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Artigo de periodico
Modeling of power reactors for VFTO simulations: full-scale design in a real application (2024)
Melo, André Souza de; Costa, Eduardo Coelho Marques da; Calil, Wílerson Venceslau; Pereira, Ronaldo Francisco Ribeiro ; Albuquerque, Felipe Proença de
Source: International Journal of Electrical Power and Energy Systems. Unidade: EP
Subjects: MÉTODO DOS ELEMENTOS FINITOS, DISPOSITIVOS DIELÉTRICOS, ELETROMAGNETISMO
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ABNT
MELO, André Souza de et al. Modeling of power reactors for VFTO simulations: full-scale design in a real application. International Journal of Electrical Power and Energy Systems, v. 155, n. Ja 2024, p. 1-12, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.ijepes.2023.109685. Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Melo, A. S. de, Costa, E. C. M. da, Calil, W. V., Pereira, R. F. R., & Albuquerque, F. P. de. (2024). Modeling of power reactors for VFTO simulations: full-scale design in a real application. International Journal of Electrical Power and Energy Systems, 155( Ja 2024), 1-12. doi:10.1016/j.ijepes.2023.109685
NLM
Melo AS de, Costa ECM da, Calil WV, Pereira RFR, Albuquerque FP de. Modeling of power reactors for VFTO simulations: full-scale design in a real application [Internet]. International Journal of Electrical Power and Energy Systems. 2024 ; 155( Ja 2024): 1-12.[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ijepes.2023.109685
Vancouver
Melo AS de, Costa ECM da, Calil WV, Pereira RFR, Albuquerque FP de. Modeling of power reactors for VFTO simulations: full-scale design in a real application [Internet]. International Journal of Electrical Power and Energy Systems. 2024 ; 155( Ja 2024): 1-12.[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ijepes.2023.109685
Dissertação (Mestrado)
Caracterização física e elétrica de filmes dielétricos de Al2O3 e AlxHf1-xOy para estruturas high-k MOS (2012)
Christiano, Verônica; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: DISPOSITIVOS DIELÉTRICOS
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ABNT
CHRISTIANO, Verônica. Caracterização física e elétrica de filmes dielétricos de Al2O3 e AlxHf1-xOy para estruturas high-k MOS. 2012. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2012. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06062013-144815/. Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Christiano, V. (2012). Caracterização física e elétrica de filmes dielétricos de Al2O3 e AlxHf1-xOy para estruturas high-k MOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06062013-144815/
NLM
Christiano V. Caracterização física e elétrica de filmes dielétricos de Al2O3 e AlxHf1-xOy para estruturas high-k MOS [Internet]. 2012 ;[citado 2025 dez. 03 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06062013-144815/
Vancouver
Christiano V. Caracterização física e elétrica de filmes dielétricos de Al2O3 e AlxHf1-xOy para estruturas high-k MOS [Internet]. 2012 ;[citado 2025 dez. 03 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06062013-144815/
Trabalho de evento-resumo
Influência do 'Nb POT.5+' nas propriedades (micro)estruturais e elétricas de cerâmicas de PZT50/50 preparadas por um método químico não agressivo (2008)
Belinato, Gabriela; Souza, José Ezequiel de; Bernardi, Maria Inês Basso; M'Peko, Jean-Claude
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada - ENFMC. Unidade: IFSC
Subjects: MATERIAIS CERÂMICOS, DISPOSITIVOS DIELÉTRICOS
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ABNT
BELINATO, Gabriela et al. Influência do 'Nb POT.5+' nas propriedades (micro)estruturais e elétricas de cerâmicas de PZT50/50 preparadas por um método químico não agressivo. 2008, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2008. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0621-1.pdf. Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Belinato, G., Souza, J. E. de, Bernardi, M. I. B., & M'Peko, J. -C. (2008). Influência do 'Nb POT.5+' nas propriedades (micro)estruturais e elétricas de cerâmicas de PZT50/50 preparadas por um método químico não agressivo. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0621-1.pdf
NLM
Belinato G, Souza JE de, Bernardi MIB, M'Peko J-C. Influência do 'Nb POT.5+' nas propriedades (micro)estruturais e elétricas de cerâmicas de PZT50/50 preparadas por um método químico não agressivo [Internet]. Resumos. 2008 ;[citado 2025 dez. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0621-1.pdf
Vancouver
Belinato G, Souza JE de, Bernardi MIB, M'Peko J-C. Influência do 'Nb POT.5+' nas propriedades (micro)estruturais e elétricas de cerâmicas de PZT50/50 preparadas por um método químico não agressivo [Internet]. Resumos. 2008 ;[citado 2025 dez. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0621-1.pdf
Trabalho de evento
Piezoelectricity in multi-air voids electrets (2005)
Altafim, Ruy Alberto Corrêa ; Basso, Heitor Cury; Gonçalves Neto, Luiz; Lima, Leandro; Altafim, Ruy Alberto Pisani; Aquino, Claudio Vara de
Conference titles: Annual Report Conference on Electrical Insulation and Dielectric Phenomena. Unidade: EESC
Assunto: DISPOSITIVOS DIELÉTRICOS
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ABNT
ALTAFIM, Ruy Alberto Corrêa et al. Piezoelectricity in multi-air voids electrets. 2005, Anais.. Nashville: IEEE, 2005. . Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Altafim, R. A. C., Basso, H. C., Gonçalves Neto, L., Lima, L., Altafim, R. A. P., & Aquino, C. V. de. (2005). Piezoelectricity in multi-air voids electrets. In . Nashville: IEEE.
NLM
Altafim RAC, Basso HC, Gonçalves Neto L, Lima L, Altafim RAP, Aquino CV de. Piezoelectricity in multi-air voids electrets. 2005 ;[citado 2025 dez. 03 ]
Vancouver
Altafim RAC, Basso HC, Gonçalves Neto L, Lima L, Altafim RAP, Aquino CV de. Piezoelectricity in multi-air voids electrets. 2005 ;[citado 2025 dez. 03 ]
Dissertação (Mestrado)
Novos sensores piezoelétricos com eletretos de teflon FEP (2004)
Rodrigues, Evaldo Marcos Fernandes; Altafim, Ruy Alberto Corrêa (Orientador)
Unidade: EESC
Subjects: ELETRETOS, DISPOSITIVOS DIELÉTRICOS
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ABNT
RODRIGUES, Evaldo Marcos Fernandes. Novos sensores piezoelétricos com eletretos de teflon FEP. 2004. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2004. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18133/tde-02022016-163058/. Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Rodrigues, E. M. F. (2004). Novos sensores piezoelétricos com eletretos de teflon FEP (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18133/tde-02022016-163058/
NLM
Rodrigues EMF. Novos sensores piezoelétricos com eletretos de teflon FEP [Internet]. 2004 ;[citado 2025 dez. 03 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18133/tde-02022016-163058/
Vancouver
Rodrigues EMF. Novos sensores piezoelétricos com eletretos de teflon FEP [Internet]. 2004 ;[citado 2025 dez. 03 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18133/tde-02022016-163058/
Trabalho de evento
Piezoelectricity of multi-layers space-charge electrets from teflon FEP film with homogeneous voids distributed on its surface (2003)
Altafim, Ruy Alberto Corrêa ; Dias, Custódio; Gonçalves Neto, Luiz; Basso, Heitor Cury; Murakami, Cacilda; Veronese, Paulo Roberto; Rodrigues, Evaldo Fernandes
Source: Annual Report. Conference titles: Conference on Electrical Insulation and Dielectric Phenomena. Unidade: EESC
Assunto: DISPOSITIVOS DIELÉTRICOS
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ABNT
ALTAFIM, Ruy Alberto Corrêa et al. Piezoelectricity of multi-layers space-charge electrets from teflon FEP film with homogeneous voids distributed on its surface. 2003, Anais.. Piscataway: IEEE, 2003. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b5cbc98c-07f8-4b20-acee-5a10a546e9f7/prod_0000233_sysno_1350012.pdf. Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Altafim, R. A. C., Dias, C., Gonçalves Neto, L., Basso, H. C., Murakami, C., Veronese, P. R., & Rodrigues, E. F. (2003). Piezoelectricity of multi-layers space-charge electrets from teflon FEP film with homogeneous voids distributed on its surface. In Annual Report. Piscataway: IEEE. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/b5cbc98c-07f8-4b20-acee-5a10a546e9f7/prod_0000233_sysno_1350012.pdf
NLM
Altafim RAC, Dias C, Gonçalves Neto L, Basso HC, Murakami C, Veronese PR, Rodrigues EF. Piezoelectricity of multi-layers space-charge electrets from teflon FEP film with homogeneous voids distributed on its surface [Internet]. Annual Report. 2003 ;[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b5cbc98c-07f8-4b20-acee-5a10a546e9f7/prod_0000233_sysno_1350012.pdf
Vancouver
Altafim RAC, Dias C, Gonçalves Neto L, Basso HC, Murakami C, Veronese PR, Rodrigues EF. Piezoelectricity of multi-layers space-charge electrets from teflon FEP film with homogeneous voids distributed on its surface [Internet]. Annual Report. 2003 ;[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b5cbc98c-07f8-4b20-acee-5a10a546e9f7/prod_0000233_sysno_1350012.pdf
Trabalho de evento-resumo
Deposição de filmes finos de oxinitreto de silício por PECVD (1996)
Sassaki, Carlos Alberto; Fonseca, Fernando Josepetti ; Dirani, Ely Antonio Tadeu ; Andrade, Adnei Melges de
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: EP
Assunto: DISPOSITIVOS DIELÉTRICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SASSAKI, Carlos Alberto et al. Deposição de filmes finos de oxinitreto de silício por PECVD. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1996. . Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Sassaki, C. A., Fonseca, F. J., Dirani, E. A. T., & Andrade, A. M. de. (1996). Deposição de filmes finos de oxinitreto de silício por PECVD. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Sassaki CA, Fonseca FJ, Dirani EAT, Andrade AM de. Deposição de filmes finos de oxinitreto de silício por PECVD. Resumos. 1996 ;[citado 2025 dez. 03 ]
Vancouver
Sassaki CA, Fonseca FJ, Dirani EAT, Andrade AM de. Deposição de filmes finos de oxinitreto de silício por PECVD. Resumos. 1996 ;[citado 2025 dez. 03 ]

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