage profiling (1997)
Gonçalves, L. C. D.; Henriques, André Bohomoletz ; Souza, P. L.; Yavich, B
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GONÇALVES, L. C. D. et al. Characterization of periodically 'delta'-doped semiconductors by capacitance-voltage profiling. Semiconductor Science and Technology, v. 12, p. 1455-1458, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/12/11/022. Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Gonçalves, L. C. D., Henriques, A. B., Souza, P. L., & Yavich, B. (1997). Characterization of periodically 'delta'-doped semiconductors by capacitance-voltage profiling. Semiconductor Science and Technology, 12, 1455-1458. doi:10.1088/0268-1242/12/11/022
NLM
Gonçalves LCD, Henriques AB, Souza PL, Yavich B. Characterization of periodically 'delta'-doped semiconductors by capacitance-voltage profiling [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 1997 ; 12 1455-1458.[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/12/11/022
Vancouver
Gonçalves LCD, Henriques AB, Souza PL, Yavich B. Characterization of periodically 'delta'-doped semiconductors by capacitance-voltage profiling [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 1997 ; 12 1455-1458.[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/12/11/022
Trabalho de evento-resumo
Quantum transport in periodically 'delta'-doped GaAs (1997)
Gonçalves, L. C. D.; Henriques, André Bohomoletz ; Oliveira Jr., N. F.; Souza, P. L.; Yavich, B
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GONÇALVES, L. C. D. et al. Quantum transport in periodically 'delta'-doped GaAs. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Gonçalves, L. C. D., Henriques, A. B., Oliveira Jr., N. F., Souza, P. L., & Yavich, B. (1997). Quantum transport in periodically 'delta'-doped GaAs. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Gonçalves LCD, Henriques AB, Oliveira Jr. NF, Souza PL, Yavich B. Quantum transport in periodically 'delta'-doped GaAs. Resumos. 1997 ;[citado 2025 dez. 04 ]
Vancouver
Gonçalves LCD, Henriques AB, Oliveira Jr. NF, Souza PL, Yavich B. Quantum transport in periodically 'delta'-doped GaAs. Resumos. 1997 ;[citado 2025 dez. 04 ]
Parte de monografia/livro
Photoluminescence of periodically 'Delta-Doped' InP in high magnetic fields (1997)
Henriques, André Bohomoletz ; Gonçalves, L. C. D.; Bindilatti, Valdir ; Oliveira Júnior, Honorato Faustino de; Souza, P. L.; Yavich, B
Source: International Conference High Magnetic Fields in the Physics of Semiconductors II, 12. Würzburg, 1996. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HENRIQUES, André Bohomoletz et al. Photoluminescence of periodically 'Delta-Doped' InP in high magnetic fields. International Conference High Magnetic Fields in the Physics of Semiconductors II, 12. Würzburg, 1996. Tradução . Singapore: World Scientific, 1997. . . Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Henriques, A. B., Gonçalves, L. C. D., Bindilatti, V., Oliveira Júnior, H. F. de, Souza, P. L., & Yavich, B. (1997). Photoluminescence of periodically 'Delta-Doped' InP in high magnetic fields. In International Conference High Magnetic Fields in the Physics of Semiconductors II, 12. Würzburg, 1996. Singapore: World Scientific.
NLM
Henriques AB, Gonçalves LCD, Bindilatti V, Oliveira Júnior HF de, Souza PL, Yavich B. Photoluminescence of periodically 'Delta-Doped' InP in high magnetic fields. In: International Conference High Magnetic Fields in the Physics of Semiconductors II, 12. Würzburg, 1996. Singapore: World Scientific; 1997. [citado 2025 dez. 04 ]
Vancouver
Henriques AB, Gonçalves LCD, Bindilatti V, Oliveira Júnior HF de, Souza PL, Yavich B. Photoluminescence of periodically 'Delta-Doped' InP in high magnetic fields. In: International Conference High Magnetic Fields in the Physics of Semiconductors II, 12. Würzburg, 1996. Singapore: World Scientific; 1997. [citado 2025 dez. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Determinacao das mobilidades de transporte em amostras 'GAMA' - dopadas (1996)
Gonçalves, L. C. D.; Henriques, André Bohomoletz ; Oliveira Jr., N. F.; Souza, P. L.; Yavich, B
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GONÇALVES, L. C. D. et al. Determinacao das mobilidades de transporte em amostras 'GAMA' - dopadas. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Gonçalves, L. C. D., Henriques, A. B., Oliveira Jr., N. F., Souza, P. L., & Yavich, B. (1996). Determinacao das mobilidades de transporte em amostras 'GAMA' - dopadas. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Gonçalves LCD, Henriques AB, Oliveira Jr. NF, Souza PL, Yavich B. Determinacao das mobilidades de transporte em amostras 'GAMA' - dopadas. Resumos. 1996 ;[citado 2025 dez. 04 ]
Vancouver
Gonçalves LCD, Henriques AB, Oliveira Jr. NF, Souza PL, Yavich B. Determinacao das mobilidades de transporte em amostras 'GAMA' - dopadas. Resumos. 1996 ;[citado 2025 dez. 04 ]
Artigo de periodico
Sample parameters of degenerate semiconductor superlattices (1996)
Henriques, André Bohomoletz ; Gonçalves, L. C. D.; De Souza, P L; Yavich, B
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
HENRIQUES, André Bohomoletz et al. Sample parameters of degenerate semiconductor superlattices. Brazilian Journal of Physics, v. 26, n. 1 , p. 327-32, 1996Tradução . . Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Henriques, A. B., Gonçalves, L. C. D., De Souza, P. L., & Yavich, B. (1996). Sample parameters of degenerate semiconductor superlattices. Brazilian Journal of Physics, 26( 1 ), 327-32.
NLM
Henriques AB, Gonçalves LCD, De Souza PL, Yavich B. Sample parameters of degenerate semiconductor superlattices. Brazilian Journal of Physics. 1996 ;26( 1 ): 327-32.[citado 2025 dez. 04 ]
Vancouver
Henriques AB, Gonçalves LCD, De Souza PL, Yavich B. Sample parameters of degenerate semiconductor superlattices. Brazilian Journal of Physics. 1996 ;26( 1 ): 327-32.[citado 2025 dez. 04 ]
Trabalho de evento
Multisubband scattering in periodically 'DELTA-DOPED INP' (1996)
Henriques, André Bohomoletz ; Gonçalves, L. C. D.; Bindilatti, Valdir ; Oliveira Jr., N. F.; Souza, P. L.; Yavich, B
Source: Anais. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
HENRIQUES, André Bohomoletz et al. Multisubband scattering in periodically 'DELTA-DOPED INP'. 1996, Anais.. Singapore: World Scientific, 1996. . Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Henriques, A. B., Gonçalves, L. C. D., Bindilatti, V., Oliveira Jr., N. F., Souza, P. L., & Yavich, B. (1996). Multisubband scattering in periodically 'DELTA-DOPED INP'. In Anais. Singapore: World Scientific.
NLM
Henriques AB, Gonçalves LCD, Bindilatti V, Oliveira Jr. NF, Souza PL, Yavich B. Multisubband scattering in periodically 'DELTA-DOPED INP'. Anais. 1996 ;[citado 2025 dez. 04 ]
Vancouver
Henriques AB, Gonçalves LCD, Bindilatti V, Oliveira Jr. NF, Souza PL, Yavich B. Multisubband scattering in periodically 'DELTA-DOPED INP'. Anais. 1996 ;[citado 2025 dez. 04 ]

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