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Trabalho de evento-resumo
Metal-induced crystallization of Ni-doped amorphous si films (2005)
Ferri, F. A.; Chambouleyron, I; Zanatta, Antonio Ricardo
Fonte: Books of Abstracts. Nome do evento: International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, FILMES FINOS
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ABNT
FERRI, F. A. e CHAMBOULEYRON, I e ZANATTA, Antonio Ricardo. Metal-induced crystallization of Ni-doped amorphous si films. 2005, Anais.. Lisboa: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2005. . Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Ferri, F. A., Chambouleyron, I., & Zanatta, A. R. (2005). Metal-induced crystallization of Ni-doped amorphous si films. In Books of Abstracts. Lisboa: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Ferri FA, Chambouleyron I, Zanatta AR. Metal-induced crystallization of Ni-doped amorphous si films. Books of Abstracts. 2005 ;[citado 2025 dez. 03 ]
Vancouver
Ferri FA, Chambouleyron I, Zanatta AR. Metal-induced crystallization of Ni-doped amorphous si films. Books of Abstracts. 2005 ;[citado 2025 dez. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
Pulsed laser crystallization of SiGe alloys on GaAs (2001)
Dondeo, F; Santos, Paulo V; Trampert, A; Zanatta, Antonio Ricardo ; Comedi, D; Chambouleyron, I
Fonte: Program and abstracts. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
DONDEO, F et al. Pulsed laser crystallization of SiGe alloys on GaAs. 2001, Anais.. Guarujá: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2001. . Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Dondeo, F., Santos, P. V., Trampert, A., Zanatta, A. R., Comedi, D., & Chambouleyron, I. (2001). Pulsed laser crystallization of SiGe alloys on GaAs. In Program and abstracts. Guarujá: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Dondeo F, Santos PV, Trampert A, Zanatta AR, Comedi D, Chambouleyron I. Pulsed laser crystallization of SiGe alloys on GaAs. Program and abstracts. 2001 ;[citado 2025 dez. 03 ]
Vancouver
Dondeo F, Santos PV, Trampert A, Zanatta AR, Comedi D, Chambouleyron I. Pulsed laser crystallization of SiGe alloys on GaAs. Program and abstracts. 2001 ;[citado 2025 dez. 03 ]
Artigo de periodico
Epitaxial pulsep laser crystallization of amorphous germanium on GaAs (2001)
Santos, P V; Trampert, A; Dondeo, F; Comedi, D; Zhu, H. J.; Ploog, K. H.; Zanatta, Antonio Ricardo ; Chambouleyron, I
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SANTOS, P V et al. Epitaxial pulsep laser crystallization of amorphous germanium on GaAs. Journal of Applied Physics, v. 90, n. 5, p. 2575-2581, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1390312. Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Santos, P. V., Trampert, A., Dondeo, F., Comedi, D., Zhu, H. J., Ploog, K. H., et al. (2001). Epitaxial pulsep laser crystallization of amorphous germanium on GaAs. Journal of Applied Physics, 90( 5), 2575-2581. doi:10.1063/1.1390312
NLM
Santos PV, Trampert A, Dondeo F, Comedi D, Zhu HJ, Ploog KH, Zanatta AR, Chambouleyron I. Epitaxial pulsep laser crystallization of amorphous germanium on GaAs [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ;90( 5): 2575-2581.[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1390312
Vancouver
Santos PV, Trampert A, Dondeo F, Comedi D, Zhu HJ, Ploog KH, Zanatta AR, Chambouleyron I. Epitaxial pulsep laser crystallization of amorphous germanium on GaAs [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ;90( 5): 2575-2581.[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1390312
Artigo de periodico
Exponential absorption edge and disorder in Column IV amorphous semiconductors (1998)
Zanatta, Antonio Ricardo ; Mulato, M; Chambouleyron, I
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ZANATTA, Antonio Ricardo e MULATO, M e CHAMBOULEYRON, I. Exponential absorption edge and disorder in Column IV amorphous semiconductors. Journal of Applied Physics, v. 84, n. 9, p. 5184-5190, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.368768. Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Zanatta, A. R., Mulato, M., & Chambouleyron, I. (1998). Exponential absorption edge and disorder in Column IV amorphous semiconductors. Journal of Applied Physics, 84( 9), 5184-5190. doi:10.1063/1.368768
NLM
Zanatta AR, Mulato M, Chambouleyron I. Exponential absorption edge and disorder in Column IV amorphous semiconductors [Internet]. Journal of Applied Physics. 1998 ; 84( 9): 5184-5190.[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.368768
Vancouver
Zanatta AR, Mulato M, Chambouleyron I. Exponential absorption edge and disorder in Column IV amorphous semiconductors [Internet]. Journal of Applied Physics. 1998 ; 84( 9): 5184-5190.[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.368768
Artigo de periodico
Nitrogen in germanium (1998)
Chambouleyron, I; Zanatta, Antonio Ricardo
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CHAMBOULEYRON, I e ZANATTA, Antonio Ricardo. Nitrogen in germanium. Journal of Applied Physics, v. 84, n. 1, p. 1-30, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.368612. Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Chambouleyron, I., & Zanatta, A. R. (1998). Nitrogen in germanium. Journal of Applied Physics, 84( 1), 1-30. doi:10.1063/1.368612
NLM
Chambouleyron I, Zanatta AR. Nitrogen in germanium [Internet]. Journal of Applied Physics. 1998 ; 84( 1): 1-30.[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.368612
Vancouver
Chambouleyron I, Zanatta AR. Nitrogen in germanium [Internet]. Journal of Applied Physics. 1998 ; 84( 1): 1-30.[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.368612

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