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Artigo de periodico
Reconfigurable SOI-MOSFET: past, present and future applications (2022)
Rangel, Ricardo Cardoso; Sasaki, Kátia Regina Akemi ; Martino, João Antonio
Fonte: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, SENSOR, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
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ABNT
RANGEL, Ricardo Cardoso e SASAKI, Kátia Regina Akemi e MARTINO, João Antonio. Reconfigurable SOI-MOSFET: past, present and future applications. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 17, n. 2, p. 1-9, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v17i2.626. Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Rangel, R. C., Sasaki, K. R. A., & Martino, J. A. (2022). Reconfigurable SOI-MOSFET: past, present and future applications. Journal of Integrated Circuits and Systems, 17( 2), 1-9. doi:10.29292/jics.v17i2.626
NLM
Rangel RC, Sasaki KRA, Martino JA. Reconfigurable SOI-MOSFET: past, present and future applications [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2022 ; 17( 2): 1-9.[citado 2025 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v17i2.626
Vancouver
Rangel RC, Sasaki KRA, Martino JA. Reconfigurable SOI-MOSFET: past, present and future applications [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2022 ; 17( 2): 1-9.[citado 2025 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v17i2.626
Tese (Doutorado)
Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino (2012)
Almeida, Luciano Mendes; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: MEMÓRIA RAM, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, ENCAPSULAMENTO ELETRÔNICO
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ABNT
ALMEIDA, Luciano Mendes. Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino. 2012. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2012. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18072013-144946/. Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Almeida, L. M. (2012). Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18072013-144946/
NLM
Almeida LM. Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino [Internet]. 2012 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18072013-144946/
Vancouver
Almeida LM. Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino [Internet]. 2012 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18072013-144946/
Dissertação (Mestrado)
Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla (2010)
Santos, Sara Dereste dos; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, MICROELETRÔNICA
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ABNT
SANTOS, Sara Dereste dos. Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla. 2010. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082010-124643/. Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Santos, S. D. dos. (2010). Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082010-124643/
NLM
Santos SD dos. Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla [Internet]. 2010 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082010-124643/
Vancouver
Santos SD dos. Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla [Internet]. 2010 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082010-124643/
Dissertação (Mestrado)
Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado (2009)
Nicoletti, Talitha; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, MICROELETRÔNICA
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ABNT
NICOLETTI, Talitha. Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado. 2009. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2009. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22042010-152153/. Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Nicoletti, T. (2009). Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22042010-152153/
NLM
Nicoletti T. Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado [Internet]. 2009 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22042010-152153/
Vancouver
Nicoletti T. Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado [Internet]. 2009 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22042010-152153/
Trabalho de evento
On-Resistance and harmonic distortion in graded-channel SOI FD MOSFET (2004)
Cerdeira, Antonio ; Alemán, Miguel A; Pavanello, Marcelo Antonio ; Martino, João Antonio ; Vancaillie, Laurent; Flandre, Denis
Fonte: ICCDCS 2004. Nome do evento: IEEE International Caracas Conference on Devices, Circuits and Systems. Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
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ABNT
CERDEIRA, Antonio et al. On-Resistance and harmonic distortion in graded-channel SOI FD MOSFET. 2004, Anais.. New York: IEEE, 2004. . Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Cerdeira, A., Alemán, M. A., Pavanello, M. A., Martino, J. A., Vancaillie, L., & Flandre, D. (2004). On-Resistance and harmonic distortion in graded-channel SOI FD MOSFET. In ICCDCS 2004. New York: IEEE.
NLM
Cerdeira A, Alemán MA, Pavanello MA, Martino JA, Vancaillie L, Flandre D. On-Resistance and harmonic distortion in graded-channel SOI FD MOSFET. ICCDCS 2004. 2004 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Vancouver
Cerdeira A, Alemán MA, Pavanello MA, Martino JA, Vancaillie L, Flandre D. On-Resistance and harmonic distortion in graded-channel SOI FD MOSFET. ICCDCS 2004. 2004 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Tese (Doutorado)
Estudo do GC SOI nMOSFET e aplicações em amplificadores operacionais de transcondutância (2004)
Gimenez, Salvador Pinillos ; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, SILÍCIO, AMPLIFICADORES, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GIMENEZ, Salvador Pinillos. Estudo do GC SOI nMOSFET e aplicações em amplificadores operacionais de transcondutância. 2004. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2004. . Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Gimenez, S. P. (2004). Estudo do GC SOI nMOSFET e aplicações em amplificadores operacionais de transcondutância (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Gimenez SP. Estudo do GC SOI nMOSFET e aplicações em amplificadores operacionais de transcondutância. 2004 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Vancouver
Gimenez SP. Estudo do GC SOI nMOSFET e aplicações em amplificadores operacionais de transcondutância. 2004 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Dissertação (Mestrado)
Estudo do efeito do transistor bipolar parasitário no comportamento elétrico de dispositivos FDSOI MOSFET´s submicrométricos (2001)
Marques, Marlos Sampaio; Braga, Nelson Liebentritt de Almeida (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TRANSISTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARQUES, Marlos Sampaio. Estudo do efeito do transistor bipolar parasitário no comportamento elétrico de dispositivos FDSOI MOSFET´s submicrométricos. 2001. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2001. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14112024-155225/pt-br.php. Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Marques, M. S. (2001). Estudo do efeito do transistor bipolar parasitário no comportamento elétrico de dispositivos FDSOI MOSFET´s submicrométricos (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14112024-155225/pt-br.php
NLM
Marques MS. Estudo do efeito do transistor bipolar parasitário no comportamento elétrico de dispositivos FDSOI MOSFET´s submicrométricos [Internet]. 2001 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14112024-155225/pt-br.php
Vancouver
Marques MS. Estudo do efeito do transistor bipolar parasitário no comportamento elétrico de dispositivos FDSOI MOSFET´s submicrométricos [Internet]. 2001 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14112024-155225/pt-br.php

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