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Trabalho de evento-resumo
Propriedades oticas de pocos quanticos 'IN'ga''as' / 'ga''as' E 'ga'AI'as' / 'ga''as' crescidos por epitaxia de feixe molecular (1996)
Martini, S.; Tabata, A; Ceschin, A M; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
MARTINI, S. et al. Propriedades oticas de pocos quanticos 'IN'ga''as' / 'ga''as' E 'ga'AI'as' / 'ga''as' crescidos por epitaxia de feixe molecular. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Martini, S., Tabata, A., Ceschin, A. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1996). Propriedades oticas de pocos quanticos 'IN'ga''as' / 'ga''as' E 'ga'AI'as' / 'ga''as' crescidos por epitaxia de feixe molecular. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Martini S, Tabata A, Ceschin AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Propriedades oticas de pocos quanticos 'IN'ga''as' / 'ga''as' E 'ga'AI'as' / 'ga''as' crescidos por epitaxia de feixe molecular. Resumos. 1996 ;[citado 2025 dez. 03 ]
Vancouver
Martini S, Tabata A, Ceschin AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Propriedades oticas de pocos quanticos 'IN'ga''as' / 'ga''as' E 'ga'AI'as' / 'ga''as' crescidos por epitaxia de feixe molecular. Resumos. 1996 ;[citado 2025 dez. 03 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Investigation of the photoluminescence linewidth broadening in symmetric and asymmetric in 'GA''AS' / 'GA''AS' n-type 'GAMA'-doped quantum wells (1995)
Tabata, A; Ceschin, A M; Quivy, Alain André ; Levine, Alexandre ; Leite, J. R.; Enderlein, R; Oliveira, J. B. B.; Laureto, E; Goncalves, J L
Fonte: Materials Science and Engineering B. Nome do evento: International Conference on Low Dimensional Structures and Devices. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
TABATA, A et al. Investigation of the photoluminescence linewidth broadening in symmetric and asymmetric in 'GA''AS' / 'GA''AS' n-type 'GAMA'-doped quantum wells. Materials Science and Engineering B. Cingapura: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 03 dez. 2025. , 1995
APA
Tabata, A., Ceschin, A. M., Quivy, A. A., Levine, A., Leite, J. R., Enderlein, R., et al. (1995). Investigation of the photoluminescence linewidth broadening in symmetric and asymmetric in 'GA''AS' / 'GA''AS' n-type 'GAMA'-doped quantum wells. Materials Science and Engineering B. Cingapura: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Tabata A, Ceschin AM, Quivy AA, Levine A, Leite JR, Enderlein R, Oliveira JBB, Laureto E, Goncalves JL. Investigation of the photoluminescence linewidth broadening in symmetric and asymmetric in 'GA''AS' / 'GA''AS' n-type 'GAMA'-doped quantum wells. Materials Science and Engineering B. 1995 ;35 401-5.[citado 2025 dez. 03 ]
Vancouver
Tabata A, Ceschin AM, Quivy AA, Levine A, Leite JR, Enderlein R, Oliveira JBB, Laureto E, Goncalves JL. Investigation of the photoluminescence linewidth broadening in symmetric and asymmetric in 'GA''AS' / 'GA''AS' n-type 'GAMA'-doped quantum wells. Materials Science and Engineering B. 1995 ;35 401-5.[citado 2025 dez. 03 ]
Artigo de periodico
Investigation of the photoluminescence linewidth broadening in symmetric and asymmetric in 'GA''AS' / 'GA''AS' n-type 'DELTA'- doped quantum wells (1995)
Tabata, A; Ceschin, A M; Quivy, Alain André ; Levine, Alexandre ; Leite, J. R.; Enderlein, R; Oliveira, J. B. B.; Laureto, E; Goncalves, J L
Fonte: Materials Science & Engineering B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
TABATA, A et al. Investigation of the photoluminescence linewidth broadening in symmetric and asymmetric in 'GA''AS' / 'GA''AS' n-type 'DELTA'- doped quantum wells. Materials Science & Engineering B, v. 35, p. 401-5, 1995Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/0b6feb87-87b0-4377-a5f5-f1c3d5458807/1-s2.0-0921510795013296-main.pdf. Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Tabata, A., Ceschin, A. M., Quivy, A. A., Levine, A., Leite, J. R., Enderlein, R., et al. (1995). Investigation of the photoluminescence linewidth broadening in symmetric and asymmetric in 'GA''AS' / 'GA''AS' n-type 'DELTA'- doped quantum wells. Materials Science & Engineering B, 35, 401-5. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/0b6feb87-87b0-4377-a5f5-f1c3d5458807/1-s2.0-0921510795013296-main.pdf
NLM
Tabata A, Ceschin AM, Quivy AA, Levine A, Leite JR, Enderlein R, Oliveira JBB, Laureto E, Goncalves JL. Investigation of the photoluminescence linewidth broadening in symmetric and asymmetric in 'GA''AS' / 'GA''AS' n-type 'DELTA'- doped quantum wells [Internet]. Materials Science & Engineering B. 1995 ;35 401-5.[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/0b6feb87-87b0-4377-a5f5-f1c3d5458807/1-s2.0-0921510795013296-main.pdf
Vancouver
Tabata A, Ceschin AM, Quivy AA, Levine A, Leite JR, Enderlein R, Oliveira JBB, Laureto E, Goncalves JL. Investigation of the photoluminescence linewidth broadening in symmetric and asymmetric in 'GA''AS' / 'GA''AS' n-type 'DELTA'- doped quantum wells [Internet]. Materials Science & Engineering B. 1995 ;35 401-5.[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/0b6feb87-87b0-4377-a5f5-f1c3d5458807/1-s2.0-0921510795013296-main.pdf
Trabalho de evento-resumo
Photoluminescence line shape analysis of 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS''GAMA'-doped quantum wells (1995)
Tabata, A; Ceschin, A M; Scolfaro, L M R; Quivy, Alain André ; Silva, Euzi Conceição Fernandes da ; Enderlein, R; Leite, J. R.; Oliveira, J. B. B.; Laureto, E; Meneses, E A
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
TABATA, A et al. Photoluminescence line shape analysis of 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS''GAMA'-doped quantum wells. 1995, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1995. . Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Tabata, A., Ceschin, A. M., Scolfaro, L. M. R., Quivy, A. A., Silva, E. C. F. da, Enderlein, R., et al. (1995). Photoluminescence line shape analysis of 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS''GAMA'-doped quantum wells. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Tabata A, Ceschin AM, Scolfaro LMR, Quivy AA, Silva ECF da, Enderlein R, Leite JR, Oliveira JBB, Laureto E, Meneses EA. Photoluminescence line shape analysis of 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS''GAMA'-doped quantum wells. Resumos. 1995 ;[citado 2025 dez. 03 ]
Vancouver
Tabata A, Ceschin AM, Scolfaro LMR, Quivy AA, Silva ECF da, Enderlein R, Leite JR, Oliveira JBB, Laureto E, Meneses EA. Photoluminescence line shape analysis of 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS''GAMA'-doped quantum wells. Resumos. 1995 ;[citado 2025 dez. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
Crescimento e caracterizacao optica de heteroestrutura de 'AL IND.X'ga ind.1-x''as' / 'ga''as' E 'in ind.Y''ga ind.1-y''as' / 'ga''as' (1994)
Lima, A. P.; Ceschin, A M; Quivy, Alain André ; Soares, J A N T; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LIMA, A. P. et al. Crescimento e caracterizacao optica de heteroestrutura de 'AL IND.X'ga ind.1-x''as' / 'ga''as' E 'in ind.Y''ga ind.1-y''as' / 'ga''as'. 1994, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1994. . Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Lima, A. P., Ceschin, A. M., Quivy, A. A., Soares, J. A. N. T., & Leite, J. R. (1994). Crescimento e caracterizacao optica de heteroestrutura de 'AL IND.X'ga ind.1-x''as' / 'ga''as' E 'in ind.Y''ga ind.1-y''as' / 'ga''as'. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Lima AP, Ceschin AM, Quivy AA, Soares JANT, Leite JR. Crescimento e caracterizacao optica de heteroestrutura de 'AL IND.X'ga ind.1-x''as' / 'ga''as' E 'in ind.Y''ga ind.1-y''as' / 'ga''as'. Resumos. 1994 ;[citado 2025 dez. 03 ]
Vancouver
Lima AP, Ceschin AM, Quivy AA, Soares JANT, Leite JR. Crescimento e caracterizacao optica de heteroestrutura de 'AL IND.X'ga ind.1-x''as' / 'ga''as' E 'in ind.Y''ga ind.1-y''as' / 'ga''as'. Resumos. 1994 ;[citado 2025 dez. 03 ]
Artigo de periodico
Photoluminescence and photoreflectance studies on on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells (1994)
Ceschin, A M; Quivy, Alain André ; Soares, J A N T; Enderlein, R; Tabata, A; Scolfaro, L M R; Silva, Euzi Conceição Fernandes da ; Leite, J. R.; Oliveira, J. B. B.; Meneses, E A
Fonte: Superlattices and Microstrutuctures. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
CESCHIN, A M et al. Photoluminescence and photoreflectance studies on on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells. Superlattices and Microstrutuctures, v. 15, n. 3 , p. 333-7, 1994Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddb56a0a-6c7c-47e5-bbbd-d752c8d5af5f/1-s2.0-S0749603684710652-main.pdf. Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Ceschin, A. M., Quivy, A. A., Soares, J. A. N. T., Enderlein, R., Tabata, A., Scolfaro, L. M. R., et al. (1994). Photoluminescence and photoreflectance studies on on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells. Superlattices and Microstrutuctures, 15( 3 ), 333-7. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddb56a0a-6c7c-47e5-bbbd-d752c8d5af5f/1-s2.0-S0749603684710652-main.pdf
NLM
Ceschin AM, Quivy AA, Soares JANT, Enderlein R, Tabata A, Scolfaro LMR, Silva ECF da, Leite JR, Oliveira JBB, Meneses EA. Photoluminescence and photoreflectance studies on on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstrutuctures. 1994 ;15( 3 ): 333-7.[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddb56a0a-6c7c-47e5-bbbd-d752c8d5af5f/1-s2.0-S0749603684710652-main.pdf
Vancouver
Ceschin AM, Quivy AA, Soares JANT, Enderlein R, Tabata A, Scolfaro LMR, Silva ECF da, Leite JR, Oliveira JBB, Meneses EA. Photoluminescence and photoreflectance studies on on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstrutuctures. 1994 ;15( 3 ): 333-7.[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddb56a0a-6c7c-47e5-bbbd-d752c8d5af5f/1-s2.0-S0749603684710652-main.pdf
Artigo de periodico
Photo and electroreflectance spectra from spatially inhomogeneous heterostructures calculated by means of a new method (1994)
Beliaev, D; Enderlein, R; Soares, J A N T; Scolfaro, L M R; Ceschin, A M; Quivy, Alain André ; Leite, J. R.
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BELIAEV, D et al. Photo and electroreflectance spectra from spatially inhomogeneous heterostructures calculated by means of a new method. Superlattices and Microstructures, v. 15, n. 3 , p. 339-43, 1994Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1006/spmi.1994.1066. Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Beliaev, D., Enderlein, R., Soares, J. A. N. T., Scolfaro, L. M. R., Ceschin, A. M., Quivy, A. A., & Leite, J. R. (1994). Photo and electroreflectance spectra from spatially inhomogeneous heterostructures calculated by means of a new method. Superlattices and Microstructures, 15( 3 ), 339-43. doi:10.1006/spmi.1994.1066
NLM
Beliaev D, Enderlein R, Soares JANT, Scolfaro LMR, Ceschin AM, Quivy AA, Leite JR. Photo and electroreflectance spectra from spatially inhomogeneous heterostructures calculated by means of a new method [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1994 ;15( 3 ): 339-43.[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1994.1066
Vancouver
Beliaev D, Enderlein R, Soares JANT, Scolfaro LMR, Ceschin AM, Quivy AA, Leite JR. Photo and electroreflectance spectra from spatially inhomogeneous heterostructures calculated by means of a new method [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1994 ;15( 3 ): 339-43.[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1994.1066
Trabalho de evento-resumo
Estudos magnetico-oticos das transicoes excitonicas de pocos quanticos de 'GA''AS' / 'GAALAS' com modulacao de dopagem tipo n (1994)
Montanher, V C; Levine, Alexandre ; Ceschin, A M; Quivy, Alain André ; Silva, Euzi Conceição Fernandes da
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MONTANHER, V C et al. Estudos magnetico-oticos das transicoes excitonicas de pocos quanticos de 'GA''AS' / 'GAALAS' com modulacao de dopagem tipo n. 1994, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1994. . Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Montanher, V. C., Levine, A., Ceschin, A. M., Quivy, A. A., & Silva, E. C. F. da. (1994). Estudos magnetico-oticos das transicoes excitonicas de pocos quanticos de 'GA''AS' / 'GAALAS' com modulacao de dopagem tipo n. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Montanher VC, Levine A, Ceschin AM, Quivy AA, Silva ECF da. Estudos magnetico-oticos das transicoes excitonicas de pocos quanticos de 'GA''AS' / 'GAALAS' com modulacao de dopagem tipo n. Resumos. 1994 ;[citado 2025 dez. 03 ]
Vancouver
Montanher VC, Levine A, Ceschin AM, Quivy AA, Silva ECF da. Estudos magnetico-oticos das transicoes excitonicas de pocos quanticos de 'GA''AS' / 'GAALAS' com modulacao de dopagem tipo n. Resumos. 1994 ;[citado 2025 dez. 03 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Photoluminescence and photoreflectance studies on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells (1994)
Ceschin, A M; Quivy, Alain André ; Soares, J A N T; Enderlein, R; Tabata, A; Scolfaro, L M R; Silva, Euzi Conceição Fernandes da ; Leite, J. R.; Oliveira, J. B. B.; Menezes, E A
Fonte: Superlattices and Microstructures. Nome do evento: International Conference on Superlattices, Microructures and Microdevices. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CESCHIN, A M et al. Photoluminescence and photoreflectance studies on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells. Superlattices and Microstructures. London: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 03 dez. 2025. , 1994
APA
Ceschin, A. M., Quivy, A. A., Soares, J. A. N. T., Enderlein, R., Tabata, A., Scolfaro, L. M. R., et al. (1994). Photoluminescence and photoreflectance studies on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells. Superlattices and Microstructures. London: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Ceschin AM, Quivy AA, Soares JANT, Enderlein R, Tabata A, Scolfaro LMR, Silva ECF da, Leite JR, Oliveira JBB, Menezes EA. Photoluminescence and photoreflectance studies on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells. Superlattices and Microstructures. 1994 ;15( 3 ): 333-7.[citado 2025 dez. 03 ]
Vancouver
Ceschin AM, Quivy AA, Soares JANT, Enderlein R, Tabata A, Scolfaro LMR, Silva ECF da, Leite JR, Oliveira JBB, Menezes EA. Photoluminescence and photoreflectance studies on 'DELTA'-doped 'IN IND.0.15''GA IND.0.85''AS' / 'GA''AS' quantum wells. Superlattices and Microstructures. 1994 ;15( 3 ): 333-7.[citado 2025 dez. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
Pocos quanticos de i 'N IND.0,15' 'GA IND.0,85' 'AS' / 'GA''AS' com dopagem planar de 'SI' no centro (1994)
Ceschin, A M; Quivy, Alain André ; Soares, J A N T; Lima, A. P.; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CESCHIN, A M et al. Pocos quanticos de i 'N IND.0,15' 'GA IND.0,85' 'AS' / 'GA''AS' com dopagem planar de 'SI' no centro. 1994, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1994. . Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Ceschin, A. M., Quivy, A. A., Soares, J. A. N. T., Lima, A. P., & Leite, J. R. (1994). Pocos quanticos de i 'N IND.0,15' 'GA IND.0,85' 'AS' / 'GA''AS' com dopagem planar de 'SI' no centro. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Ceschin AM, Quivy AA, Soares JANT, Lima AP, Leite JR. Pocos quanticos de i 'N IND.0,15' 'GA IND.0,85' 'AS' / 'GA''AS' com dopagem planar de 'SI' no centro. Resumos. 1994 ;[citado 2025 dez. 03 ]
Vancouver
Ceschin AM, Quivy AA, Soares JANT, Lima AP, Leite JR. Pocos quanticos de i 'N IND.0,15' 'GA IND.0,85' 'AS' / 'GA''AS' com dopagem planar de 'SI' no centro. Resumos. 1994 ;[citado 2025 dez. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
Caracterizacao in situ e morfologia de 'GA''AS' crescidos por mbe (1993)
Lima, A. P.; Shibli, Suhaila Maluf; Ceschin, A M; Quivy, Alain André ; Rovira, P I; Leite, J. R.; Kiyohara, Pedro Kunihiko
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LIMA, A. P. et al. Caracterizacao in situ e morfologia de 'GA''AS' crescidos por mbe. 1993, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1993. . Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Lima, A. P., Shibli, S. M., Ceschin, A. M., Quivy, A. A., Rovira, P. I., Leite, J. R., & Kiyohara, P. K. (1993). Caracterizacao in situ e morfologia de 'GA''AS' crescidos por mbe. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Lima AP, Shibli SM, Ceschin AM, Quivy AA, Rovira PI, Leite JR, Kiyohara PK. Caracterizacao in situ e morfologia de 'GA''AS' crescidos por mbe. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2025 dez. 03 ]
Vancouver
Lima AP, Shibli SM, Ceschin AM, Quivy AA, Rovira PI, Leite JR, Kiyohara PK. Caracterizacao in situ e morfologia de 'GA''AS' crescidos por mbe. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2025 dez. 03 ]
Artigo de periodico
Fotocondutividade em 'GA''AS','GA''AS': 'SI' e 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' (1990)
Minami, E; Migliato, J; Notari, A; Ceschin, A M; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo
Fonte: Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo. Unidade: IFSC
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MINAMI, E et al. Fotocondutividade em 'GA''AS','GA''AS': 'SI' e 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo, v. 9 , n. 1 , p. 14-6, 1990Tradução . . Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Minami, E., Migliato, J., Notari, A., Ceschin, A. M., Basmaji, P., & Siu Li, M. (1990). Fotocondutividade em 'GA''AS','GA''AS': 'SI' e 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo, 9 ( 1 ), 14-6.
NLM
Minami E, Migliato J, Notari A, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M. Fotocondutividade em 'GA''AS','GA''AS': 'SI' e 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo. 1990 ;9 ( 1 ): 14-6.[citado 2025 dez. 03 ]
Vancouver
Minami E, Migliato J, Notari A, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M. Fotocondutividade em 'GA''AS','GA''AS': 'SI' e 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo. 1990 ;9 ( 1 ): 14-6.[citado 2025 dez. 03 ]
Artigo de periodico
Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI' (1990)
Basmaji, Pierre; Ceschin, A M; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Bernussi, A A; Iikawa, F; Motisuke, P
Fonte: Surface Science. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Surface Science, v. 228, p. 356-8, 1990Tradução . . Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Basmaji, P., Ceschin, A. M., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., Iikawa, F., & Motisuke, P. (1990). Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Surface Science, 228, 356-8.
NLM
Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Surface Science. 1990 ;228 356-8.[citado 2025 dez. 03 ]
Vancouver
Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Surface Science. 1990 ;228 356-8.[citado 2025 dez. 03 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Mobilidade hall e concentração de portadores em filmes semicondutores 'GA''AS': 'SI' crescidos por mbe (1989)
Ceschin, A M; Notari, A C; Manzoli, E; Sharappe, B; Siu Li, Máximo
Fonte: Ciência e Cultura. Nome do evento: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, FOTÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CESCHIN, A M et al. Mobilidade hall e concentração de portadores em filmes semicondutores 'GA''AS': 'SI' crescidos por mbe. Ciência e Cultura. São Paulo: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/9fc439e0-2d5f-418f-b556-f60f2c0c1d17/PROD001139_791741.pdf. Acesso em: 03 dez. 2025. , 1989
APA
Ceschin, A. M., Notari, A. C., Manzoli, E., Sharappe, B., & Siu Li, M. (1989). Mobilidade hall e concentração de portadores em filmes semicondutores 'GA''AS': 'SI' crescidos por mbe. Ciência e Cultura. São Paulo: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/9fc439e0-2d5f-418f-b556-f60f2c0c1d17/PROD001139_791741.pdf
NLM
Ceschin AM, Notari AC, Manzoli E, Sharappe B, Siu Li M. Mobilidade hall e concentração de portadores em filmes semicondutores 'GA''AS': 'SI' crescidos por mbe [Internet]. Ciência e Cultura. 1989 ;41( 7 supl.): 285.[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/9fc439e0-2d5f-418f-b556-f60f2c0c1d17/PROD001139_791741.pdf
Vancouver
Ceschin AM, Notari AC, Manzoli E, Sharappe B, Siu Li M. Mobilidade hall e concentração de portadores em filmes semicondutores 'GA''AS': 'SI' crescidos por mbe [Internet]. Ciência e Cultura. 1989 ;41( 7 supl.): 285.[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/9fc439e0-2d5f-418f-b556-f60f2c0c1d17/PROD001139_791741.pdf
Trabalho de evento
Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI' (1989)
Basmaji, Pierre; Ceschin, A M; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Bernussi, A A; Iikawa, F; Motisuke, P
Fonte: Proceedings. Nome do evento: International Conference on Modulated Semiconductor Structures. Unidade: IFQSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. 1989, Anais.. Ann Arbor: , Universidade de São Paulo, 1989. . Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Basmaji, P., Ceschin, A. M., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., Iikawa, F., & Motisuke, P. (1989). Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. In Proceedings. Ann Arbor: , Universidade de São Paulo.
NLM
Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Proceedings. 1989 ;[citado 2025 dez. 03 ]
Vancouver
Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Proceedings. 1989 ;[citado 2025 dez. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
Filmes de 'GA''AS' dopados com silicio , crescidos por mbe: caracterizacao e morfologia da superficie (1989)
Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Ceschin, A M; Migliato, J; Minami, E; Manzoli, E; Scharappe, B
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assuntos: FILMES FINOS, FOTÔNICA
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ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Filmes de 'GA''AS' dopados com silicio , crescidos por mbe: caracterizacao e morfologia da superficie. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e1842a9f-8bf8-4b85-873c-81949d00e5b0/PROD001037_786089.pdf. Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Basmaji, P., Siu Li, M., Ceschin, A. M., Migliato, J., Minami, E., Manzoli, E., & Scharappe, B. (1989). Filmes de 'GA''AS' dopados com silicio , crescidos por mbe: caracterizacao e morfologia da superficie. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/e1842a9f-8bf8-4b85-873c-81949d00e5b0/PROD001037_786089.pdf
NLM
Basmaji P, Siu Li M, Ceschin AM, Migliato J, Minami E, Manzoli E, Scharappe B. Filmes de 'GA''AS' dopados com silicio , crescidos por mbe: caracterizacao e morfologia da superficie [Internet]. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e1842a9f-8bf8-4b85-873c-81949d00e5b0/PROD001037_786089.pdf
Vancouver
Basmaji P, Siu Li M, Ceschin AM, Migliato J, Minami E, Manzoli E, Scharappe B. Filmes de 'GA''AS' dopados com silicio , crescidos por mbe: caracterizacao e morfologia da superficie [Internet]. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e1842a9f-8bf8-4b85-873c-81949d00e5b0/PROD001037_786089.pdf
Trabalho de evento-resumo
Filmes de 'GA''AS' crescidos por efm ( epitaxia por feixe molecular) (1988)
Ceschin, A M; Basso, Heitor Cury
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FILMES FINOS
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ABNT
CESCHIN, A M e BASSO, Heitor Cury. Filmes de 'GA''AS' crescidos por efm ( epitaxia por feixe molecular). 1988, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1988. . Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Ceschin, A. M., & Basso, H. C. (1988). Filmes de 'GA''AS' crescidos por efm ( epitaxia por feixe molecular). In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Ceschin AM, Basso HC. Filmes de 'GA''AS' crescidos por efm ( epitaxia por feixe molecular). Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2025 dez. 03 ]
Vancouver
Ceschin AM, Basso HC. Filmes de 'GA''AS' crescidos por efm ( epitaxia por feixe molecular). Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2025 dez. 03 ]

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